二氧化釩薄膜的制備及性能表征
2011-04-12 00:00:00趙萍李立珺張洋
現(xiàn)代電子技術(shù) 2011年6期
摘要：通過(guò)激光脈沖沉積法，分別在C－sapphire和R-sapphire襯底上制備了單相二氧化釩(V02)薄膜。用x射線衍射法表征了不同實(shí)驗(yàn)條件下制備的二氧化釩薄膜的結(jié)構(gòu)性質(zhì)，分析表明在600℃，10-1torr的氧氣分壓下，生長(zhǎng)15min可得到單相的二氧化釩(CO2)薄膜；重點(diǎn)研究了激光能量對(duì)薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明激光能量在500～600 MJ時(shí)制備的二氧化釩薄膜具有最好的電學(xué)性質(zhì)。
關(guān)鍵詞：脈沖激光沉積；二氧化釩；薄膜；X射線衍射；電學(xué)性質(zhì)
中圖分類(lèi)號(hào)：TN919—34；0782+；0722+.4；0792 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1004—373x(2011)06—0148—03
