摘要:通過(guò)激光脈沖沉積法,分別在C-sapphire和R-sapphire襯底上制備了單相二氧化釩(V02)薄膜。用x射線衍射法表征了不同實(shí)驗(yàn)條件下制備的二氧化釩薄膜的結(jié)構(gòu)性質(zhì),分析表明在600℃,10-1torr的氧氣分壓下,生長(zhǎng)15min可得到單相的二氧化釩(CO2)薄膜;重點(diǎn)研究了激光能量對(duì)薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明激光能量在500~600 MJ時(shí)制備的二氧化釩薄膜具有最好的電學(xué)性質(zhì)。
關(guān)鍵詞:脈沖激光沉積;二氧化釩;薄膜;X射線衍射;電學(xué)性質(zhì)
中圖分類(lèi)號(hào):TN919—34;0782+;0722+.4;0792 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1004—373x(2011)06—0148—03