李曉麗
(北京服裝學(xué)院材料與工程學(xué)院,北京100029)
電致變色(Electrochromic,EC)是一種光學(xué)性能可變換性變色,一般指材料在外電場或電流作用下發(fā)生可逆的色彩變化,直觀地表現(xiàn)為材料的顏色和透明度發(fā)生可逆變化的過程,這種變化是連續(xù)可調(diào)的,即材料的透過率、吸收率、反射率3者比例關(guān)系可調(diào)[1]。隨著科技的發(fā)展,電致變色材料將會發(fā)揮越來越大的作用,特變是制備大面積、可動態(tài)變化(如快速切換響應(yīng)、可自動智能控制)的電致變色材料和紅外發(fā)射器件在軍工、航空航天、工業(yè)檢測與監(jiān)控、醫(yī)療衛(wèi)生、核反應(yīng)堆保護(hù)、石油化工、智能機(jī)器人等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用[2~3]。
聚噻吩是除聚吡咯外又一種研究較活躍的五元雜環(huán)共軛聚合物。聚噻吩用作電致變色材料顏色變化較單一,因此通過分子設(shè)計(jì)合成出噻吩單體的衍生物進(jìn)而通過電化學(xué)聚合或化學(xué)聚合成聚噻吩,可以豐富聚噻吩的顏色變化,且?guī)в腥〈木坂绶员阌诩庸こ尚汀F渲?雜環(huán)上3位取代的烷基聚噻吩和3,4-二取代的烷氧基聚噻吩(聚乙撐二氧噻吩)是目前研究比較多的電致變色材料[4]。在本文中主要針對聚3-甲基噻吩的電致變色性能作為研究對象,從而判斷該物質(zhì)作為電致變色材料的優(yōu)越性,合成方法主要采用石高全老師所報(bào)道的電化學(xué)法合成聚3-甲基噻吩膜[5~6]。
(1)市售3-甲基噻吩,分析純;三氟化硼乙醚,分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限責(zé)任公司;乙腈,分析純,天津福晨化學(xué)試劑廠;高氯酸鋰(LiClO4),分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限責(zé)任公司。
(2)傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR,美國Nicolet,Nexus 670型),紫外——可見分光光度計(jì)(UV-Vis,美國PerkinElmer,TU-1901型),掃描電子顯微鏡(SEM,日本JEOL,JSM-6360型),電化學(xué)工作站(德國Zahner,IM 6型),數(shù)碼單反相機(jī)(日本SONY,A-100型)。
首先清潔導(dǎo)電玻璃(洗滌劑洗滌,蒸餾水超聲15min,乙醇超聲15min,丙酮超聲15min,室溫風(fēng)干)和鉑絲(砂紙打磨、蒸餾水清洗);采用IM6型電化學(xué)工作站,通過三電極法[鉑電極為對電極,飽和甘汞電極(SEM)為參比電極],將工作電極夾在導(dǎo)電玻璃上,在電解液為0.1 M的3-甲基噻吩的三氟化硼乙醚溶液1.15V的電位合成聚3-甲基噻吩導(dǎo)電膜,合成后用乙腈液沖洗導(dǎo)電膜上的雜質(zhì),室溫下自然干燥。
圖1為PMeT膜的紅外譜圖。1 395cm-1處的吸收峰是噻吩環(huán)上C=C雙鍵的伸縮振動,1 317 cm-1是C-C單鍵的形變振動,870cm-1是C-S鍵的伸縮振動。2 920cm-1、2 854cm-1和 1 089cm-1是為甲基側(cè)鏈上C-H鍵的振動特征吸收峰。820cm-1(2,5-取代α位)和730cm-1(2-取代)的C-H鍵面外歪曲振動,證明PMeT為α-α`連接。1 620cm-1處的吸收峰歸為羰基的吸收,表明噻吩環(huán)有一定程度的氧化。3 282cm-1處的吸收峰為殘留的三氟化硼乙醚溶液與空氣中的水生成的硼酸基團(tuán)的特征吸收峰。
圖2為PMeT膜在0.1M高氯酸鋰乙腈溶液中測定的紫外-可見光譜圖。從圖中可見聚合物在451nm處有一個(gè)強(qiáng)的寬吸收峰,對應(yīng)聚合物由共軛鏈中的π~π*躍遷引起的。根據(jù)紫外-可見光譜與共軛鏈長之間的關(guān)系,共軛鏈節(jié)越長,共軛性能越好,紫外-可見光譜的吸收峰就會紅移。因此,對比單體和聚合物的紫外-可見光譜,說明在三氟化硼乙醚溶液中電聚合3-甲基噻吩得到了分子量分布較寬的聚合物。

圖1 PM eT的紅外光譜圖

圖2 PMeT的紫外-可見譜圖

圖3 PM eT膜的循環(huán)伏安曲線圖(掃描速度50mV/s)
圖3中為PMeT薄膜在0.1M高氯酸鋰乙腈溶液中分別循環(huán)第1圈和第130圈的循環(huán)伏安曲線圖及其過程中所拍攝的不通電壓下PM eT薄膜電致變色圖片如圖4。由圖中第1圈可見,在0.5V以前,電流增加非常緩慢曲線變化不明顯,薄膜顏色為橙紅色;0.5V后隨著電壓的升高電流增加快曲線快速向上移動到0.7V,薄膜顏色為豆綠色;到0.8V時(shí)出現(xiàn)一個(gè)明顯的氧化峰,薄膜顏色為天藍(lán)色;另外在0.7V處出現(xiàn)一個(gè)明顯的還原峰,同時(shí)隨著電壓從大到小的變化還伴隨著薄膜褪色變化的過程。當(dāng)循環(huán)掃描到130圈時(shí),氧化還原峰的峰值降低并且都發(fā)生紅移,說明PMeT薄膜的電化學(xué)穩(wěn)定性還有待提高。

圖4 不同電壓下所拍攝PMeT膜的變色照片(膜面積:15×17mm2)
圖5為PMeT膜在0.1M高氯酸鋰乙腈溶液中的不同電壓下的紫外-可見光譜圖。在0V時(shí)即PMeT的脫摻雜態(tài)下,451nm處的波峰為PM eT的特征吸收峰,是π~π*躍遷的結(jié)果。隨著電壓的增大該特征吸收峰發(fā)生藍(lán)移,這是由于PMeT的噻吩環(huán)之間以α-α方式連接為主,PMeT的脫摻雜態(tài)下噻吩環(huán)相連的C-Cpz軌道具有最大的重疊,聚合物具有較低的禁帶寬度,其π~π*躍遷所需能量最低;隨著摻雜劑(ClO4-)的增加,其π~π*躍遷所需能量增大,因此吸收譜帶向高頻區(qū)移動。在>700nm時(shí),隨著電壓的增大,各個(gè)電壓下的特征吸收峰發(fā)生藍(lán)移;這是因?yàn)樵趽诫s(ClO4-)的過程中引入了單極化子和雙極化子載流子,隨著摻雜程度由小到大,在分子的CB(導(dǎo)帶)和VB(價(jià)帶)之間依次出現(xiàn)極子能級、雙極子能級、雙極子能帶,價(jià)帶電子向不同能級躍遷,使光譜發(fā)生不同的變化,顯示出不同的顏色狀態(tài);如圖 4的 PM eT膜在 0.5V~0.7V時(shí)為豆綠色,在0.7V~1.0V時(shí)為天藍(lán)色。

圖5 PMeT膜在不同電位下的紫外-可見譜圖
a-f譜線所對應(yīng)的電壓分別為 0,0.5,0.6,0.7,0.8,0.9V
圖6為PM eT膜在工作電極上施加的方波脈沖電位(0.1~0.9V)、計(jì)時(shí)電流響應(yīng)曲線和分別在669nm處的計(jì)時(shí)吸收光譜響應(yīng)曲線。將電致變色膜的透過率最大變化值△T%定義為最大對比度、著色達(dá)90%所需時(shí)間為著色響應(yīng)時(shí)間和退色達(dá)90%所需時(shí)間為退色響應(yīng)時(shí)間。由圖6計(jì)算出PM eT膜的最大對比度在669nm時(shí)為24.6%,著色響應(yīng)時(shí)間約為1.8s,褪色響應(yīng)時(shí)間約為2.0s。

圖6 PM eT膜的方波電位(0.1~0.9V)、計(jì)時(shí)電流響應(yīng)曲線、計(jì)時(shí)紫外透射曲線(λ=670nm)
圖7為PM eT膜于0.1M高氯酸鋰乙腈溶液中在0.1~0.9V每40s一圈的循環(huán)電壓下,通過紫外儀器測定的在700nm下的紫外-可見光譜。由圖中曲線圖可計(jì)算得第1圈的最大對比度為24.6%,隨著循環(huán)次數(shù)的增多,最大對比度有一個(gè)逐漸降低的過程,直到3000s左右即75圈PM eT膜都有一個(gè)從紅到藍(lán)色的變化;但75圈以后膜的對比度降低到5%~6%左右并且在一段時(shí)間內(nèi)保持不變,膜的變色現(xiàn)象不再明顯。

圖7 PMeT膜在0.1~0.9V循環(huán)電壓下的計(jì)時(shí)紫外透射率曲線(λ=670nm)
通過電化學(xué)聚合法在ITO導(dǎo)電玻璃上合成PMeT聚合物膜,經(jīng)紅外、紫外的測試分析證明所得聚合產(chǎn)物確為PM eT,該材料可在橙紅、豆綠、天藍(lán)色之間發(fā)生變色,其最大對比度在669nm時(shí)為24.6%,著色響應(yīng)時(shí)間約為1.8s,褪色響應(yīng)時(shí)間約為2.0s。由以上分析可見,聚3-甲基噻吩可作為良好的電致變色材料。
[1]陳 杰,朱振才,王汝笠,等.WO3薄膜的電致變色特性研究[J],光學(xué)學(xué)報(bào),1996,16(10):1 475~ 1 478.
[2]Chand rasekhar P.Condu cting polymers,fundamen tals and applications:a practical approach[M].The Netherlands:K luw er,Do rd rech t,1999.
[3]Skotheim T A,Elsenbaum er R L,Reynold J R.H andbook of conducting polymers[M].New York:M arcel Dekker,1998.
[4]Roncali J.Conjugated poly(thiophenes):syn thesis,fun ctionalization and application[J].Chem Rev,1992(92):711~738.
[5]Shi G,Jin S,Xue G,et al.A conducting polym er film stronger than alum inum[J].Science,1995,267(5 200),994~996.
[6]Shi G,Li C,Liang Y.High-strength conducting polym ers prepared by electrochemical polymerization in bo ron trifluoride diethyl etherate solu tion[J].Mater,1999,11(13),1 145~1 146.