王磊 李飆 國防科學技術大學電子科學與工程學院ATR實驗室,長沙 410073
太赫茲波及其產生方法的研究
王磊 李飆 國防科學技術大學電子科學與工程學院ATR實驗室,長沙 410073
闡述了太赫茲波的主要特征、太赫茲輻射產生的各種方法及其探測方法,重點介紹了產生THz輻射的光學方法和電子學方法。光學方法包括遠紅外光泵浦、利用超短激光脈沖產生THz輻射以及利用非線性頻率變換過程產生THz輻射;電子學方法包括THz量子級連激光器、利用自由電子的THz輻射源、基于高能加速器的THz輻射源和電子學振蕩器頻率轉換。
太赫茲波;遠紅外光泵浦;非線性頻率變換;THz量子級連激光器;振蕩器頻率轉換Abstract The mainly characteristic, generation method and detecting means of THz wave are introduced. The optical technique and electronical technique to generate THz wave is emphasized. The optical technique includes far infrared pumped, using ultrashort light laser pulse and nonlinear frequency transform;while the electronical technique includes THz quantum cascade lasers, using free electron, high power accelerator and oscillator frequency transform.Key words THz wave; far infrared pumped; nonlinear frequency transform; THz quantum cascade lasers; oscillator frequency transform
THz(1012)波的發現,填補了現有物理學電磁波譜中毫米波和紅外線波段之間的一段空白[1]。太赫茲、亞太赫茲波段的頻率為0.1~10 THz,波長為3mm~30μ m。其相對位置是低端連接毫米波,高端接遠紅外區,即位于半導體電子器件和光子器件之間的波段。若以應用頻率范圍的載體為坐標,則太赫茲波“空隙”的位置位于“雷達”與“人”之間。
由于技術上的原因,這段介于毫米波和遠紅外光線之間的波段長時間沒有被人涉足。近年來,隨著飛秒(10-15s)激光技術的發展和成熟,為發展太赫茲波的研究提供了有效的驅動力。這段位于毫米波和紅外之間太赫茲波光譜具有極大的吸引力,其研究領域涉及物理、化學、生物、材料科學和藥學的邊緣科學。太赫茲波兼有連續波(CW)和脈沖兩種形式,其脈沖周期數可減少至1周期,峰值功率可高達10MW。
在太赫茲波領域中存在著無限的機會,例如在太赫茲波的電磁波頻率范圍內,其基本周期約為1ps,尤其適合許多重要領域的研究:完全受激態原子的里德伯(Rydberg)態軌道的電子頻率是太赫茲波;小分子的旋轉頻率是太赫茲波;室溫下氣態分子的碰撞時間約1ps等。因此,人們正在努力降低進入研究太赫茲波的門檻。
THz波的頻率范圍處于電子學向光子學的過渡區域,在長波方向,它與毫米波有重疊;在短波方向,它與紅外線有重疊。在頻率上,THz波處于宏觀經典理論向微觀量子理論的過渡區。由于所處位置特殊,THz波表現出許多不同于其他電磁輻射的性質:(1)THz光子具有較低的能量(4.1meV@1THz),比X射線的光子弱107~105倍,不會在生物組織中引起光損傷及光化電離。 (2)THz脈沖的典型脈寬在亞皮秒量級,可以對包括液體、半導體、超導體、生物樣品等在內的各種材料進行亞皮秒、飛秒時間分辨的瞬態光譜研究,還可以通過取樣測量技術有效地抑制背景輻射噪音的干擾。(3)許多物質大分子,如生物大分子的振動和旋轉頻率都在THz波段,所以在THz頻段表現出很強的吸收和諧振。不同分子對于THz波的吸收和色散特性是與分子的振動和轉動能級有關的偶極躍遷相聯系的,而分子的偶極躍遷猶如人的指紋千差萬別。物質的THz光譜包含豐富的物理和化學信息,使得THz波具有類似指紋的唯一性。因此可通過光譜分析實現對分子的識別。(4)THz波是具有量子特性的電磁波,具有類似微波的穿透能力,同時也具有類似光波的方向性。THz波能以很小的衰減穿透很多對于可見光和紅外線不透明的物質,如陶瓷、脂肪、布料、木材、紙張、碳板等材料。(5)與傳統的光學方法僅僅測量出某一頻率光的強度不同,THz波的時域光譜技術直接測量THz波的時域電場。時域數據的傅立葉變換給出了THz波的大小和相位。因此,無需使用Kramers.Kronig色散關系,就可以提供介電常數的實部和虛部。這使測量的與THz波相互作用的介質折射率和吸收系數變得更精確。(6)THz脈沖通常只包含若干個周期的電磁振蕩,單個脈沖的頻率可以覆蓋從GHz到幾十THz的范圍,便于在大范圍里分析物質的光譜特性。
根據太赫茲輻射產生的機理,可以將其輻射源分為光學方法和電子學方法兩大類。
2.1.1 基于遠紅外光泵浦產生THz輻射
1970年,美籍華裔學者張道源等人第一次報道了光泵亞毫米波激光器,其激光介質采用的是甲基氟CH3F,泵浦光源為連續可調諧的Co2激光器[2]。隨后,人們相繼發現了許多新的激射分子和新的譜線。據Douglas于1989年的統計,僅連續波工作的光泵亞毫米波激光譜線就有4218條,包括95種分子,波長從30~
2.1.2 利用超短激光脈沖產生THz輻射
大多數寬帶蝴射源都是基于不同材料的超短激光脈沖受激發射原理,如光電導偶極天線技術、光學整流效應、半導體表面技術、等離子體振蕩、非線性傳輸線等。
2.1.2.1光導天線技術
20世紀90年代初,D.H.Auston和D Griscbkogsky等人用光電導偶極天線技術產生了THz輻射[6]。該方法是目前產生和探測THz波最常用的方法之一。它利用光子能量大于半導體材料禁帶寬度的超短脈沖激光泵浦半導體材料(如低溫生長的GaAs等),使其內部產生電子一空穴對,這些載流予在外加偏置電場作用下做加速運動形成一個瞬態光電流,從而輻射出低頻THz脈沖。
2.1.2.2光整流技術
1992年,S.L.Chuang等人和X.C.Zhang等人分別報道了半導體表面的光整流效應,并研究了光整流過程的空間對稱”[7]。光整流技術是利用電光晶體作為非線性介質.使皮秒量級的超短激光脈沖通過ZnTe電光晶體等非線性介質進行二階非線性光學過程或高階非線性光學過程來產生低頻電極化場,由此電極化場輻射出THz波,如圖1所示。其中激光脈沖特征和非線性介質特性決定了THz波的振幅強度和頻率分布。

圖1 光整流效應
2.1.2.3半導體表面技術
半導體表面技術,其基本原理是當一個光子能量大于半導體帶隙的超短光脈沖照射半導體表面時,入射的光載流于在半導體表面耗盡并被表面電場加速,從而產生超短瞬態電流,進而輻射出THz頻率的電磁波。產生的THz波頻率可通過改變激發脈沖的入射角進行調整。
1990年,X.C.Zhang等報道了由飛秒激光脈沖激發的光生自由載流子被半導體表面電場加速而產生THz輻射[8],這是除了光電導天線之外的另一種由瞬態光電流產生脈沖THz輻射的方式。這種方法需要入射光有較高的峰值功率.可獲得寬帶的THz波輸出。目前,很多半導體,如InP、GaAs、GaSb、InSb、CdTe,CdSe、Ge等都可以通過此技術產生THz輻射。
2.1.3 利用非線性頻率變換過程產生THz輻射
THz參量振蕩器的原理是基于鈮酸鋰(LiNbo3)晶體同時具有紅外和拉曼活性的A1最低對稱光學軟模的色散特性,近紅外的泵浦光子激發出一個頻率相近的近紅外Stokes光子,此Stokes光子的頻率為泵浦光子與振動模之間的差頻。同時,由于物質電子和振動的共同作用結果,導致非線性參量過程產生了THz輻射。日本K.Kawase領導的科研小組從上個世紀90年代中期開始,在前人研究的基礎上,對此項技術進行了深入系統的研究。1996年,K.Kawase等人利用調Q Nd:YAG激光器泵浦LiNb03晶體參量振蕩器,并在LiNb03晶體側面刻光柵,其耦合效率比使用切角耦合方法提高了250倍[9]。為了進一步提高耦合效率,改善THz波的光束質量,提高輸出穩定性,他們還分別采用單Si棱鏡和陣列棱鏡耦合輸出THz波,耦合效率提高了8倍。為了提高THz波頻率的調諧速度,他們將以往旋轉非線性晶體的角度發展為改變泵浦光的入射角度,這樣在較短的時間內能夠獲得1~2THz的THz波連續調諧輸出。
2.2.1 THz量子級連激光器
THz量子級連激光器體積小、能耗低、便于集成,是人們希望的一種THz波輻射源。1994年,美國貝爾實驗室發明的量子級連激光器(QCL)將固體半導體激光器技術延伸到THz波段。量子級連激光器是只有電子參與的單極型激光器。電子從較高的能量狀態躍遷到較低的能量狀態,發射出光子,其激射波長取決于由量子限制效應決定的量子阱兩個激發態之間的能量差,與半導體材料的能隙無關。一般使用的材料體系是GaAs/AIGaAs和InGaAs/InAIAs/InP。但長期以來,THz量子級連激光器在實驗方面都沒有獲得實質性突破。直到2002年,意大利NEST-INFM和英國劍橋大學在Nature上報道了THz QCL的實驗結果,其中THz波頻率4.4THz、溫度50K、脈沖功率20mW[10]。此后,很多國家采用不同的半導體材料相繼開展了THz QCL的研究工作。2004年,美國MIT研制的THz QCL的工作頻率為2.1THz,連續波功率lmW,溫度93K,脈沖功率20mW,溫度137K[11]。近幾年來,中國科學院上海微系統研究所和中國科學院半導體研究所也已經開展了此方面的研究,并取得了一定的成果。
2.2.2 利用自由電子的THz輻射源
近幾年來,利用真空電子學方法產生THz輻射的研究取得了很大的進展,其中包括真空電子器件、電子迪旋脈塞以及自由電子激光器等。真空電子器件如返波管(BWO)、耿氏(Gunn)振蕩器、布洛赫(Bloch)振蕩器、擴展互作用振蕩器(EIO)、繞射輻射器件(Orotron)等的工作頻率已接近或達到1THz。電子遛旋管有望在1THz以上產生千瓦級的脈沖輸出,平均功率可達幾十瓦以上。自由電子激光器(Free electron laser, FEL)是一種傳統的THz輻射源。由粒子加速器提供的高速電子流通過偏轉磁鐵導入一個扭擺磁場,電子在洛倫茲力作用下加速運動,通過自發輻射產生THz電磁波。
2002年,Nature上報道了由美國Brookhaven、Lawrence Berkeley國家實驗室以及Jefferson實驗室提出的一種電子學和光子學相結合產生THz的新方法[12]。該方法利用飛秒激光照射GaAs晶體,發射出電子束,再用加速器將電子束加速到40MeV,電子在磁場作用下做旋轉運動從而發射出相干THz輻射。采用該方法可以獲得20W的連續THz輻射。
2005年4月7日,中國工程物理研究院宣布我國首臺基于自由電子激光的THz輻射源建成并出光,THz輻射波長為115 μm(2.6THz),譜寬l%[13]。該成果標志著我國第一臺可調諧相干THz光源建成出光,填補了國內空白。
2.2.3 基于高能加速器的THz輻射源
2005年,在美國Honolulu召開的THz輻射源研討會上報道了用靜電加速器的FEL,可以在0.15~6THz產生1kW的準連續波輸出[14]。這一研究結果是迄今為止最重要的成果之一。
2.2.4 電子學振蕩器頻率轉換(倍頻)
頻率上轉換可以通過一系列的平面GaAs肖特基二極管倍增器來實現。該方法是一種能夠產生低功率(<100μW)連續波THz輻射源的方法。第一臺工作在1THz以上的平面肖特基倍增器通過使用薄膜技術實現的,在室溫下能產生80μW的1.2THz輻射。使用同樣的技術還制成了三倍增器,在2.7THz時輸出功率為lμ W。THz倍增器結構緊湊并且高度集成,是一種非常有發展潛力的小型化、高效率的THz輻射源。
THz探測器主要分為四大類:(1)輻射量熱計(Bolometer)和熱釋電探測器。該裝置使用方便,但只能做非相干檢測,不能獲得相干波的相位信息,響應速度一般比較慢。(2)電子探測器,包括混頻器和差頻檢測。該裝置能進行相干檢測,獲得相位信息,其特點是成本較低,結構緊湊。(3)光電導偶極天線及其陣列,特點是其暗流和噪聲較低。(4)用飛秒激光取樣的電光晶體,其特點是具有極寬的頻譜響應和非常高的測量信噪比。如,在ZnTe晶體中很容易實現THz波與探測光(λ=800nm)的相互匹配,使探測光的群速度與THz波的相速度相等,是目前使用最多的一種電光晶體。
THz波輻射是介于可見光和毫米波之間、輻射頻率在10[12]Hz附近的一種電磁輻射。凝聚態物質的聲子頻率、大分子的振蕩頻率又正好落在THz波段,在很多相關的特征譜中,包含著非常豐富的物理和化學信息。人們在物理、材料、生物、信息等領域,采用THz波輻射對研究對象進行掃描成像和光譜檢測等的應用研究,并對THz波及其相關技術、THz波主要特征、THz波輻射產生的方法和THz波的探測方法等進行了大量有意義的工作。
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Research on THz wave and its generation method
Wang Lei Li Biao
College of electronic Science and Engineering, ATR Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, 410073
10.3969/j.issn.1001-8972.2011.07.015 3030μm,覆蓋了整個THz波段。1999年,E.M.Telles等人報道了Co2激光泵浦CH3oH,又發現了8條新THz譜線,波長范圍48.8~453.7μm[3]。2004年,L.F.L.Costa等人用Co2激光泵浦CH3oD分子,發現了17條新THz激光譜線[4]。2005年,T.J.Garrod等人對光泵CHD20H輻射的11條激光譜線進行了精確測量[5]。光泵THz激光器已成為目前比較成熟的THz信號源之一,并且實現了商業化。
王磊(1984-),男,漢族,陜西西安人,國防科學技術大學電子科學與工程學院,工程碩士,主要從事THz產生和探測技術的研究。