宋小勇,宋里瑾,王曉遠
(中國空空導彈研究院 河南 洛陽 471009)
隨著通信技術的不斷發(fā)展,系統(tǒng)對頻率源提出了越來越高的要求。高頻段、低相位噪聲、高穩(wěn)定度是頻率源的發(fā)展方向。本文設計一種C波段的鎖相環(huán)頻率源,具有低噪、高穩(wěn)定度的特點,并最終應用于C波段的調(diào)制系統(tǒng)中。
鎖相環(huán)是一種相位負反饋系統(tǒng),它通過鑒相器將壓控振蕩器與參考振蕩源的相位差轉變?yōu)檎`差電壓,控制壓控振蕩器的頻率,使壓控振蕩器與參考頻率源的相位差鎖定在某一固定值[1]。其原理如圖1所示。

圖1 鎖相環(huán)頻率源原理圖Fig.1 PLL frequency generator schematic diagram
對本振頻率源的基本要求是穩(wěn)定性高和相位噪聲低。常用相位裕度來對鎖相環(huán)路進行穩(wěn)定性判決,相位裕度φ由式(1)求得[2]:

其中,H0(jωc)是鎖相環(huán)路的開環(huán)傳遞函數(shù)。在工程應用中,為了滿足環(huán)路的穩(wěn)定性要求,相位裕度一般都取40~50°之間[3]。
當環(huán)寬小于參考時鐘頻率的1/20時,可以把電荷泵鎖相環(huán)看作是一個連續(xù)時間線性系統(tǒng)[4]。對其總輸出噪聲的分析可由各噪聲源在輸出端的噪聲疊加得出,環(huán)路的相位噪聲模型如圖2所示。

圖2 環(huán)路相位噪聲模型Fig.2 Model PLL phase noise
圖中 θref,θPD,θlpf,θvco,θdiv分別為參考晶振、鑒相器、低通濾波器、VCO、分頻器引入的噪聲源。各部分噪聲可看成是獨立的不相干的噪聲源,得到輸出噪聲功率譜密度函數(shù):

其 中 Sref,SPD,Slpf,SVCO,Sdiv為 各 模 塊 的 噪 聲 功 率 譜 密 度 ,G(s)是鎖相環(huán)的開環(huán)傳遞函數(shù),N是環(huán)路的分頻數(shù)。由上式可以看出,分頻數(shù)越大噪聲就越大。在輸出頻率確定的情況下,提高鑒相頻率,可以有效降低鎖相環(huán)的相位噪聲。晶振、分頻器和鑒相器噪聲源有共同的傳遞特性,壓控振蕩器有不同的傳遞特性。進一步分析可知,PLL對晶振、分頻器和鑒相器噪聲的閉環(huán)傳遞函數(shù)呈低通特性,而對壓控振蕩器和環(huán)路噪聲的閉環(huán)傳遞函數(shù)呈現(xiàn)高通特性[5]。在設計中需綜合考慮器件的特性,合理選擇環(huán)路濾波器的參數(shù),可以得到滿足性能要求的本振頻率源。
本設計中鑒相器采用AD公司生產(chǎn)的ADF4107鎖相環(huán)芯片,芯片內(nèi)部集成了分頻器和電荷泵,能夠有效簡化電路設計;VCO采用Hittite公司生產(chǎn)的芯片HMC358。該VCO在控制電壓范圍為1~3 V的時候,輸出頻率為5.8~6.2 GHz,在所需頻率的范圍內(nèi),因此,使用無源環(huán)路濾波器就可以實現(xiàn)所需頻點的輸出。環(huán)路濾波器采用三階無源濾波器,電路圖如圖3所示。

圖3 無源濾波器電路圖Fig.3 Passive loop filter schematic
該濾波器有一個超前因子,可以保證較大的相位裕度,提高鎖相環(huán)路的穩(wěn)定性,且電路簡單,相較低階濾波器而言,對鑒相頻率的抑制更好[6]。
對本振的最基本的要求是穩(wěn)定性好和相位噪聲低。從這兩方面來考慮,在進行環(huán)路濾波器的設計時,相位裕度取45°,并且盡可能的提高鑒相頻率。使用ADIsimPLL對設計的環(huán)路進行仿真,可得其開環(huán)頻率響應如圖4所示。

圖4 鎖相環(huán)開環(huán)頻率響應Fig.4 PLL open-loop frequency response
可知其相位裕度為45.5°,鎖相環(huán)路能夠穩(wěn)定工作。
使用ADS對鎖相環(huán)的相位噪聲進行仿真,仿真平臺如圖5所示。

圖5 相位噪聲仿真平臺Fig.5 Phase noise simulation platform
設定其中主要的參數(shù)如參考晶振分頻數(shù)、輸出頻率與鑒相頻率分頻比、鑒相靈敏度及VCO的靈敏度等,可得系統(tǒng)的相位噪聲如圖6所示。

圖6 頻率源的相位噪聲仿真Fig.6 Phase noise simulation of frequency generator
由相位噪聲的仿真可知,本振輸出的相位噪聲在近端受晶振的影響最大,在10 kHz以內(nèi)基本取決于晶振的相位噪聲,在遠端受VCO的影響最大,在3 MHz以外基本取決于VCO的相位噪聲。所以在設計中盡可能選用低相位噪聲的晶振,可以有效降低本振低端的相位噪聲。
取不同的鑒相頻率進行仿真,對比輸出的相位噪聲。以5 MHz和1 MHz的鑒相頻率為例,仿真相位噪聲,結果如圖7、8 所示。

圖7 5 MHz鑒相頻率時相位噪聲Fig.7 Phase noise with 5 MHz phase detector
對比仿真結果,在5 MHz的鑒相頻率時,低端的相位噪聲要明顯優(yōu)于1 MHz鑒相頻率時的相位噪聲,在8 dB左右,在遠端也有3 dB的優(yōu)化。所以在設計中鑒相頻率取盡可能高的值,可獲得好的相位噪聲特性。

圖8 1 MHz鑒相頻率時相位噪聲Fig.8 Phase noise with 1 MHz phase detector
該鎖相環(huán)頻率源穩(wěn)定可靠,相噪特性好,可作為調(diào)制系統(tǒng)的本振使用。受限于本振頻率,鎖相環(huán)的鑒相頻率不能更高,對相位噪聲的優(yōu)化有限。在電路設計中,對電源的濾波、PCB板的優(yōu)化設計都能提高頻率源的性能。
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