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大型電機定子線棒防暈層電場的有限元研究

2012-01-22 01:14:08孫永鑫胡春秀
大電機技術(shù) 2012年3期
關(guān)鍵詞:有限元

孫永鑫,胡春秀,2,劉 東

(1.哈爾濱大電機研究所,哈爾濱 150040;2.哈爾濱理工大學(xué) 電氣與電子工程學(xué)院,哈爾濱 150080)

引言

大型電機定子線棒端部電場較高,易產(chǎn)生電暈和放電腐蝕現(xiàn)象,嚴(yán)重威脅機組的運行安全。為改善這種狀況,線棒端部需要進行防暈處理,目的在于:使線棒端部電場分布均勻,使線棒在電暈試驗時不產(chǎn)生電暈,在耐電壓試驗時不放電、表面不過熱,在運行時定子繞組端部相間不起暈、不放電[1]。隨著電機額定電壓及容量的提高,防暈結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜,防暈設(shè)計難度增大[2]。如何通過合理的計算方法輔助防暈設(shè)計,是絕緣技術(shù)領(lǐng)域亟待深入研究的問題。

傳統(tǒng)上采用阻容鏈方法進行防暈層電場分布的計算[3,4]。典型的多段防暈層阻容鏈電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。其中:C1為主絕緣體積電容;C2為主絕緣表面電容;C3為附加絕緣的表面電容;Ri為第i段防暈層的表面電阻。引線接交流高壓,定子鐵心接地,防暈搭接處用雙層電阻表示。由于防暈層的非線性特性和電路的復(fù)雜性,模型的計算較為困難。通常將模型簡化為多組非線性常微分方程,使用相應(yīng)的數(shù)值方法進行求解。已有的研究包括二分法、龍格-庫塔法[5]和有限差分法[6]等。這類方法建模簡單、求解快速,無需考慮空間電場狀態(tài)。缺點在于:無法進行三維建模,不能對轉(zhuǎn)角、窄邊等處的電場情況進行定位分析;模型基于求解常微分方程,程序不易拓展。由于這些原因,限制了阻容鏈計算方法的應(yīng)用。

圖1 典型的多段阻容鏈結(jié)構(gòu)

近期,隨著工程應(yīng)用的需要,電機端部電場研究成為國內(nèi)外研究熱點,有限元方法也逐漸應(yīng)用于這一領(lǐng)域[7,8]。這些模型中,線棒端部被分為三個區(qū)域:主絕緣區(qū)、防暈區(qū)和外部空氣區(qū),如圖2所示。由于防暈區(qū)與空氣區(qū)交界面的電場是待求量,建模時的外部空氣區(qū)通常不能省略[9]。這就產(chǎn)生了一些問題:⑴空氣區(qū)中遠(yuǎn)離防暈區(qū)的邊界(圖2中的上邊界)為接地條件,為不影響電場計算,須保證此邊界與防暈層的距離足夠遠(yuǎn)。這就使空氣區(qū)域的高度要大于主絕緣厚度的幾倍甚至十幾倍,建模體積驟增,求解效率將大大降低。⑵同主絕緣厚度與空氣區(qū)域高度相比,防暈區(qū)的厚度很小,網(wǎng)格剖分后,防暈區(qū)域的網(wǎng)格很小,網(wǎng)格數(shù)量較多,致使防暈區(qū)附近的網(wǎng)格增長率增大,網(wǎng)格質(zhì)量下降。⑶傳統(tǒng)有限元方法中,防暈層為體積單元,須將常規(guī)測量值表面電阻率轉(zhuǎn)化為體積電阻率,才能帶入模型進行設(shè)定。然而,表面電阻率與體積電阻率的產(chǎn)生機理是不同的,與場強的關(guān)系也各異,這種單位轉(zhuǎn)換勢必影響求解準(zhǔn)確性。

圖2 傳統(tǒng)有限元方法的幾何結(jié)構(gòu)

通過在防暈層邊界設(shè)定電場控制方程,能夠有效結(jié)合阻容鏈方法和有限元方法的優(yōu)點,建立不含空氣區(qū)的有限元模型。該方法求解效率高、求解精度好,并能夠?qū)θS電場及熱場進行定位分析,滿足線棒端部電場設(shè)計的工程需要。

1 不含空氣區(qū)的有限元模型

碳化硅材料的非線性,是指防暈材料的表面電阻率與防暈層切向電場呈反向變化,關(guān)系式為[10]

式中:0ρ為防暈層的固有電阻率,?;0β為防暈層的非線性系數(shù),m/V;Et為防暈層的切向電場強度,V/m。

0ρ為未加電場時的電阻率,也是最大電阻率。碳化硅材料在低電場下,由于空間電荷限制電流效應(yīng),電阻率較大,接近0ρ。由于隧道效應(yīng),當(dāng)電場增大到一定程度后,電阻率將迅速減小[11]。非線性防暈層很薄,切向電場對其阻值的影響是決定性的,而法向電場的作用很小,所以建模時無需考慮外部空氣區(qū),直接在防暈邊界建立控制方程:

式中:σs為防暈層的表面電導(dǎo)率(ρs的倒數(shù)),S;ε0為真空介電常數(shù),F(xiàn)/m;εrs為表面相對介電常數(shù);Us為表面電位,V;J為電流密度,A/m2。

線棒端部防暈處理后,在外部通常包扎幾層云母帶,稱為附加絕緣。附加絕緣不但可以保護防暈層,改善端部電場[12],而且其耐電弧、耐電暈的能力也遠(yuǎn)好于半導(dǎo)體層。式(2)括號中的第二項為附加絕緣影響項,表面相對介電常數(shù)與相對介電常數(shù)的關(guān)系為

式中:εr為相對介電常數(shù);d為附加絕緣的厚度。附加絕緣覆蓋在半導(dǎo)體防暈層表面,起到了一定的電容分流的作用。由式(2)、式(3)可知,附加絕緣的介電常數(shù)越大,厚度越大,則分流作用越大,改善電場的效果越明顯。但附加絕緣過厚,將占用主絕緣尺寸,使端部尺寸增大,減小斜邊間隙。附加絕緣對于防暈電場的影響,本文不做進一步探討。

在交流電壓作用下,主絕緣區(qū)控制方程為準(zhǔn)靜態(tài)時諧電場控制方程:

式中:σv為主絕緣的體積電導(dǎo)率,S/m;U為電位,V。

比較式(2)與式(4),兩者形式相似,但含義卻不同。首先是梯度和散度算符的意義不同,前者只針對邊界切向方向,后者針對整個求解域;其次是電導(dǎo)率與介電常數(shù)的含義和對象不同,前者為半導(dǎo)體層的表面電導(dǎo)率和附加絕緣的表面介電常數(shù),后者為主絕緣的體積電導(dǎo)率及其介電常數(shù);最后是兩者的源項不同,后者為拉普拉斯方程形式,源項為零,而前者的源項為法向電流密度,通過此源項,防暈層與主絕緣的電場得以耦合。

在線棒端部電場計算中,防暈層表面損耗為溫升產(chǎn)生的熱源,損耗密度公式為

2 算例分析

2.1 幾何模型及參數(shù)

以某大型發(fā)電機定子線棒為仿真對象,建立端部三維幾何模型見圖3。該線棒端部包含三段非線性防暈層:中阻層、中高阻層和高阻層。線棒截面為矩形,中阻區(qū)域有50°轉(zhuǎn)角,中高阻和高阻區(qū)域均為直線,曲線a、b分別為轉(zhuǎn)角外側(cè)棱線和轉(zhuǎn)角內(nèi)側(cè)棱線。防暈層材料參數(shù)見表1,邊界條件見表2。

圖3 定子線棒端部幾何模型

表1 防暈層材料參數(shù)

表2 模型邊界條件

2.2 計算結(jié)果及分析

2.2.1 電位及電場分布

圖3為1~3UN下,防暈區(qū)域轉(zhuǎn)角內(nèi)、外側(cè)(圖3中曲線a、b)的電位分布曲線。轉(zhuǎn)角內(nèi)側(cè)的尺寸小于外側(cè),所以電位上升位置更靠近防暈始端。額定電壓下,電壓最高值出現(xiàn)在整個防暈區(qū)中部,隨著額定電壓的升高,最高電壓向防暈?zāi)┒艘苿印楸WC防暈區(qū)域能經(jīng)受多倍額定電壓的考驗,防暈帶的阻值通常按3倍或更高的額定電壓來計算,所以要偏高一些。在表面電位測量試驗中,電位變化的趨勢通常包括升高、凸起、穩(wěn)定三個階段,計算與試驗的趨勢一致。

圖4 不同電壓下電位分布

不同額定電壓下的防暈區(qū)場強分布見圖5。額定電壓下,最大場強出現(xiàn)在中阻和中高阻交界處,而在中高阻與高阻交界處的場強較小,原因是額定電壓下此處電位分布較為平緩。在高倍額定電壓情況下,最大場強出現(xiàn)在中高阻和高阻交界處,場強也隨電壓的升高向高阻區(qū)移動。由于防暈材料的非線性特性,最大場強的增幅要小于電壓的增幅。從圖5可以看出,從2UN到3UN,電壓增加50%,而最大場強僅增加33%。

圖5 不同電壓下電場分布

2.2.2 損耗密度分布

在耐壓及電老化時,防暈層常因產(chǎn)生的高溫而受到破壞。防暈層的表面溫度與其損耗密度密切相關(guān),圖6顯示了不同額定電壓下轉(zhuǎn)角內(nèi)外側(cè)的表面損耗密度。轉(zhuǎn)角內(nèi)側(cè)的表面損耗密度較大,為轉(zhuǎn)角外側(cè)的 2倍甚至數(shù)倍。由于槽口處的表面電流較大,在防暈前段的損耗密度較高,最高值一般出現(xiàn)在中低阻交界處。電場對損耗密度的影響明顯,損耗密度的增幅較大,約為電壓增幅的2倍多。從圖6可以看出,從1UN到2UN,電壓增加 100%,而最大損耗密度增加 275%;從2UN到3UN,電壓增加50%,而最大損耗密度增加121%。

圖6 不同電壓下的表面損耗密度分布

在轉(zhuǎn)角附近,相同截面上各點的損耗密度是不同的,甚至差別很大。圖7顯示了3UN下轉(zhuǎn)角附近的損耗密度云圖,最大值出現(xiàn)在中低阻交界面的轉(zhuǎn)角內(nèi)側(cè)棱線附近。圖8為某線棒在3倍電老化試驗中出現(xiàn)局部燒傷現(xiàn)象,部位正在轉(zhuǎn)角內(nèi)側(cè)棱角處。燒損部分位于窄邊而不在寬邊的原因,可能是由于在高溫條件下,上表面比側(cè)面的空氣對流散熱作用更為顯著。

圖7 3UN下防暈層損耗密度云圖

圖8 線棒在電老化試驗中的熱損傷

2.3 計算方法的驗證

通常采用靜電電壓表法和補償法進行表面電位測量。靜電電壓表法測量中,由于電極間電容及裸銅線雜散電容等的影響,測量結(jié)果偏低,誤差較大,甚至達到35%以上[12]。相位補償法測量較為精確,缺點是使用設(shè)備多(要兩臺高壓變壓器,一臺移位器等),操作較為繁瑣,誤差因素較多。為了驗證本文計算方法,根據(jù)文獻[4]編制了阻容鏈方法的計算程序,并與本文有限元計算方法進行了比較,結(jié)果見圖9。

圖9 兩種計算方法的比較

兩種計算方法的電位分布趨勢一致,差別很小,場強各極值點基本吻合。本文方法與阻容鏈方法相比,最大場強僅相差1.81%,說明本文的有限元方法的計算結(jié)果正確,可滿足工程上對防暈設(shè)計的要求。

3 結(jié)論

(1)建立了不包含空氣區(qū)域的線棒端部防暈層電場分布的有限元模型,大幅提高了求解效率和準(zhǔn)確率,可對三維電場及熱場分布進行定位分析,為進一步防暈優(yōu)化設(shè)計的分析提供基礎(chǔ)。

(2)隨著電壓升高,由于高阻層的分壓作用加強,端部防暈層的表面電位、場強和表面損耗密度峰值分布均出現(xiàn)向防暈?zāi)┒艘苿蝇F(xiàn)象。

(3)對于防暈覆蓋線棒轉(zhuǎn)角的結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)角內(nèi)側(cè)的損耗密度明顯大于外側(cè),最大值一般出現(xiàn)在中低阻交界面的內(nèi)側(cè)棱角處。

(4)通過電老化試驗和阻容鏈方法對比,對本文防暈層電場分布的有限元方法進行了試驗及理論驗證,說明了此方法的正確性。本文方法還對存在表面電阻率的有限元電場計算提供了求解思路。

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