科銳推出S波段GaN器件，實現(xiàn)雷達應用的效率最大化

科銳公司宣布推出可適用于軍用和商用S波段雷達中的高效GaN HEMT晶體管。新型S波段GaN HEMT晶體管的額定功率為60W，頻率為 3．1～3．5 GHz之間，與傳統(tǒng)Si或 GaAsMESFET器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率（接近70%）。同時，高效率和高功率密度的結合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達系統(tǒng)應用中的尺寸與重量。

科銳 CGH35060 GaN HEMT晶體管28 V工作電壓下的額定脈沖功率為 60W（當脈寬為100μs時），功率增益為12 dB，漏極效率為65%，與傳統(tǒng)硅LDMOS器件相比高出50%。CGH35060型GaN器件已經(jīng)在高功率放大器參考設計（S波段頻率在3．1～3．5 GHz之間）中得到驗證。與 GaAs和 Si技術相比，CGH35060還具有長脈沖、高功率性能（低于 0．6 dB）、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

新型GaN HEMT晶體管與科銳S波段全套產品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT器件（2．7～2．9 GHz/3．1～3．5 GHz）以及 CMPA2735075F 兩級封裝 GaN HEMT 單片式微波集成電路（MMIC）。