宏力半導體宣布成功建立國內首個0.18 μm

上海宏力半導體制造有限公司（以下簡稱“宏力半導體”），專注于差異化技術的半導體制造領先企業，宣布成功建立國內首個0.18 μm“超低漏電”(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存工藝平臺。

0.18 μm“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺由宏力半導體自主開發完成。此次推出的“超低漏電”工藝平臺在宏力半導體現有的0.18 μm“低功耗”（Low-Power，LP）工藝平臺上實現了進一步技術提升，其N/P晶體管在1.8 V操作電壓下可分別輸出與“低功耗”工藝等同的525/205 μA/μm驅動電流，但其N/P管靜態漏電分別僅為0.6 pA/μm和0.2 pA/μm，達到業界領先水平。

0.18 μm“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺生產的芯片具有超低漏電(小于1pA/μm)、靜態功耗低的特點，在電池容量有限的情況下能夠提供更長的待機時間。基于該平臺生產的低功耗微控制器（MCU）、觸摸屏控制芯片（TouchPanelController）主要適用于平板電腦、數碼相機和手機等手持式便攜設備。