瑞薩推出導通電阻僅為150MΩ的600V耐壓超結MOSFET

瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150 mΩ（柵源間電壓為10V 時的標稱值） 的600 V 耐壓超結型功率MOSFET“RJL60S5 系列”，將從2012年9 月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情況下，降低導通電阻的功率MOSFET 的元件構造。雖然其他競爭公司已經推出了采用這種構造的功率MOSFET，但據瑞薩電子介紹，“RJL60S5系列”在600 V 耐壓產品中實現了業界最小水平的導通電阻。馬達驅動電路和逆變器等采用RJL60S5 系列功率MOSFET 后，可以降低功耗，該產品主要面向空調等家電產品。

RJL60S5 系列的柵源間電壓為±30 V，額定漏電流為20 A。漏源間電壓為25 V 時，反饋電容為13 pF（標稱值）。柵源間閾值電壓的最小值為3 V，最大值為5 V。內置快恢復二極管（FRD：Fast Recovery Diode），FRD 的正向電壓為0.96 V。該產品將FRD 的反向恢復時間縮短至150 ns，約相當于瑞薩原來的SJ 型功率MOSFET 的約1/3，因此還可應用于高速電動機驅動用途。

RJL60S5 系列備有3 種封裝的產品，分別是采用TO-220EP 封裝的“RJL60S5DPP”， 采用TO-3PSG 封裝的“RJL60S5DPK”，以及采用LDPAK封裝的“RJL60S5DPE”。三款產品的樣品價格均為200 日元，將從2012 年12 月開始量產，量產規模方面，預定截至2013 年3 月達到月產50 萬個。

研究人員說，這種技術目前只能在低溫環境下工作，還需進一步完善，以滿足在室溫條件下工作的要求。此外，還希望制造出可產生白色光的OLED。