富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件滿足高效電源單元供應(yīng)市場需求

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 （GaN）功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5 kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。

與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富士通半導(dǎo)體自2009年起就在開發(fā)批量生產(chǎn)技術(shù)。此外，富士通半導(dǎo)體自2011年起開始向特定電源相關(guān)合作伙伴提供GaN功率器件樣品，并對之進(jìn)行優(yōu)化，以便應(yīng)用在電源單元中。