富士通半導體明年計劃量產氮化鎵功率器件滿足高效電源單元供應市場需求

富士通半導體（上海）有限公司宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 （GaN）功率器件的服務器電源單元成功實現2.5 kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。

與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現低成本生產。按照此目標，富士通半導體自2009年起就在開發批量生產技術。此外，富士通半導體自2011年起開始向特定電源相關合作伙伴提供GaN功率器件樣品，并對之進行優化，以便應用在電源單元中。