Vishay推出采用業(yè)內最小芯片級MICRO FOOT?封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出采用業(yè)內最小0.8×0.8×0.4 mm MICRO FOOT?封裝的 CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內最低導通電阻的新款12 V和20 V的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。

此次發(fā)布的器件將用于智能手機、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產品的電源管理應用中的電池或負載開關。MOSFET的外形緊湊小巧，可節(jié)省PCB空間并實現超薄的外形，使便攜式電子產品變得更薄、更輕，低導通電阻可實現更低的傳導損耗，以減少功耗并延長電池壽命。器件的低導通電阻還可以降低負載開關上的壓降，避免討厭的欠壓鎖定。

這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的產品，采用超高密度技術制造，使用自對齊工藝技術，將10億個晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過MICROFOOT的無封裝CSP技術，使器件在給定的外形面積內實現了盡可能低的導通電阻。

12 V Si8806DB是P溝道器件，在4.5 V柵極驅動下的最大導通電阻為43 mΩ。如需要20 V電壓，Si8812DB提供59 mΩ的最大導通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉化器等高速開關應用，開啟/關斷時間小于100 ns。

20 V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉換器應用。更小的0.8×0.8×0.4 mm Si8817DB在4.5 V柵極驅動下的最大導通電阻為76 mΩ，可用于空間比導通電阻更重要的應用場合。1×1 mm的Si8489EDB在4.5 V的導通電阻更低，只有54 mΩ，適用于導通電阻更重要的應用。

Si8489EDB是首個1×1 mm規(guī)格尺寸的P溝道Gen III器件，典型ESD保護達2 500 V。此外，Si8817DB可以在1.5 V電壓下導通，可以搭配手持設備中常見的更低電壓柵極驅動和更低的總線電壓一起工作，節(jié)省電平轉換電路的空間和成本。