王蕾蕾,安合志,李 萍,張文輝
(1.武警工程大學研究生大隊,陜西西安 710086;2.武警工程大學通信工程系,陜西西安 710086)
早在20世紀30年代末,美國斯坦福大學學者R.D.Richtmyer從理論上證明了:未金屬化的高介電常數和低損耗的介質可作為微波電磁諧振器,稱之為介質諧振器(Dielectric Resonator,DR)。僅限于當時的工藝和技術水平,未研制出微波損耗較小的高介電常數的介質材料。直到1983年,S.A.Long等人的研究成果才表明,在選擇適當形狀、介電常數以及饋電方式的情況下,介質諧振器也可作為天線使用[1]。由于其不存在導體和表面波損耗且輻射效率高,近年來在無線通信領域顯示出潛在應用價值。
圓柱形介質諧振器通常采用損耗低、頻率溫度系數小、介質常數高的陶瓷材料,且其工作主要在微波頻段。為分析其頻率特性,首先孤立介質諧振器,默認邊界條件為z=0的平面上,Er=0,Eφ=0。
假設圓柱表面為理想磁壁,則沿z軸方向的TE和TM的方程可以寫成[2]

式中,c是真空中光速;Jn是第一類貝塞爾函數。
Jn(Xnp)=0,J'n(X'np)=0,n=1,2,3,…;m=1,2,3,…;p=1,2,3,…,

主模就是頻率最低的模式,即m=0,n=1,p=1,X'11=1.841其頻率計算公式為

計算主模等效磁面電流,主模的波方程為

由于饋電位置在φ=0°的面,所以上式中沒有正弦。切線電場由下式決定


頂面和底面電流為

在實際應用中,天線通常工作于TM110模,其諧振頻率公式為[3-4]

文中天線的基本結構如圖1所示。介質基板尺寸為L×W,上層厚度為b;下層厚度為上層的1/2;相對介電常數為εr;沿天線橫軸與縱軸方向在基板上層加載對稱U型槽,圓柱形介質諧振器垂直置于槽上,并采用微帶—槽耦合饋電機制。連接端口1的微帶線為對稱結構,連接端口2的微帶線采用不對稱結構,以此來降低耦合度。其中,U型槽的橫向槽長度為Lf;豎向槽長度為Wf;槽寬度為d;圓柱形介質諧振器的半徑為Rc;高度為 Hc。

圖1 天線基本結構圖
利用Ansoft HFSS 12軟件進行仿真,分析對稱型圓柱形介質諧振器微帶天線半徑Rc的變化對天線駐波的影響。Rc分別取2.7 mm、2.8 mm、2.9 mm和3.0 mm,仿真結果如圖2所示。

圖2 Rc對天線VSWR的影響
圖2中,虛線為2.7 mm、點線為2.8 mm、實線為2.9 mm、長虛線為3.0 mm。由圖2可知,隨著圓柱形介質諧振器半徑Rc的增加,端口1對應天線的諧振頻率接近線性降低,但VSWR<2帶寬變化不明顯。對于端口2而言,天線的低頻諧振點和高頻諧振點隨著圓柱形介質諧振器半徑Rc的增加略向左移,但高頻諧振點移動的速度明顯比低頻諧振點快。同時,低頻諧振點的駐波值基本無變化,而高頻諧振點的天線性能明顯改善。
利用Ansoft HFSS 12軟件進行仿真,分析對稱型圓柱形介質諧振器微帶天線高度Hc的變化對天線駐波的影響。Hc分別取3.8 mm、3.9 mm、4.0 mm 和4.1 mm,仿真結果如圖3所示。
圖3中,虛線為3.8 mm、點劃線為3.9 mm、實線為4.0 mm、長虛線為4.1 mm。由圖3可知,隨著圓柱形介質諧振器高度Hc的增加,端口1對應天線的諧振頻率略有降低,諧振點的駐波值呈先減小后增大的趨勢。端口2中,低頻諧振點的駐波值略有減小,高頻諧振點的駐波值略有增大,但整體變化并不明顯。此外與兩個端口相對應的、天線VSWR<2的帶寬均無明顯變化。

圖3 Hc對天線VSWR的影響
文中主要分析了影響天線性能的圓柱形介質諧振器的兩個重要參數,通過比對,可總結出變化規律:隨著圓柱形介質諧振器半徑Rc和高度Hc的增加,天線的諧振頻率均有所降低。這主要是因為Hc/Rc的比值發生變化,引起其他諧振模式造成干擾,從而導致天線的諧振頻率普遍降低。在實際應用中,大都要求諧振腔在一定的工作頻率范圍內只諧振于一種模式,因此在圓柱形介質諧振器設計時,應盡可能地消除干擾模的影響并保留所需要的模式。
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