胡孟春,馮璟華,周 剛,李忠寶,唐登攀,張建華,司粉妮,黃 雁
(中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所,四川 綿陽 621900)
有機(jī)閃爍體一般含有氫元素,含氫物質(zhì)對中子較敏感,比較適合于中子測量;無機(jī)閃爍體密度大,平均原子系數(shù)高,對γ、X射線有較大的阻止本領(lǐng),比較適合于γ測量。γ輻射探測器的抗中子干擾能力是判斷γ測量信號(hào)質(zhì)量的重要依據(jù)之一。γ輻射探測器在γ輻射靈敏度相同的情況下,對中子干擾輻射靈敏度越低的探測器抗中子干擾能力越強(qiáng);γ輻射探測器在中子干擾輻射靈敏度相同的情況下,對γ輻射靈敏度越高的探測器抗中子干擾能力越強(qiáng)。抗中子干擾能力越強(qiáng)的γ輻射探測器,在n、γ混合輻射場中,測量的γ輻射數(shù)據(jù)可靠性越高。在n、γ混合輻射場中近距離直接測量γ輻射時(shí),使用的探測器必須對γ輻射較靈敏而對中子相對不靈敏。CeF3[1-5]、YAP∶Ce[6-11]、LaCl3∶Ce[12-14]等均為新型快響應(yīng)無機(jī)晶體,這些無機(jī)閃爍體發(fā)光衰減時(shí)間短,近年越來越引起人們的關(guān)注,一些研究者對它們的發(fā)光衰減時(shí)間特性、發(fā)光產(chǎn)額、抗輻射特性等方面進(jìn)行了一些研究[1-14]。而這些新型無機(jī)閃爍體構(gòu)成探測器的抗中子干擾能力研究數(shù)據(jù)報(bào)道較少。由于中子與物質(zhì)作用總要形成γ,無機(jī)閃爍體對γ輻射靈敏而對中子輻射相對不靈敏,因而在中子場中對無機(jī)閃爍體的中子絕對靈敏度進(jìn)行精確標(biāo)定是很困難的。本工作目的是通過簡單的分析和推導(dǎo),使用新型無機(jī)晶體探測器,據(jù)此能夠應(yīng)用穩(wěn)態(tài)中子源和60Co放射性γ源,在不用測量測點(diǎn)注量率的情況下,也可以得到無機(jī)閃爍體抗中子干擾能力的數(shù)據(jù)。
γ輻射探測器的抗中子干擾能力Kn,可以用探測器對應(yīng)γ輻射的靈敏度Sγ與對應(yīng)中子輻射的靈敏度Sn的比值來表征[15-17]:

如果能夠直接得到探測器對應(yīng)γ輻射的靈敏度和對應(yīng)中子輻射的靈敏度,應(yīng)用式(1)就可以得到探測器的抗中子干擾能力數(shù)據(jù)。
穩(wěn)態(tài)輻射源標(biāo)定法是實(shí)驗(yàn)測定閃爍探測器對輻射靈敏度的一種較簡單的方法。對于電流輸出型探測器,單能穩(wěn)態(tài)源情況下,探測器的靈敏度可以直接用探測器輸出電流I與探測器位置處引起探測器電流輸出的輻射粒子注量率φ的比值來表示[15-17]即:

將探測器放置在輻射場中,直接測量I和φ,應(yīng)用式(2)計(jì)算就可以得到探測器對輻射的靈敏度。離源點(diǎn)距離L處的注量率φ也可以按式(3)計(jì)算得到:

其中,源的強(qiáng)度J是通過監(jiān)測測量得到,如果是放射性源也可以根據(jù)出廠源的活度推算出來,該方法適用單能穩(wěn)態(tài)中子源和穩(wěn)態(tài)γ源情況的靈敏度標(biāo)定。
由上面測量原理分析初步來看:在單能輻射源的情況下,穩(wěn)態(tài)源應(yīng)用式(2)和式(3),就可以得到探測器對γ輻射的靈敏度Sγ或者對中子輻射的靈敏度Sn,結(jié)合式(1)就能夠得到γ輻射探測器的抗中子干擾能力Kn。但實(shí)際應(yīng)用時(shí),穩(wěn)態(tài)情況下需要準(zhǔn)確知道測點(diǎn)的輻射粒子注量率φ或輻射源的強(qiáng)度J。對于穩(wěn)態(tài)γ輻射源來說這些比較容易實(shí)現(xiàn),而對穩(wěn)態(tài)中子輻射就相對比較難,因?yàn)橹凶优c物質(zhì)作用常常伴隨著γ產(chǎn)生,探測器的電流輸出中除了中子源直接作用的貢獻(xiàn)外,還有這些伴隨γ等本底輻射引起的電流貢獻(xiàn)。一般情況下無機(jī)閃爍體對γ輻射相對靈敏而對中子輻射相對不靈敏,如果不采取措施直接測量,在無機(jī)閃爍探測器測量中子源的電流輸出中,中子引起的貢獻(xiàn)反而可能比例小一些,這樣應(yīng)用上面公式得到的無機(jī)閃爍體的中子靈敏度不確定度就會(huì)很大,由此得到的探測器抗中子干擾能力數(shù)據(jù)也就很難有實(shí)際參考價(jià)值。
應(yīng)用一個(gè)已刻度好的基準(zhǔn)探測器,基準(zhǔn)探測器的抗中子干擾能力、對應(yīng)γ輻射和中子輻射的靈敏度分別為 Kn0、Sγ0、Sn0。根據(jù)式(1)同樣可以有下面關(guān)系


結(jié)合式(1)~式(4)可以得到:就可以得到Kn。
根據(jù)式(2)和式(3)可以得到:

S0、I0、L0分別為作為基準(zhǔn)的探測器靈敏度、輸出電流和測點(diǎn)至源中心的距離,S、I、L分別為被測探測器靈敏度、輸出電流和測點(diǎn)至源中心的距離。實(shí)際測量中,一般可以將兩探測器放在離源中心相同位置處,這樣L0=L,進(jìn)入兩個(gè)探測器的輻射注量率也應(yīng)當(dāng)是相同的。如果光電倍增管特性也幾乎相同(或相對靈敏度已刻度好),通過比較兩探測器扣除本底后的電流輸出就可以得到無機(jī)閃爍體探測器相對基準(zhǔn)閃爍體探測器的相對靈敏度。這樣式(6)可以變?yōu)?/p>

因此,在上述條件下,不用測量測點(diǎn)注量率,直接采用式(7)的電流比較法,就能夠用穩(wěn)態(tài)輻射源測量獲取,從而根據(jù)式(4)和式(5)得到被測無機(jī)閃爍體探測器的抗中子干擾能力。
根據(jù)式(2)和式(3),在60Co或137Csγ 放射源場中,用電流法能夠從實(shí)驗(yàn)中直接測得約為0.55[1-5],由于ST401塑料閃爍對中子相對靈敏,根據(jù)式(2)、式(3)和式(4)應(yīng)用60Coγ 放射源和 DT(14 MeV)中子源,用電流法可以從實(shí)驗(yàn)中直接測得Kn0約為1/4[15-17]。
本測量在中國原子能研究院國防科工委放射性計(jì)量一級站5SDH2型加速器中子源場中進(jìn)行[4],基準(zhǔn)探測器的閃爍體是ST401,尺寸為φ50mm×10mm,被測探測器閃爍體是CeF3,尺寸為φ45mm×10mm,光電器件為同一T5型光電倍增管,探測器離源位置完全相同。采用影錐法測量CeF3閃爍體構(gòu)成的閃爍探測器信噪比約為6,ST401閃爍體構(gòu)成閃爍探測器的信噪比大于16。表1是對能量為14 MeV中子下,測量得到的兩探測器扣除本底后的電流凈輸出數(shù)據(jù)。

表1 CeF3和ST401兩探測器扣除本底后的電流凈輸出數(shù)據(jù)
根據(jù)式(5)和表1及5.1節(jié)數(shù)據(jù),可以得到,穩(wěn)態(tài)電流法測量的CeF3閃爍探測器抗14 MeV中子干擾能力:

在無機(jī)閃爍體對中子的絕對靈敏度很難精確標(biāo)定的情況下,采用本文介紹的穩(wěn)態(tài)源電流法,不用測量測點(diǎn)注量率,就可以初步評估無機(jī)閃爍探測器抗中子干擾能力,該結(jié)果對于n、γ混合場中測量γ輻射的情況,可以為評估應(yīng)用無機(jī)閃爍體探測器的n、γ分辨能力、信噪比提供直接的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)依據(jù)。
[1]胡孟春,葉文英,周殿忠,等.CeF3閃爍探測器對DD中子的相對靈敏度 [J].強(qiáng)激光與粒子束,2003,15(7):721-724.
[2]胡孟春,葉文英,彭太平,等.一種對中子相對不靈敏的大動(dòng)態(tài)脈沖γ輻射探測器 [J].高能物理與核物理,2003,27(4):354-358.
[3]胡孟春,李忠寶,唐章奎,等.脈沖DT中子場中的CeF3、ST401閃爍探測器輸出比對[J].人工晶體學(xué)報(bào),2005,34(2):380-383.
[4]胡孟春.CeF3閃爍探測器對五種能量中子的甄別能力研究[J].人工晶體學(xué)報(bào),2005,34(3):514-518.
[5]胡孟春.脈沖DT中子場中的CeF3、ST401閃爍探測器輸出比對[J].人工晶體學(xué)報(bào),2005,34(2):380-383.
[6]Moszynski M,Kapusta M,Wolski D.Properties of the YAP:Ce scintillator[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research,1998,404(1):157-165.
[7]Belogurov S,Bressi G,Carugno G.Properties of Yb-doped scintillators:YAG,YAP,LuAG[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research,2004,516(1):58-67.
[8]胡孟春.國產(chǎn)YAP:Ce閃爍晶體的相對探測能力測量[J].人工晶體學(xué)報(bào),2008,37(6):1458-1461.
[9]張建華,彭太平,胡孟春,等.YAP:Ce閃爍晶體的光致激發(fā)熒光衰減常數(shù)測量[J].人工晶體學(xué)報(bào),2006,35(5):1057-1060.
[10]張建華,張傳飛,胡孟春,等.YAP:Ce閃爍探測器的γ射線靈敏度研究[J].核電子學(xué)與探測技術(shù),2005,25(2):200-203.
[11]李忠寶,胡孟春,周剛,等.Ce:YAP無機(jī)閃爍體光致激發(fā)時(shí)間性能測量[C]//全國核儀器應(yīng)用核探測技術(shù)核測量方法學(xué)術(shù)會(huì)議論文集.貴州:2007:186-188.
[12]Andriessen J, Antonyak O T,Dorenbos P,et al.Experimental and theoretical study of spectroscopic properties of Ce3+doped LaCl3single crystals[J].Optics Communications,2000,178(4-6):355-363.
[13]Higgins W M,Glido J,Loef E V,et al.Bridgman growth of LaBr3:Ce and LaCl3:Ce crystals for high-resolution gamma-ray spectrometers[J].Journal of Crystal Growth,2006,287(2):239-242.
[14]胡孟春.國產(chǎn)快響應(yīng)無機(jī)閃爍體LaCl3:Ce探測能力測量[C]//四川省核學(xué)會(huì)核電子學(xué)與和探測器專委會(huì).廣安:2007:83-86.
[15]汲長松.核輻射探測器及其實(shí)驗(yàn)技術(shù)手冊[M].北京:原子能出版社,1990:293-295.
[16]阿利比科夫A.脈沖電離輻射探測器[M].北京:原子能出版社,1983:90-97.
[17]劉慶兆.脈沖輻射場診斷技術(shù) [M].北京:科學(xué)出版社,1994:109-125.