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無楔塊條件下超聲相控陣的聚焦特性測試

2012-07-24 07:01:24劉曉睿強天鵬鄔冠華孫忠波
無損檢測 2012年3期
關鍵詞:晶片設置深度

劉曉睿,強天鵬,鄔冠華,孫忠波,肖 雄,鄭 凱

(1.南昌航空大學 無損檢測技術教育部重點實驗室,南昌 330063;2.江蘇省特種設備安全監督檢驗研究院,南京 210003;3.天津誠信達金屬檢測有限公司,天津 300384;4.江蘇中特創業設備檢測有限公司,南京 210014)

1 相控陣聚焦原理

聲束偏轉和聚焦是超聲相控陣區別于常規超聲的兩個重要特性。所謂“聲束聚焦”是指由于各個晶片距離焦點的聲程不同,通過延時法則改變晶片的激發時間——距離焦點遠的晶片先發射信號,距離焦點近的晶片后發射信號——可使各個晶片發射的信號同時到達焦點,在一個小區域形成一個高強度聲場。假設晶片間的距離為p,聚焦深度為F,介質中的聲速為c,則各個晶片的延時時間為:

式中n為晶片序號;t0是為了防止出現一個負的延時時間而設置的時間常數。

2 無楔塊條件下相控陣聚焦能力測試

試驗使用的儀器是Olympus公司的OmniScan MX 32:128便攜式相控陣檢測儀,利用TomoView軟件作數據判讀。采用的探頭是5L64A2,共有64個晶片,晶片間的距離(pitch)為0.6mm。采用的試塊是ASTM E2491—2008《相控陣超聲波檢查儀和系統工作特性評定指南》標準附錄中的圖A1.1所示的試塊,試塊中橫孔為φ2mm×25mm,相鄰孔深度和水平間距均為5mm。試驗激發的晶片數為8,16,32個,設置的聚焦法則為:聚焦深度10,30,50,100,150和200mm。

試驗條件基于ASTM E2491標準的附錄1,測試相控陣的偏轉和聚焦能力,在掃查上使用帶編碼器線掃。試塊及掃查示意見圖1。

采用不同激發晶片數和不同聚焦深度,得到的回波信號聚焦情況見圖2~4。

在Tomoview軟件中以-6dB的方式對孔徑進行測量,對于那些由于深度較淺或者波幅較低,用6dB法無法準確測量的結果,用“不可分辨”表示。各個掃查圖像測量后結果見表1~3。

超聲波束聚焦特性與近場有關,分析相控陣聚焦特性就需要知道其近場長度。相控陣探頭晶片陣列為矩形,其近場長度由下式給出[1]:

表1 激發8晶片時在不同聚焦深度下不同孔深的測量孔徑

表2 激發16晶片時在不同聚焦深度下不同孔深的測量孔徑

式中 k矩形——近場修正系數(圖5);

L——探頭長度,mm;

W——探頭寬度,mm;

f——頻率,MHz;

v——試件聲速,mm/μs。

圖5 矩形探頭的近場修正系數

表3 激發32晶片時在不同聚焦深度下不同孔深的測量孔徑

根據公式計算激發8,16和32個晶片時近場區長度,分別為5.19,28.39,79mm。

表4將試驗中測得的最小孔徑數值記為“實測焦點尺寸”;將測量孔徑值不大于2倍實際孔徑(即≤4mm)的聲程范圍記在“有效聚焦范圍”的括號前,將測量孔徑值不大于3倍實際孔徑(即≤6mm)的聲程范圍記在“有效聚焦范圍”的括號內,將以上各表檢測結果總結后得到表4。

表4 不裝楔塊情況下相控陣聚焦能力測試結果

由聚焦聲束焦點處的聲壓公式P=πNP0/F(其中P為焦點處聲壓;N為近場區長度;P0為波源處聲壓;F為焦距)。可知,在大于近場區長度N的深度無法聚焦。上面的分析結果與相控陣探頭的聚焦試驗結果相符,即聚焦只能發生在孔徑的近場區內。

從表4中可以看出,實測最小焦點的深度與設置的聚焦深度并不一致,實測最小焦點的深度總是小于設置的聚焦深度。但是實測有效聚焦范圍(即測量孔徑值不大于2倍實際孔徑的聲程范圍)與設置的聚焦深度是一致的。因此應用相控陣聚焦特性時,不應以最小焦點的深度值,而應以有效聚焦范圍作為聚焦深度(焦距)指標。

從表1~4的數據可以看出,如果用最小焦點尺寸、有效聚焦范圍、有效聚焦的深度范圍3項指標衡量相控陣聚焦特性,則激發晶片數量越多,聚焦特性越好。

(1)最小焦點尺寸 該尺寸隨激發晶片數量的增加而減小。激發8晶片的最小焦點為1.5mm;16晶片的最小焦點為1.4mm;32晶片的最小焦點為0.8mm。

(2)有效聚焦范圍 該范圍隨激發晶片數量的增加而增大。激發8晶片的有效聚焦范圍約為10(20)mm;16晶片的有效聚焦范圍約為10~35(10~50)mm;32晶片的有效聚焦范圍約為10~35(10~60)mm。

(3)有效聚焦的深度(焦距)該距離隨激發晶片數量的增加而增大。激發8晶片的有效聚焦深度范圍約為5~15(5~25)mm;16晶片的有效聚焦深度范圍約為10~50(5~55)mm;32晶片的有效聚焦范圍約為10~85(5~105)mm。

從表1~3的數據可以看出,激發晶片數量增加對近表面區域聚焦有不利影響。僅在激發8晶片時,可實現深度5mm孔的聚焦,而其他大都無法識別。為了實現近表面區域的聚焦,應在設置小聚焦深度的同時減少激發晶片的數量。

從表4中可以看出,晶片數量不變的情況下,設置的聚焦深度越小,實測焦點尺寸也越小,但有效聚焦的深度范圍同時減小,且有效聚焦的深度范圍以外的聲場發散度增大。為保證足夠大的有效聚焦范圍,聚焦深度不宜設置過小。另一方面,如果設置的聚焦深度超過近場,相控陣聲場的聚焦效果將變得不明顯。

3 結論

(1)試驗表明,不加裝楔塊的相控陣縱波聲場,在近場區內表現出了明顯聚焦的現象;在超過近場區長度的地方,無法實現聚焦。

(2)隨著激發晶片數量的增加,相控陣聲場的聚焦能力變強,有效聚焦范圍變大,有效聚焦深度也變大。

(3)在近場區內,焦點尺寸隨設置的聚焦深度的增加而增大。

(4)晶片數量增加對近表面區域聚焦不利,欲實現近表面區域聚焦,應采用較少晶片數量。

[1]Michael D,Moles C.Introduction to Phased Array Ultrasonic Technology Applications[M].Quebec:Olympus,2004:50-51.

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