LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND閃存技術的SSD

LSI SandForce SF-2000閃存存儲處理器可加速業界最先進閃存介質的性能，并使可靠性實現最大化

北京2012年6月5日電/美通社亞洲/--在2012臺北國際電腦展上，LSI公司 (紐約證交所股票代碼：LSI)宣布演示其備受贊譽的存儲處理器 (FSP)，該產品采用 Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND閃存--目前SSD應用中所使用的最先進閃存技術。這些前沿的技術將于本周舉行的2012年臺北國際電腦展上進行互動演示。

LSI SandForce FSP可為NAND閃存固態硬盤(SSD)提供同類最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現有的產品證明，LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場推出成本更低的SSD產品，還可以加速閃存存儲在云計算、企業和客戶端應用中的廣泛普及。到2015年SSD產品在客戶端和企業市場領域的出貨量將超過1億，與2011年相比出貨量增長56%。

SSD目標分析師Jim Handy指出：“SSD用戶都希望從領先的閃存技術中獲得巨大的成本優勢，但大部分SSD控制器都無法管理最先進和成本最低的閃存芯片的復雜性。通過支持最小的NAND工藝，LSI將幫助OEM廠商和終端用戶在云計算、企業和客戶端等I/O密集型和基本數據存儲應用中部署最具成本效益的閃存存儲處理器。”

隨著閃存存儲器的尺寸不斷縮小，引入最先進的錯誤校驗功能已成為當務之急。這是因為獨立單元已很難維持一定荷質比，這會降低閃存器件的可靠性、數據完整性和數據保留特性。為了優化19nm和20nm閃存存儲的可靠性和耐用性，LSI的 Sand-Force SF-2000 FSP在512字節扇區內可校正多達55位錯誤，也成為業界首款可同時支持企業和客戶端市場的處理器。LSI SandForce產品包括一個獨特的糾錯引擎，盡管當今和未來先進NAND閃存技術對閃存錯誤校驗功能的要求不斷變化和提高，但是該引擎憑借其獨特的設計完全可以應對這些挑戰。

LSI閃存組件部副總裁兼總經理 Michael Raam指出：“與 6家NAND閃存技術領先制造商開展合作，使我們能夠針對不斷縮小的芯片尺寸對閃存處理器進行優化。SSD已經具備云計算和財富1000企業中關鍵任務型計算環境所需的卓越可靠性，使用壽命和功效，并且隨著用戶越來越認可這些屬性，我們期望繼續看到SSD技術被廣泛采用。”

為了滿足客戶對小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求，LSI Sand-Force FSP采用了高級NAND閃存管理技術。

DuraClass管理特性包括：

●DuraWriteTM：優化閃存的程序周期數量，有效地提高閃存耐用性。

●RAISETM（獨立芯片冗余陣列）：驅動器可靠性得到大幅提高，可實現單驅動解決方案、RAID式的保護及恢復功能。

●高級耗損平衡和監視：最佳耗損平衡算法可進一步增強閃存耐用性。

●反復循環器：智能地執行“垃圾收集”操作，清除無效數據，使閃存耐用性影響最小化。