我國研究出可在單層氧化石墨烯上直接繪制納米器件技術

近日，中國科學技術大學合肥微尺度國家實驗室王曉平研究組、羅毅研究組采用新的方法和工藝，成功實現了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件，為石墨烯技術與大規模集成電路相融合提供了新的可能。

據其研發人員介紹說，他們采用一種全新的設計思路，首先在絕緣的氧化石墨烯上通過局域還原反應，直接制備導電的納米線路并構筑成晶體管和互聯電路。然后，利用表面鍍鉑的原子力針尖的局域催化作用，在氫氣環境下將氧化石墨烯加熱到100℃左右，制備出最小寬度僅20納米的還原石墨烯條帶，其電導率超過10的四次方每米西門子，比普通氧化石墨烯提高了100萬倍。最后，利用該方法，成功演示了納米互聯電路和場效應晶體管器件。測試結果表明，其性能明顯優于目前常用的導電聚合物和非晶硅場效應管器件。