Vishay大幅擴充E系列650 V N溝道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE）宣布，其E系列器件新增650 V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10 V下的導(dǎo)通電阻擴展到30～600 mΩ，將最高電流等級擴大為6～105 A。650 V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，針對可再生能源、工業(yè)、照明、電信、消費和計算市場中對輸入電壓安全裕量有額外要求的應(yīng)用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標。

今天推出的器件使E系列的器件總數(shù)達到26個。所有E系列器件都具有超低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，可實現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，可在功率因數(shù)校正、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源（UPS）、電池充電器、LED照明、半導(dǎo)體制造設(shè)備、適配器和太陽能逆變器等高功率、高性能開關(guān)電源中節(jié)省能源。

器件針對雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設(shè)計，通過100%的UIS測試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。