納米級(jí)ta—C薄膜對(duì)二次電子發(fā)射抑制的研究

摘 要：二次電子倍增引起的微放電效應(yīng)已經(jīng)成為制約空間通信技術(shù)發(fā)展的重要因素。提出采用納米級(jí)四面體非晶碳（ta-C）薄膜抑制二次電子發(fā)射的新方法，研究了在鍍銀鋁基材料上制備ta-C薄膜的工藝，以及薄膜中sp2鍵的含量以及薄膜的厚度對(duì)二次電子發(fā)射系數(shù)的影響。研究結(jié)果表明，涂層后的二次電子發(fā)射系數(shù)減小了35%；且當(dāng)薄膜厚度超過5 nm，二次電子發(fā)射系數(shù)顯著降低，當(dāng)厚度大于10 nm，二次電子發(fā)射系數(shù)會(huì)增加，分析主要原因是薄膜厚度在5～10 nm時(shí)，sp2鍵的含量較大，呈現(xiàn)出石墨的弱二次電子發(fā)射特性，研究結(jié)果表明，ta-C薄膜可以較好地起到抑制二次電子作用。

關(guān)鍵詞：ta-C薄膜； 二次電子倍增放電； 抑制二次電子發(fā)射； 過濾陰極真空電弧