劉勇軍,楊選成
(中山市中等專業學校,中山528458)
MDK 軟件在模擬仿真時,不能很好地支持各種STM32系列芯片,目前對STM32F103系列芯片支持模擬仿真,但對于其他系列芯片不支持或只是部分支持。主要存在的問題是:PC和SP不能自動裝載,存儲器不能訪問,中斷服務程序不能執行或觸發,外設寄存器不能修改或觀察。要解決上述問題,必須通過相應的設置和相關的操作,才能完成模擬仿真。
在MDK 軟件中,只有部分STM32芯片支持模擬仿真(如STM32F103),大部分芯片都不支持模擬仿真。主要的問題是,當進入調試界面后,R15 (PC)的值為0x00000000,不能進行調試操作(如單步、全速等)。要能對STM32進行模擬仿真,必須使PC的值不能為0。通過分析STM32 芯片的存儲器結構可知,在存儲器地址0x00000000處保存的是堆棧指針SP的值,程序加載時自動把該值送給SP,在存儲器地址0x00000004處保存的是程序指針PC的值,程序加載時自動把該值送給PC,程序從該PC值取指令執行程序,而不是從地址0x00000000處執行程序。而STM32芯片的Flash程序存儲器地址是從0x08000000處開始的,當進入模擬仿真時,MDK 軟件不能把Flash的地址送給PC 和SP。可通過以下操作步驟完成PC和SP的自動裝載。
①打開MDK 自帶的工程文件,如C:\Keil\ARM\Boards\ST\STM3240G-EVAL\Blinky\Blinky.uvproj。
②單擊“編譯”工具欄上面的下拉菜單,選擇“STM32F407Flash”。
③單擊 ,打開“Options”對話框,切換到“Output”選項卡,勾選“Debug Information”和“Browse Information”,用以產生調試信息。再切換到“Debug”選項卡,單擊“Use Simulator”,選擇模擬仿真,確保勾選“Load Application at Startup”,其他為默認設置。
④單擊 ,編譯程序,并保證編譯成功。
⑤單擊 ,開始調試,進入調試界面后,觀察“Registers”寄存器選項卡中的R15(PC)的值,如果值為0,則說明不能進行模擬仿真,“單步”調試等無效,須進行步驟⑥的操作,否則可不進行步驟⑥的操作。
⑥停止調試,再次單擊 ,打開“Options”對話框,切換到“Target”選項卡,將IROM1 的值[0x08000000,0x100000]修改為[0x0,0x100000],以使Flash的起始地址從0x0開始。單擊 重新編譯程序,再次單擊 ,開始調試,PC的值將不再為0,即可進入模擬仿真,“單步”調試等有效。
當進入模擬仿真界面后,按“全速”F5 或“單步”F10調試鍵后,在“command”窗口中將會出現類似如下的錯誤提示:“***error 65:access violation at 0x40023800:no′read′permission”,意思是在地址0x40023800 處訪問違例,沒有“讀”的權限。地址0x40023800是外設寄存器地址。要使外設寄存器地址具有相應的“讀”、“寫”、“執行”權限,可在命令窗口中輸入MAP命令(不區分大小寫)。命令格式為:
MAP 起始地址,結束地址READ WRITE EXEC其中,READ表示“讀”權限,WRITE 表示“寫”權限,EXEC表示“執行”權限,結束地址與起始地址的空間尺寸不超過128 MB,即不超過0x08000000字節。外設寄存器的存儲空間分布較廣,不可能在每次調試時都通過命令窗口輸入MAP指令,可通過如下的操作步驟進行。
①新建一個文本文件,打開該文件,執行文件菜單命令“另存為”,在打開的“另存為”對話框中,文件名輸入為initmap.ini,保存類型選擇為“所有文件”,并保存。在文件中輸入如下內容并保存:

根據需要,可在該文件中輸入包含所有外設寄存器的MAP命令,使所有外設寄存器都具有“讀”、“寫”權限。但注意映射空間不要超過0x08000000,否則調試時會提示錯誤:“***error 129:MapMem-map size truncated to 128MB”。
②單擊 ,打開“Options”對話框,切換到“Debug”,在“Initialization File”的右邊單擊 ,打開“選擇仿真初始化文件”對話框,選擇上一步保存的initmap.ini文件。單擊“Edit”按扭,可打開文件再次修改。
當解決以上的兩個問題后,可以進行模擬仿真調試。但這時中斷服務程序不能執行,如系統定時中斷程序;或者不能觸發中斷,如不能自動觸發SPI中斷程序等。由于已經把Flash存儲器的起始地址調到了0x00000000 處,所以也需要把中斷向量偏移量地址設為0x00000000,即把SCB-﹥VTOR設為0。可通過如下方法解決。
①對于通過訪問SCB-﹥VTOR寄存器來修改中斷向量的,可通過“Edit”菜單命令中的“Find in Files”命令查找SCB-﹥VTOR,查找并修改宏定義FLASH_BASE 的值為0X00000000。
②如果不能通過以上的方法修改SCB-﹥VTOR,可以在進入仿真界面后,執行中斷程序前,選擇“Peripherals”→“Core Peripherals”→“Nested Vectored Interrupt Controller”命令,打開中斷向量對話框,修改VTO 的值為0x00000000。當然也可以通過如下的方法完成對外設寄存器SCB-﹥VTOR的修改,使它的值為0x00000000:當進入仿真后,在主函數main()前設置一個斷點,全速運行程序,程序在斷點處暫停執行,通過下節介紹的方法把外設寄存器SCB-﹥VTOR 添加到觀察窗口1,修改SCB-﹥VTOR外設寄存器的值,使它的值為0x00000000即可。
③對于SysTick定時器,可以自動觸發中斷,并執行中斷程序,但對于其他的中斷則不能自動觸發中斷。可按如下方法操作:在中斷程序中設一個斷點,并“全速”運行程序,通過選擇“Peripherals”→“Core Peripherals”→“Nested Vectored Interrupt Controller”命令,打開中斷向量對話框,單擊選擇相應的中斷,然后勾選Pending復選框,此時會自動執行相應的中斷服務程序,并在斷點處暫停執行程序。
在模擬仿真時,一般要對外設寄存器進行修改,有些外設寄存器可直接修改,有些外設寄存器不能直接修改,如只讀位不能直接修改。要實現對外設寄存器的修改,可通過如下的方法進行操作。
①對于要修改的寄存器,可通過鼠標選擇外設寄存器,如選擇RCC-﹥CR,然后再鼠標右鍵,彈出右鍵菜單,執行“Add‘RCC-﹥CR’to…”→“Watch 1”菜單命令,把RCC-﹥CR外設寄存器添加到觀察窗口1中,如下所示。

此時可在編輯框中修改該外設寄存器的值。當然也可在觀察窗口中,直接輸入外設寄存器的名稱“RCC-﹥CR”,但此種方法對某些芯片會失效。
②用以上方法也不能完成外設寄存器的修改時,可通過如下方法完成修改。停止仿真,單擊 ,打開“Options”對話框,切換到“Target”選項卡,確保特殊功能寄存器(sfr)文件已被添加。然后單擊的下拉箭頭,選擇并添加所要觀察的外設,如RCC等,可添加觀察多個外設。單擊添加的外設寄存器,可在下方顯示該外設寄存器的存儲器地址,如RCC-﹥CR外設寄存器的地址為0x40023800。最后再選擇“View”→“Memory Windows”→“Memory 1”打開存儲器觀察窗口,在地址欄中輸入地址“0x40023800”,按回車鍵確認輸入,在數據區雙擊數據可直接修改。STM32的存儲器采用小端模式,即低地址存放數據的低位,高地址存放數據的高位。在存儲器窗口中,可通過右鍵修改顯示方式。
目前最新的MDK 版本也未能解決在模擬仿真時出現的上述問題,通過本文介紹的方法則可以解決,這對于學習STM32,以及使用MDK 軟件都有一定的幫助。以上介紹的方法是一個全面的描述,不是所有的芯片都需要通過以上步驟來完成,有的只需要部分操作即可完成。