EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇

功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質的MOSFET已經應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。

宜普電源轉換公司（EPC）是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵（eGaN）場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優勢快速推廣其技術和產品，并于未來數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉換市場份額。

增強型氮化鎵（eGaN）場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優勢包括具有更高功率密度、更高電壓、更低漏電流及具備在更高溫度下工作的性能；具有卓越傳導性能，在相同導通阻抗下，器件尺寸更短小、更低電容等。該公司技術專家Michael de Rooij介紹，由于電容及電感影響開關速度，氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）的尺寸短小及其橫向結構可實現超低電容而同時使用LGA封裝使得器件具低電感，從而在速度、電壓過沖及振鈴方面取得開前所未有的開關性能。 器件并具零QRR 使得它在高頻下具較低損耗。氮化鎵場效應晶體管的開關性能可實現更高功率密度、更高頻、更精確開關及更高總線電壓。

該公司技術專家鄭正一對比了幾種材料的不同特點，eGaN FET的優勢是可推動全新性能的出現、易于使用、成本低及具高可靠性。該技術基于不昂貴的硅襯底，并使用現有的CMOS晶圓工藝，實現更少工藝步驟，整體的系統成本可更低且易于使用。碳化硅（SiC）器件是一種好材料，但目前它的成本較高。……