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葡萄糖氧化酶在水溶性CdTe量子點上的直接電化學研究

2015-04-27 03:12:10喻玖宏
分析測試學報 2015年2期

余 祎,喻玖宏

(武漢輕工大學 化學與環境工程學院,湖北 武漢 430023)

葡萄糖氧化酶在水溶性CdTe量子點上的直接電化學研究

余 祎,喻玖宏*

(武漢輕工大學 化學與環境工程學院,湖北 武漢 430023)

利用合成的CdTe量子點(QDs)作修飾材料,將葡萄糖氧化酶(GOD)固定在水溶性CdTe量子點表面,制備了葡萄糖氧化酶CdTe量子點修飾碳糊電極(GOD/CdTe/CPE),實現了GOD在電極表面的直接電化學。CdTe QDs能有效地加速葡萄糖氧化酶(GOD)與電極表面的直接電子轉移,電子傳遞效率比無QDs CdTe存在時提高約8倍;電子轉移速率常數(K)為0.14 s-1,傳遞系數(α)為0.60,GOD在GOD/CdTe/CPE表面的平均覆蓋量(Γ)為7.9×10-8mol/cm2。GOD/CdTe/CPE電極作為第三代葡萄糖電化學生物傳感器,成功應用于葡萄糖濃度的檢測,其線性范圍為0.050~0.32 mmol/L,檢出限為0.020 mmol/L。GOD/CdTe/CPE的制備方法簡單,穩定性強,具有優良的選擇性和重現性,且響應速度快。

CdTe量子點;葡萄糖氧化酶;電化學生物傳感器;循環伏安;直接電化學

近年來,在生物電化學領域,對蛋白質的電化學性質研究引起了廣泛的興趣和重視[1-2]。蛋白質的直接電化學研究,對于理解和認識其在生命體內的電子轉移機制和生理作用具有重要意義。對電極表面進行化學修飾,可以改善電極與蛋白質分子電活性中心之間的相互作用,從而實現蛋白質分子在電極表面的直接電子傳遞。

葡萄糖氧化酶(β-D-吡喃型葡萄糖脫氫酶,GOD)是食品工業和醫療診斷中常用的一種酶,同時在傳感器的研制方面也有許多相關報道[3-4]。高先娟等[5]采用殼聚糖-谷胱甘肽復合膜固定葡萄糖氧化酶構建電流型葡萄糖生物傳感器,發現殼聚糖-谷胱甘肽復合膜可以輔助電子傳遞,有效提高電極的電流響應。黃小梅等[6]制備了核-殼結構的TiO2@Pt復合納米顆粒,并成功修飾于恒電位沉積的普魯士藍-殼聚糖(PB-CS)雜化膜表面,得到的傳感器對葡萄糖有良好的催化作用。量子點是一種特殊的納米微粒,因其獨特的物化性質而得到廣泛應用。自Alivisatos小組和Nie小組[7-8]初步解決量子點(QDs)的水溶性以及生物相容性問題后,量子點在DNA及蛋白質標記、活體細胞染色和生物芯片等領域獲得廣泛應用[9-10]。將量子點應用于氧化還原蛋白直接電化學的研究也是當前研究熱點之一[8]。Wang等[11]將CdTe量子點(QD CdTe)固定在血清蛋白修飾玻碳電極上,結果顯示QD CdTe能夠促進電極與血清蛋白之間的直接電子傳遞。Lu等[12]將血紅蛋白(Hb)滴涂在用水溶性CdSe/ZnS量子點復合物薄膜修飾的玻碳電極表面,量子點膜上的Hb不僅能很好地保持其生物活性,而且在CdSe/ZnS的作用下,Hb能夠在電極表面發生直接電子傳遞。

本文將GOD固定在水溶性CdTe量子點表面,制成碳糊修飾電極,基于納米CdTe量子點對蛋白質的高固載率、高催化活性,研究了GOD在電極表面的直接電化學行為。并在此基礎上,制備了一種CdTe量子點納米復合物葡萄糖電化學生物傳感器,進行葡萄糖的電化學測定。

1 實驗部分

1.1 試劑與儀器

葡萄糖氧化酶(GOD,5 500 U/g,Amresco公司);石墨粉(光譜純);磷酸鹽緩沖溶液(PBS)由0.20 mol/L NaH2PO4和0.20 mol/L Na2HPO4按一定比例混合而成,并用NaOH或H3PO4調節至所需的pH值;其它試劑均為分析純。實驗用水為三重石英蒸餾水。

CHI 600C電化學工作站(上海辰華儀器公司),修飾電極為工作電極,鉑絲作對電極,Ag/AgCl(飽和KCl溶液)電極作參比電極。除特別說明外,所有測試底液均為室溫下0.20 mol/L pH 7.0的磷酸鹽緩沖溶液。

紅外光譜為水平衰減全反射紅外光譜,將GOD溶液和GOD/CdTe混和溶液滴涂到載玻片上,自然晾干分別制成GOD膜和GOD/CdTe膜,用干凈的載玻片作為空白,用Vertex 70傅立葉變換紅外光譜儀(Bruker,德國)檢測水平衰減全反射紅外光譜。將GOD溶液和GOD/CdTe混合溶液分裝在樣品管中,并使用Shimadzu UV-2500紫外-可見分光光度計(Tokyo,Japan)分別檢測其紫外-可見吸收光譜。

1.2 實驗部分

1.2.1 CdTe量子點的制備 參考文獻[13-14],將0.47 g Te粉和0.50 g NaHB4加入密閉反應器中,通N210 min排除其中的空氣,于40 ℃水浴中攪拌條件下緩慢滴加乙醇水溶液,于N2氣氛下反應至Te粉完全消失。反應結束后,冰水浴10 min,將8.0 mL 0.50 mol/L H2SO4快速注入上述反應液中,通N2將反應器中產生的H2Te氣體導入另一反應器,用0.050 mol/L NaOH溶液吸收H2Te,即制得澄清NaHTe溶液;調節含有巰基乙酸(TGA)的CdCl2溶液(Cd-SR)至pH 11.2,在N2保護下劇烈攪拌,并加入新制的NaHTe溶液,摩爾比n(Cd2+)∶n(Te)∶n(TGA)= 1∶0.5∶2.4,攪拌反應20 min,濃度以HTe-計為276 mmol/L。將體系加熱至100 ℃并回流4 h,得水溶性CdTe量子點。待體系冷卻后,于4 ℃貯存備用。

1.2.2 空白碳糊電極的制備 將石墨粉在700 ℃下灼燒4 min,備用。將5.0 μL液體石蠟加入20 mg石墨粉中,充分研磨混合均勻,所得碳糊填入內徑2 mm的塑料管一端并拋光成鏡面,另一端用銅線引出,即制成空白碳糊電極(CPE),于4 ℃貯存備用。

1.2.3 GOD/CdTe/CPE的制備 將GOD溶于水中配成0.050 mg/μL的儲備液備用,用微量移液器取120 μL GOD儲備液,與300 μL QDs CdTe溶液混合,得到GOD/CdTe混合溶液,向其中加入20 mg石墨粉,并超聲使其分散均勻,待水分完全蒸發后加入5.0 μL液體石蠟,經碾磨混合均勻,得內含GOD和QDs CdTe的修飾碳糊;將修飾碳糊填入內徑為2 mm的塑料管中,按照制備CPE的方法,制成GOD/CdTe/CPE,于4 ℃貯存備用。

1.2.4 GOD/CPE與CdTe/CPE的制備 參照GOD/CdTe/CPE的制備方法,制備GOD修飾碳糊電極(GOD/CPE)、QDs CdTe修飾碳糊電極(CdTe/CPE),但在制備過程中不加QDs CdTe或GOD,于4 ℃貯存備用。

1.2.5 電化學檢測 以上述制備的電極作為工作電極,鉑絲作對電極,Ag/AgCl(飽和KCl溶液)電極作參比電極,在0.20 mol/L pH 7.0 PBS中,于-0.90~-0.20 V電位區間掃描獲得CV圖。

2 結果與討論

2.1 GOD在QDs CdTe上的直接電化學

圖1中a~d分別為CPE,CdTe/CPE,GOD/CPE,GOD/CdTe/CPE在0.20 mol/L PBS中的CV曲線。從圖中可看出,CPE和CdTe/CPE的CV圖(曲線a,b)上未出現氧化還原峰,只反映出很低的背景電流,說明在此電位范圍內,空白碳糊(CP)和QDs CdTe均不存在電化學活性,而GOD/CdTe/CPE(曲線d)CV曲線分別在-0.42 V和-0.60 V呈現1對氧化還原峰。由此證明,GOD/CdTe/CPE的CV曲線上的氧化還原峰是由GOD在電極上的直接電化學過程所產生,反應如下:

GOD(FAD) +2e+2H+? GOD(FADH2)

根據兩峰電位可以得到葡萄糖氧化酶的式量電位:

E0’=(Epa+Epc)/2 =-0.51 V

圖1 不同電極在0.20 mol/L pH 7.0 PBS中的CV圖

圖2 GOD/CdTe/CPE在0.20 mol/L pH 7.0 PBS 中不同掃速下的CV圖

氧化峰和還原峰電位之差ΔEp=180 mV,兩峰電流的比值接近于1,表明GOD在CdTe/CPE上的直接電化學行為是一個準可逆過程。

碳糊電極中不存在CdTe量子點時,GOD/CPE也有1對氧化還原峰(曲線c),但相比較而言,其峰電流的大小不及GOD/CdTe/CPE循環伏安峰的1/8,這充分表明,由于CdTe量子點存在,GOD與電極之間的直接電子傳遞被顯著加速,進一步說明CdTe量子點對GOD的直接電化學過程具有良好的催化作用;同時CdTe量子點具有大的比表面積,可以提高GOD的固載量且有助于GOD分子獲得更好的空間取向以利于與電極表面進行直接電子傳遞。

2.2 GOD/CdTe/CPE的循環伏安特性

GOD/CdTe/CPE在0.20 mol/L pH 7.0的PBS中以不同掃描速率(v)進行循環伏安掃描(見圖2),結果表明,隨著v的增加,峰電流逐漸增大,氧化、還原峰電位分別向正電位和負電位方向移動,且峰電位差ΔEp也隨之增大,其式電位為-0.44 V,接近于25 ℃下pH 7.0 PBS溶液中GOD的式電位-0.46 V[15],表明經CdTe修飾后大部分GOD分子保持其原有的結構。當v在0.02 ~ 0.10 V/s范圍內時,峰電流與v呈良好的線性關系(圖2插圖A),相關系數(r)為0.991 1,因此該電化學反應是一表面控制過程或者薄膜電化學行為,GOD的表面覆蓋量(Γ)和電子傳遞數(n)的關系可用Lavrion’s方程[16]表示:Ip=n2F2vAΓ/(4RT)=nFQv/(4RT),式中Q為電化學反應的電量;A為電極面積;

Ip為氧化還原峰電流,F為法拉第常數,R為理想氣體常數,T為溫度。

由圖2(插圖A)可算出Q為1.0×10-4C,根據其斜率8.6×10-4A·V-1.s,可得n為1.9,說明電極表面進行的是雙電子反應。因此可求得GOD在電極表面的平均覆蓋量(Γ)為7.9×10-8mol/cm2,說明CdTe量子點對葡萄糖氧化酶的固定化有較好的效果。當v從0.15 V/s變化到0.50 V/s時,峰電流與v1/2呈良好的線性關系,線性系數(r)為0.986 3,說明在此掃速范圍內,該電化學反應為一擴散控制過程。當掃描速率低于0.10 V/s時,峰電位與lgv呈一定線性關系(圖2插圖B),對于氧化還原單分子膜修飾的電極[17],峰電位存在如下關系:

可算出電子傳遞系數α=0.6,由以上公式可得:

進一步根據E~lgv的斜率可計算出電子傳遞速率常數(K)為0.14 s-1,說明葡萄糖氧化酶在電極表面上的電子傳遞速度較快,也進一步證明該電化學反應為一擴散控制過程。

圖3 GOD溶液(a)和GOD/CdTe復合 物溶液(b)的紫外-可見吸收光譜

圖4 GOD(a)和GOD/CdTe復合物(b)的紅外光譜

2.3 修飾膜的光譜表征

GOD溶液和GOD/CdTe復合物溶液的紫外-可見吸收光譜如圖3所示。GOD/CdTe復合物溶液的吸收帶(曲線b)位于450 nm,與GOD溶液的吸收帶(曲線a)十分相似,吸收帶輪廓基本保持不變。說明GOD/CdTe復合物中的GOD結構未發生明顯變化,能保持GOD自身的性質。

粉末狀GOD和GOD/CdTe復合物的紅外吸收光譜如圖4所示。GOD的FTIR光譜中吸收帶位置分別在1 576 cm-1和1 398 cm-1(曲線a),GOD/CdTe復合物的特征吸收帶分別出現在1 577 cm-1和1 401 cm-1(曲線b),兩FTIR光譜圖的輪廓基本相同,這表明復合物GOD并未發生變性。

2.4 GOD/CdTe/CPE對葡萄糖的響應

2.4.1 GOD/CdTe/CPE對葡萄糖的CV響應 應用GOD/CdTe/CPE中GOD與電極之間的直接電子傳遞,通過檢測葡萄糖在GOD/CdTe/CPE上還原電流的變化可達到檢測葡萄糖的目的。圖5是GOD/CdTe/CPE在0.20 mol/L空氣飽和的PBS(pH 7.0)中,對不同濃度葡萄糖的CV響應圖。圖5(曲線c~h)結果顯示,隨著葡萄糖的濃度增大,還原峰電流依次減小,氧化峰電流幾乎不變。響應機理如下[18-19]:

GOD(FAD)+2e+2H+? GOD(FADH2)

GOD(FADH2)+O2→ GOD(FAD)+H2O2

Glucose+GOD(FAD) → Gluconolactone+GOD(FADH2)

圖5中曲線a,b分別為GOD/CdTe/CPE在空氣飽和與通N220 min除氧狀態下PBS中的CV曲線。對比兩曲線可見,除氧后還原峰電流明顯減小。

2.4.2 GOD/CdTe/CPE對葡萄糖的安培響應 圖6為0.20 mol/L PBS(pH 7.0)中葡萄糖在GOD/CdTe/CPE上的計時電流響應曲線。圖中曲線a為未添加葡萄糖時的計時電流響應曲線,隨著葡萄糖濃度的增加,還原電流逐漸減小(圖6 b~d)。催化電流與葡萄糖濃度在0.050~0.32 mmol/L范圍內呈線性關系,相關系數(r)為0.995 0(見插圖),按3倍信噪比計算得其檢出限為0.020 mmol/L。圖中還可明顯觀察到,3 s時計時電流的響應曲線已基本趨于平行,3 s后還原電流幾乎不變,表明此GOD修飾的CdTe量子點碳糊電極生物傳感器響應速度快。

圖5 不同葡萄糖濃度時GOD/CdTe/CPE在0.20 mol/L pH 7.0 PBS中的CV圖

圖6 不同葡萄糖濃度時GOD/CdTe/CPE在0.20 mol/L pH 7.0 PBS中的安培曲線

2.5 GOD/CdTe/CPE的重現性與穩定性

在含0.16 mmol/L葡萄糖的測試溶液中,用同一支GOD/CdTe/CPE連續測量10次后發現,10次測定結果的相對標準偏差為3.0%,表明電極對葡萄糖具有很好的響應重復性。在該測試溶液中,用同一批次制備的5支不同GOD/CdTe/CPE進行測量,結果發現,5支修飾電極對同一濃度葡萄糖的電流響應相對標準偏差為4.1%,說明這種采用碳糊復合物修飾的電極具有很好的重現性。

進一步將GOD/CdTe/CPE在4 ℃條件下放置1周后,檢測其對葡萄糖的響應電流。結果表明,葡萄糖濃度為0.32 mmol/L時,1周后GOD/CdTe/CPE的響應電流仍保持在90%以上,表明GOD/CdTe/CPE有良好的穩定性。

3 結 論

CdTe量子點具備良好的電催化活性,為研究蛋白質的直接電化學提供了一類新的材料,它能有效地加速GOD與電極表面的直接電子轉移,電子傳遞效率比無CdTe量子點存在時提高約8倍。電子轉移速率常數(K)為0.14 s-1,傳遞系數(α)為0.60,GOD在GOD/CdTe/CPE表面的平均覆蓋量(Γ)為7.9×10-8mol/cm2。以GOD在CdTe量子點上的直接電化學過程為基礎,制作了一種GOD/CdTe納米復合物碳糊修飾電極,并成功用于葡萄糖濃度的檢測,其線性范圍為0.050~0.32 mmol/L,檢出限為0.020 mmol/L。GOD/CdTe/CPE的制備方法簡單,穩定性強,具備優良的選擇性和重現性,且響應速度快。這種修飾電極的制備也為第三代電化學生物傳感器的研制提供了一種新方法。

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Direct Electrochemistry of Glucose Oxidase at Water-soluble CdTe Quantum Dots

YU Yi,YU Jiu-hong*

(Chemical and Environmental Engineering,Wuhan Polytechnic University,Wuhan 430023,China)

In this paper,a glucose oxidase CdTe quantum dots modified carbon paste electrode(GOD/CdTe/CPE)was prepared by the synthesis of CdTe quantum dots(QDs) to fabricate modified material and fixed the glucose oxidase(GOD) at the surface of the water-soluble CdTe quantum dots,and achieved the direct electrochemistry of GOD at the electrode surface.QDs CdTe can effectively accelerate the direct electron transfer of GOD with the electrode surface,and the electron transfer efficiency was about 8 times more than that in the absence of QDs CdTe.The electron transfer rate constantKwas 0.14 s-1and transfer coefficient was 0.60.The average amount of coverage(Γ) of GOD on the surface of GOD/CdTe/CPE was 7.9×10-8mol/cm2.As a third generation glucose biosensor,GOD/CdTe/CPE was successfully applied in the detection of glucose concentration.The calibration curve was linear in the range of 0.050-0.32 mmol/L and the detection limit was 0.020 mmol/L.GOD/CdTe/CPE had the advantages of simple preparation,strong stability,excellent selectivity and reproducibility,and fast response.

CdTe quantum dots(QDs); glucose oxidase; electrochemical biosensor; cyclic voltammetry(CV);direct electrochemistry

2014-09-02;

2014-09-25

生命分析化學教育部重點實驗室開放基金(KLACLS1005)

10.3969/j.issn.1004-4957.2015.02.012

O657.72;F767.4

A

1004-4957(2015)02-0194-06

*通訊作者:喻玖宏,博士,副教授,研究方向:電分析化學,Tel:13098877692,E-mail:yjh@whpu.edu.cn

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