反超英特爾IBM推出7nm芯片

無心

IBM宣布在超密計算機芯片工藝上取得了一項重大突破，已經成功研制出了7nm芯片的可工作樣品，這項技術最大的變革在于，其采用的是鍺硅材料以及極紫外光刻技術（EUV）。

這項技術由IBM、Global Foundries、三星和紐約州立大學理工學院納米工程系聯手完成，一共投資了30億美元。鍺硅這種新材料有望讓晶體管的通斷變得更快，同時功耗更低。而這種微尺寸的晶體管也表明了業界迫切需要新的材料和新的制造技術，才能夠進一步地發展。根據IBM官方的說法，采用新材料及技術可以給芯片帶來50%的性能提升。

IBM還表示，未來完全有可能研制出200億顆晶體管的微處理器。這一消息確實很令人振奮，不過需要注意的是，IBM已經于日前將旗下芯片業務賣給Global Foundries，所以其相關技術都已授權給后者。

事實上，在14nm工藝之后，業界普遍認為半導體工藝已經逐漸停滯，與此同時大家也在質疑存活了50年的摩爾定律是不是已經過時了。

以英特爾為例，其早就宣稱有能力達到7nm的高度。但是結果呢，其最近基帶處理器接連出現跳票延遲推出，撇開7nm不說，其10nm在不久前已經宣告了無限期跳票，這對一直在工藝上領先的英特爾來說確實有些難堪。除了英特爾，三星和臺積電兩家廠商也在逼近10nm這一難關，現在還不能斷言這是不是個死胡同，但14nm跨越到10nm確實是一個坎。

可以說，IBM通過全新的材料以及全新的技術已經率先取得了突破，盡管IBM的新型芯片仍處于研究階段，但它有望讓摩爾定律至少延續到2018年。更值得期待的是“藍色巨人”何時實現7nm的商用。

最后，業界還必須應對極紫外線（EUV）光刻在接近于原子尺寸時該如何轉型。此前，英特爾表示有方法抵近7nm制程，不過該公司并未表示這一代芯片是否有可能到來。IBM亦拒絕對“這項技術將于何時開始商業化生產”置評。臺積電已在今年表示其計劃于2017年開始試產7nm芯片，不過該公司并未像IBM一樣拿出原型芯片。而新一代極紫外光刻設備能否滿足長曝光時間的要求，將成為高速制造業務的關鍵。因為即使最輕微的震動，都會對光蝕刻線路造成破壞，所以業內不得不專門建造一座“絕對穩定”的建筑，以便將震動和設備隔絕開來。

IBM方面表示，財團現已看到使用極紫外光刻的商業制造業務上的一種途徑。該公司半導體研究副總裁穆克什·哈雷（Mukesh Khare）表示：“迄今為止的演示都發生在研究實驗室里，而不是一座生產工廠中。與業界計劃于下一年引入的10nm技術相比，我們最終的目標是將電路尺寸再縮減上50%。”