CdSe/CdS核/殼納米線的制備及光學性質研究

摘要：CdSe、CdS是重要的II-VI族納米半導體化合物，具有較大的禁帶寬度和激子束縛能，以寬帶隙半導體CdS為殼層包覆窄帶隙半導體CdSe核層，使表面缺陷減少，從而提高核層的熒光量子產率。文章對CdSe/CdS核/殼納米線進行了制備，并探尋了CdSe/CdS核/殼納米線的光學性質，為納米材料在光學、光子學方面的應用奠定了基礎。

關鍵詞：CdSe；CdS；納米線；半導體；核殼結構；光致發光 文獻標識碼：A

中圖分類號：TN304 文章編號：1009-2374（2015）23-0015-02 DOI：10.13535/j.cnki.11-4406/n.2015.23.008

Ⅱ-VI化合物半導體是直接帶隙寬禁帶半導體，具有非常好的電子和光學性質，在光電器件方面有著廣泛的應用價值，吸引了許多研究者的興趣。CdSe、CdS是重要的Ⅱ-VI族納米半導體化合物，具有獨特的物理化學性質，有著優良的光學、電學、熱學等性能，在光吸收、光致發光、光電轉換、非線性光學、光催化傳感器等方面有著廣闊的應用前景。以寬帶隙半導體CdS為殼層包覆窄帶隙半導體CdSe核層，兩種不同帶隙的化合物具有相近的晶體結構，使殼層在核層表面的定向生長成為可能，并使表面缺陷減少，從而提高核層的熒光量子產率，增強光穩定性。本文將物理和化學等實驗方法結合，對CdSe/CdS核/殼納米線進行制備，目的是尋找更加簡單易操作的制備方法，探尋CdSe/CdS核/殼納米線的光學性質，為納米材料在光學、光子學方面的應用奠定基礎。

1 CdSe/CdS核/殼納米線的制備方法

CdSe/CdS核/殼納米線是在溫度可控的高溫管式爐中采用兩次升溫化學氣相沉積（CVD）的方法獲得的。所采用的實驗裝置如圖1所示，主要包括以下五個部分：（1）水平管式加熱爐；……