

摘要:CdSe、CdS是重要的II-VI族納米半導體化合物,具有較大的禁帶寬度和激子束縛能,以寬帶隙半導體CdS為殼層包覆窄帶隙半導體CdSe核層,使表面缺陷減少,從而提高核層的熒光量子產率。文章對CdSe/CdS核/殼納米線進行了制備,并探尋了CdSe/CdS核/殼納米線的光學性質,為納米材料在光學、光子學方面的應用奠定了基礎。
關鍵詞:CdSe;CdS;納米線;半導體;核殼結構;光致發光 文獻標識碼:A
中圖分類號:TN304 文章編號:1009-2374(2015)23-0015-02 DOI:10.13535/j.cnki.11-4406/n.2015.23.008
Ⅱ-VI化合物半導體是直接帶隙寬禁帶半導體,具有非常好的電子和光學性質,在光電器件方面有著廣泛的應用價值,吸引了許多研究者的興趣。CdSe、CdS是重要的Ⅱ-VI族納米半導體化合物,具有獨特的物理化學性質,有著優良的光學、電學、熱學等性能,在光吸收、光致發光、光電轉換、非線性光學、光催化傳感器等方面有著廣闊的應用前景。以寬帶隙半導體CdS為殼層包覆窄帶隙半導體CdSe核層,兩種不同帶隙的化合物具有相近的晶體結構,使殼層在核層表面的定向生長成為可能,并使表面缺陷減少,從而提高核層的熒光量子產率,增強光穩定性。本文將物理和化學等實驗方法結合,對CdSe/CdS核/殼納米線進行制備,目的是尋找更加簡單易操作的制備方法,探尋CdSe/CdS核/殼納米線的光學性質,為納米材料在光學、光子學方面的應用奠定基礎。
1 CdSe/CdS核/殼納米線的制備方法
CdSe/CdS核/殼納米線是在溫度可控的高溫管式爐中采用兩次升溫化學氣相沉積(CVD)的方法獲得的。所采用的實驗裝置如圖1所示,主要包括以下五個部分:(1)水平管式加熱爐;……