Lam Research的先進深硅刻蝕技術

Jay Minami and Alisa Hart

(泛林研究公司，弗里蒙特，加州94538 U.S.A.)

Lam Research的先進深硅刻蝕技術

Jay Minami and Alisa Hart

(泛林研究公司，弗里蒙特，加州94538 U.S.A.)

在一個人們期望即時信息的社會，等上幾秒鐘，時間似乎變得很長。隨著萬億傳感器的視野和物聯網（IOT）互聯網的不斷發展，對于“智能傳感器”出現了明顯的需求：即對大量數據進行分類，區分有用信息和噪音，節省珍貴的幾秒鐘。

隨著智能傳感器的發展，微機電系統（MEMS）、電源裝置以及先進封裝蝕刻應用需要更精確的控制和更高的生產率。在過去，腔蝕刻未需要太多的精度控制，現在對蝕刻粗糙度和輪廓卻很敏感。因為MEMS傳感器需要更高的靈敏度，促使刻蝕工藝需求更小的蝕刻傾斜角度，更好的對稱性和更好的蝕刻均勻性。功率器件應用要求更嚴格的特征尺寸和深度的均勻性。此外，所有這些應用都需要高水平的制造成本控制。

1 TCP9400DSiE蝕刻家庭

Lam的TCP9400DSiE產品是基于公司在市場領先的TCP9400硅蝕刻技術。變壓器耦合等離子體（TCP）的平面源設計提供世界級的蝕刻均勻性、輪廓對稱性和符合精密蝕刻所需要的最小角度傾斜。該設備的動態功率和壓力控制系統能夠微調以滿足那些需要額外精度的關鍵蝕刻；而菜單控制，與工藝腔體一體的氣體輸送系統允許工藝靈活性和均勻度的精細調整。

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Lam的蝕刻產品素以高生產率聞名，TCP 9400DSiE家庭也享有這一美名。基于已經批量生產驗證Alliance的平臺上，最新的深硅刻蝕系統-TCP 9400DSiE III-包括耐用的工藝備件延長了平均清洗時間（MTBC），從而提高了正常運行時間和運行效率。該產品的高功率射頻系統可以為中等關鍵的應用實現高的蝕刻速率。與傳統的集成電路的蝕刻步驟比較、一些深硅蝕刻需要長時間運行，這使得在腔壁上的聚合物沉積問題變得更為突出，因為這可能會導致不希望的工藝漂移。Lam的無晶片自動清潔TM（WACTM）功能為每個進入腔室的晶片提供了一致的腔壁條件，在長蝕刻時間的情況下，這是保持工藝穩定的更為關鍵的因素。由精益工藝配合WAC提供的清潔腔壁使Lam的TCP 9400DSiE成為深硅刻蝕設備的最佳選擇。

2 總結

Lam的深硅刻蝕設備安裝量持續增長，因為設備需要更精確的蝕刻控制和成本控制以及最高的生產率。TCP9400DSiE產品因其在晶片上最佳性能和在業界中最具競爭力的解決方案而保持為客戶的最佳選擇。通過現場升級改造及Lam持續投資于該產品的改進，目前型號可擴展至新版本設備。通過協作并利用大量安裝的深硅刻蝕設備數量的基礎上，Lam專注于幫助客戶解決MEMS，功率器件和先進封裝應用的復雜挑戰，幫助客戶實現下一代器件的研發和制造。

想了解更多相關信息，請致電銷售人員（鄭閔，+86-18621932469電郵：min.zheng@lamrc.com）

圖1 用Lam的TCP9400DSiE深硅刻蝕系統刻出的晶圓表面