應(yīng)用材料公司推出革命性的針對FinFET晶體管和3D NAND器件的電子束量測設(shè)備

應(yīng)用材料公司推出革命性的針對FinFET晶體管和3D NAND器件的電子束量測設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司，在加利福尼亞州圣何塞舉行的國際光學(xué)工程學(xué)會(SPIE)先進(jìn)光刻技術(shù)大會上，推出了業(yè)界首款在線3D掃描電子線寬量測系統(tǒng)，成功解決了針對高縱橫比和3D NAND及FinFET等復(fù)雜功能器件量測方面的挑戰(zhàn)。這款名為VeritySEM5i的量測系統(tǒng)借助尖端高清晰度成像技術(shù)和背散射電子（BSE）技術(shù)，能實現(xiàn)卓越的在線線寬控制。通過使用VeritySEM5i系統(tǒng)，芯片制造商能顯著加快工藝開發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張速度，同時提高器件性能，實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

應(yīng)用材料公司副總裁兼工藝診斷及控制事業(yè)部總經(jīng)理Itai Rosenfeld表示：“復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)需要全新的測量方法，這也提升了對量測技術(shù)的需求。單純依靠傳統(tǒng)的CD SEM技術(shù)已無法滿足3D器件的測量需求。應(yīng)用材料公司憑借在先進(jìn)電子束和圖像處理技術(shù)上的豐富經(jīng)驗，推出這款具有革命性意義的系統(tǒng)，不僅帶來了成像方式的創(chuàng)新，更能實現(xiàn)快速、準(zhǔn)確的在線線寬量測，使客戶能夠在產(chǎn)品研發(fā)、升級及批量生產(chǎn)的過程中看到、測量并控制其3D器件。多家客戶業(yè)已通過使用VeritySEM5i提升了3D器件的良率。隨著半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入10 nm以下技術(shù)節(jié)點，并逐漸向三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移，芯片制造商對精密材料工程技術(shù)提出了更高的要求。因此，Verity-SEM5i將像應(yīng)用材料公司以往的產(chǎn)品一樣，再次成為行業(yè)內(nèi)的新標(biāo)桿?！?/p>

為改進(jìn)器件性能，降低偏移率，提高日益復(fù)雜的高性能、高密度3D設(shè)備的良率，需要在度量精度方面進(jìn)行不斷的創(chuàng)新。配備先進(jìn)高分辨率掃描電子槍、傾斜電子束和背散射電子(BSE)影像技術(shù)的VeritySEM5i系統(tǒng)具有獨特的三維量測能力，可對極具挑戰(zhàn)性的FinFET、3D NAND結(jié)構(gòu)進(jìn)行高效量測和控制。尤其，通過利用BSE成像技術(shù)量測溝槽底部連通孔，芯片制造商可確保下層和上層金屬層之間的有效連接。而在控制FinFET的側(cè)壁、柵極和鰭高度方面，這些部位中極小的偏移也會影響器件性能和良率，VeritySEM5i系統(tǒng)的傾斜電子束可實現(xiàn)精準(zhǔn)、可重復(fù)的在線量測。高分辨率BSE成像借助其高達(dá)60:1及以上的縱橫比量測能力，實現(xiàn)持續(xù)的垂直縮放，因而適用于測量3D NAND器件的不對稱側(cè)壁和底部CD。

應(yīng)用材料公司（納斯達(dá)克：AMAT）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商。我們的技術(shù)使智能手機(jī)、平板電視和太陽能面板等創(chuàng)新產(chǎn)品以更普及、更具價格優(yōu)勢的方式惠及全球商界和普通消費者。

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*SPIE=國際光學(xué)工程學(xué)會；CD SEM=線寬量測掃描電子顯微鏡