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Gd摻ZnO電子結構的第一原理研究

2015-09-09 01:10:24馬延年林菁菁牡丹江師范學院物理系黑龍江牡丹江157011
黑龍江科學 2015年10期

馬延年,張 冰,林菁菁(牡丹江師范學院物理系,黑龍江 牡丹江 157011)

Gd摻ZnO電子結構的第一原理研究

馬延年,張 冰,林菁菁
(牡丹江師范學院物理系,黑龍江 牡丹江 157011)

本文采用了第一原理方法對純ZnO和Gd改性的ZnO進行了計算分析。計算結果表明,Gd摻雜明顯改變了ZnO的禁帶寬度,從而使得ZnO的吸收限向紅光區移動,增強其光催化活性。

Gd doped ZnO;第一性原理;電子結構;紅移

氧化鋅化學式為ZnO,分子量為72,受熱變為黃色,冷卻后又變為白色加熱至1 800℃時升華。氧化鋅難溶于水,但可溶于酸和強堿。氧化鋅多應用于半導體領域,例如制作液晶顯示器,發光二極管,等等。

氧化鋅是一種直接帶隙的半導體材料,禁帶Eg=3.37 eV,具有很好的化學穩定性。在光電材料研究方面,國內外學術界一直對其極其重視。但是,稀土元素Gd摻雜ZnO的模擬計算研究并不全面,本文在前人已有報道的基礎上,對Gd元素摻雜ZnO進行了基于第一性原理的模擬計算,對制備ZnO光催化劑有一定的理論指導性意義。

1 計算模型和方法

1.1計算模型

應用CASTEP建立了純ZnO(1×1×1)模型以及Gd-ZnO超胞模型,摻雜后一個Gd原子替位一個Zn原子構成新的ZnO超胞。Gd的摻雜量為3.125at%、6.25at%、9.375at%。

1.2計算方法

本文采用Material studio 6.0中CASTEP模塊下的密度泛函理論(DFT)廣義梯度近似(GGA)下的平面波超軟贗勢方法(USP)進行研究。對此軟件中的基本設置進行說明:采用非自旋極化的方法處理電子,用430eV作為能量截斷半徑。在布里淵區所有超胞所選取的k點分別是:7×7×3(1×1×1單胞),2×2×2 (2×2×2超胞)。平面波能量的收斂范圍是1×10-5eV/atom,各個原子受力均小于0.3eV/nm,內應力不大于0.5Gpa,公差偏移量設為0.0001nm。

2 結果與討論

2.1ZnO電子結構分析

計算后發現Gd摻雜后使ZnO晶胞體積增大。Gd原子大于Zn原子,Gd摻雜后使得晶胞內電子間排斥力增加,原子間距變大,ZnO晶胞體積增大。與相關實驗結果比較可以證明我們的結果是可靠的。

圖1、2所示為純ZnO和Gd-ZnO的能帶結構??v坐標為能量,0點為費米能級。帶隙約為0.834eV,計算值與理論值有差距,但是不影響相對性分析的結果。

圖1 ZnO能帶結構Fig.1 ZnO band structure

圖2 3.123%Gd-ZnO能帶結構Fig.2 3.123%Gd-ZnO band structure

由圖1可見,純ZnO的禁帶寬度為0.834eV,各個圖中的導帶主要是Zn的3d態,價帶主要是O的2p態,Gd的4f態也有微小貢獻。由圖2可知,Gd的4f態在禁帶中間區域形成了雜質能級。Gd摻雜后,其4f態電子與O的2p態、Zn的3d態同時發生關聯作用,使得導帶與價帶均明顯下移,但禁帶寬度只是略微變窄,變化并不明顯。然而,稀土元素Gd具有特殊的電子躍遷特性和豐富的能級,易產生多電子組態。因此,Gd摻雜可以使得光響應范圍移向可見光區,甚至是紫外光區,這在后面光譜分析中也能得到驗證。

而Gd摻雜濃度的提高使得Gd的4f態略微向禁帶區域中部集中,同時價帶位置幾乎不變,僅僅是導帶略微下移,因此禁帶寬度只是略微變窄,變化仍不明顯。

2.2吸收光譜分析

圖3 未摻雜與不同Gd摻雜濃度的Zn1-xLaxO超胞的吸收光譜Fig.3 Aabsorption spectra of Zn1-xLaxO with different concentrations of Gd

雖然Gd摻雜后禁帶寬度變化不大,但從圖3給出的吸收光譜可以發現,Gd摻雜后的纖鋅礦ZnO發生了明顯的紅移現象,且隨摻雜濃度的增加,紅移強度更高。這是因為Gd摻雜后產生了雜質能級,價帶中的電子就可以先吸收能量較小的光子躍遷至雜質能級,而后再吸收一部分能量從雜質能級躍遷至導帶,這種分級躍遷機制令纖鋅礦ZnO的吸收移,提高了對太陽光的吸收率,甚至對紅外光也有一定的吸收強度。

3 結論

本文基于第一性原理計算了純ZnO和Gd-ZnO的電子結構及吸收光譜。結果發現Gd摻雜對禁帶寬度影響不大,但仍然使體系的吸收光譜向紅光區移動。Gd摻雜濃度的增加可以提高ZnO對太陽光的利用率,使吸收光譜紅移。

First-principles study on the electronic structures and absorption spectra of Gd doped ZnO

Ma Yan-nian,Zhang Bing,Lin Jing-jing
(Mudanjiang Normal University,Mudanjiang157011,China)

Based on First-principles within density-functional theory,we establish models of Gd doped ZnO by using the plane-wave ultrasoft pseudopotential method.We calculate the densities of states,band structures and absorption spectra.The results show that Gd codoped ZnO is more stable than pure ZnO.

Gd doped ZnO;First-principles;Electronic structure;Redshift

O471

A

1674-8646(2015)08-0010-02

2015-05-11

牡丹江師范學院科學技術研究項目(QY201315)

馬延年(1984-),男(滿族),黑龍江尚志人,助理研究員,碩士,主要從事光學材料研究。

李聰,lc231001@163.com

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