溫 清 劉人愷 楊春水
廣東醫學院附屬南山醫院神經內科 深圳 518052
靜脈竇血栓患者血管內皮生長因子水平與預后的關系
溫 清 劉人愷△楊春水
廣東醫學院附屬南山醫院神經內科 深圳 518052
目的 探討血管內皮生長因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)在靜脈竇血栓患者中的表達水平及其與近期預后的關系。方法 采用ELISA法檢測靜脈竇血栓患者(84例)和健康對照人群(70例)血漿VEGF水平,隨訪12個月評估靜脈竇血栓患者不良終點事件發生情況。結果 靜脈竇血栓患者血漿VEGF水平較正常對照組明顯升高[(195.15±24.62)μg/mL vs.(165.66±20.60)μg/mL(P<0.01)]。隨訪結束后,高VEGF組(31例,VEGF≥200μg/mL)發生不良事件12例,低VEGF組(53例,VEGF<200μg/mL)發生不良事件11例,Kaplan-Meier生存曲線顯示2組差異有統計學意義(P =0.03)。另外,不良終點事件發生者(23例)血漿VEGF水平較無不良終點事件發生者(51例)明顯增高(P<0.01)。結論靜脈竇血栓形成可誘導VEGF表達增強,VEGF水平升高越明顯近期預后越差,可能與血管源性腦水腫有關。
靜脈竇血栓;血管內皮生長因子;預后
顱內靜脈竇血栓形成(cerebral venous sinus thrombosis,CVST)是一種特殊類型的腦靜脈系統缺血性腦血管病,發病率占所有卒中的0.5%~1.0%[1-2],多見于兒童及青壯年[3]。由于其病因多樣性、發病機制復雜性及臨床癥狀各異,易與其他顱內疾病混淆而被漏診和誤診[4]。靜脈竇血栓如不能及時治療,病死率可高達5%~10%,因此,早期診斷和規范化治療可顯著降低并發癥和后遺癥的發生,改善患者預后。近年來,多項研究提示血管內皮生長因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)可導致血管源性腦水腫[5],而靜脈竇血栓形成又與靜脈性缺血、腦水腫及靜脈高壓相關,故本實驗的研究目的是觀察靜脈竇血栓患者血漿VEGF水平變化,并探討其與近期預后的關系。
1.1 研究對象 選取2010-01—2013-01深圳南山醫院和中南大學湘雅醫院就診并確診為CVST患者84例,男48例,女36例;年齡22~55歲,平均(34.6±11.9)歲;病程2~24 d,平均8.5d。另選取我院體檢健康人群70例作為正常對照組,男40例,女30例;年齡20~60歲,平均(35.3±12.3)歲。
1.2 診斷標準 根據起病形式、誘因、既往病史、臨床表現、實驗室及影像學檢查結果,確診需具備磁共振(MRI)及磁共振靜脈成像(MRV)、CT靜脈成像(CTV)、數字減影血管造影(DSA)3項檢查中至少1項支持診斷。
1.3 血漿標本采集 CVST組及正常對照組分別于清晨空腹抽取靜脈血4~5mL(EDTA抗凝),以3 000r/min離心15min,微量移液器取上清,-80℃保存待測。實驗過程中血標本采集經醫院倫理委員會審批,所有入選研究對象均簽署知情同意書。
1.4 血管內皮生長因子檢測方法 血漿VEGF測定使用人ELISA試劑盒(購自北京晶美試劑公司),實驗操作嚴格按照試劑盒說明書進行,每份標本檢測2孔,取平均值。吸光度采用雙波長450/570nm進行檢測,根據標準曲線計算出血漿VEGF水平,敏感度為15pg/mL,批內及批間變異均<9.5%。
1.5 預后隨訪 通過門診或電話隨訪靜脈竇血栓患者不良終點事件發生情況,包括靜脈竇血栓再發、腦血管疾病、不同程度偏癱或智力語言障礙、重殘或死亡等,死亡患者記錄死亡時間及原因。
1.6 統計分析 所有數據用SPSS 16.0統計學軟件處理,計量資料采用均數±標準差(ˉx±s)表示,2組間比較采用t檢驗;血漿VEGF水平與生存率關系采用Kaplan-Meier法,應用Log-Rank檢驗,P<0.05為差異有統計學意義。
2.1 2組血漿VEGF水平比較 CVST組血漿VEGF水平為(195.15±24.62)μg/mL,較正常對照組(165.66±20.60)μg/mL明顯升高,差異具有統計學意義(P<0.01)。見圖1。

圖1 2組血漿VEGF水平比較
2.2 靜脈竇血栓患者VEGF水平與近期預后關系 根據VEGF水平將所有患者分為高VEGF組(VEGF≥200μg/mL)31例和低VEGF組(VEGF<200μg/mL)53例,隨訪12個月,平均(11.9±0.16)個月,記錄患者不良事件。結果顯示,高VEGF組不良事件發生12例(38.71%),低VEGF組不良事件發生11例(20.75%),差異有統計學意義(P=0.03)。見圖2。84例CVST患者共發生不良事件23例,與無不良事件發生患者(51例)相比,血漿PEDF水平明顯增高[(213.45±31.31)μg/mL vs.(188.22±17.38)μg/mL,P<0.01]。

圖2 高VEGF組與低VEGF組靜脈竇血拴生成曲線
靜脈竇血栓的發病機制與靜脈血流高凝狀態、淤滯、血管壁損傷及血管內血栓物質沉積有關[6]。靜脈竇血栓形成后,靜脈阻塞導致局部腦組織水腫及靜脈性梗死,缺血、缺氧導致細胞膜能量依賴性離子泵損害,出現細胞內水腫,靜脈擴張、膨脹,通透性增高及缺血性神經損害等病理生理改變;腦灌注壓和腦血流下降,又進一步導致顱內壓增高、缺血、缺氧等改變,形成惡性循環。
血管內皮生長因子(VEGF)是一種特異性作用于血管內皮細胞的分泌性細胞因子,在中樞神經系統中具有促進內皮細胞增殖、轉移和抑制細胞凋亡,誘導血管形成,改善血管滲透性等生物學特性[7-8]。Kimura等[9]大鼠靜脈缺血模型觀察顯示,靜脈血栓形成急性期VEGF表達增高主要與血管源性水腫有關。國內亦有研究顯示CVST急性期VEGF無論在蛋白水平還是mRNA水平均有顯著表達[10],其病理機制可能是由于腦缺血缺氧時,刺激局部組織釋放VEGF,VEGF作用于血管內皮細胞,破壞內皮細胞間緊密連接結構,增加血管通透性,導致病變組織微血管結構破壞至血漿外滲,加重腦水腫形成。
本實驗首次在人群中研究VEGF水平與CVST的相關性,結果顯示,CVST患者血漿VEGF水平較正常對照人群明顯升高,差異具有統計學意義(P<0.01),與上述實驗報道及病理機制一致。此外,我們進一步對所有入選CVST患者進行隨訪觀察,結果發現急性期VEGF水平越高,近期預后越差(P=0.03),表明VEGF有可能成為預測CVST患者腦缺血程度和判斷預后的一個外周血指標。
綜上所述,CVST急性期血漿VEGF水平升高可能與腦細胞缺血、缺氧所致腦水腫有關,VEGF水平變化對判斷病情輕重及預后有一定指導意義。然而,由于本研究樣本量較小,血樣本收集及隨訪時間有限,可能影響結果的論證能力,故有待于進行大樣本隨機對照的多中心研究。
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(收稿2014-05-24)
The relationship between plasma levels of vascular endothelial growth factor and prognosis in patients with cerebral venous sinus thrombosis
Wen Qing,Liu Renkai,Yang Chunshui
Department of Neurology,the Affiliated Nanshan Hospital of Guangdong Medical College,Shenzhen518052,China
Objective To investigate the relationship between plasma levels of vascular endothelial growth factor(VEGF)and prognosis in patients with cerebral venous sinus thrombosis(CVST).Methods The plasma VEGF levels of 84patients with CVST and 70healthy people were detected with ELISA,and then the short-term major adverse events(MAE)of patients were observed after followed up for 12months.Results The plasma VEFG level of patients with CVST was higher than that of control group[(195.15±24.62)μg/mL vs.(165.66±20.60)μg/mL].The occurrence rate of high VEGF group was higher than that of lower VEGF group.Conclusion Cerebral venous sinus thrombosis can induce the enhanced expression of VEGF,and the more the VEGF expression is,the worse the prognosis is.
Venous sinus thrombosis;Vascular endothelial growth factor;Prognosis
R743.32
A
1673-5110(2015)04-0041-02
△通訊作者:劉人愷,E-mail:kay678@139.com