半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán)EUV光刻最新進(jìn)展如何

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán)EUV光刻最新進(jìn)展如何

ASML宣稱它的Q2收到4臺EUV訂單，預(yù)期明年EUV發(fā)貨達(dá)10臺以上。

EUV光刻設(shè)備一再延遲，而最新消息可能在2020年時能進(jìn)入量產(chǎn)，而非常可能應(yīng)用在5 nm節(jié)點(diǎn)。

業(yè)界預(yù)測未來在1z nm的存儲器生產(chǎn)中可能會有2層或者以上層會采用它，及在最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)（7 or 5 nm）的邏輯器件生產(chǎn)中可能會有6～9層會使用它。

ASML計劃2018年時它的EUV設(shè)備的產(chǎn)能再擴(kuò)大1倍達(dá)到年產(chǎn)24臺，每臺售價約1億美元，目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺，正在作各種測試。

半導(dǎo)體顧問公司的分析師Robert Maire認(rèn)為EUV真能應(yīng)用于量產(chǎn)應(yīng)該是大約在2020年，在5 nm時。近期TSMC公布它的計劃也是在5 nm節(jié)點(diǎn)。

Maire說英特爾可能會有不同的觀點(diǎn)，它采用EUV設(shè)備在7 nm，因為今年下半年它有可能進(jìn)入10 nm。因為現(xiàn)在16/14 nm節(jié)點(diǎn)時通常采用兩次圖形曝光技術(shù)，如果EUV成功量產(chǎn)，可以避免在10 nm及以下時要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù)，成本上可大幅的節(jié)省。

從20 nm節(jié)點(diǎn)開始要采用兩次圖形曝光技術(shù)，芯片制造商人為把工藝節(jié)點(diǎn)分成兩類，如20 nm及10 nm都是過渡節(jié)點(diǎn)，相對工藝壽命短，而28 nm，16/14 nm及7 nm可能是長壽命節(jié)點(diǎn)。

ASML的市場部總監(jiān)Micheal Lercel說EUV系統(tǒng)量產(chǎn)需要安裝250 W光源，保證每小時125片，而現(xiàn)在的光源是125 W，只能每小時85片，ASML正在實(shí)驗室中研發(fā)210 W光源。

目前大于200 W的EUV光源有兩家供應(yīng)商，分別是ASML的Cymer及Gigaphoton。兩家供應(yīng)商都認(rèn)為未來500 W光源有可能性。

目前用于EUV掩膜保護(hù)的Pellicle只能承受125 W的熱負(fù)荷，離250 W的目標(biāo)尚有一段距離。

由于EUV光刻膠它的工作模式是采用反射的兩次電子，不同通常的193 nm光刻膠，因此尚需要突破。……