FD—SOI與FinFET互補，是中國芯片業彎道超車機會

迎九

摘要：本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅（FD-SOI）的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOl與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。

關鍵詞：FD-SOI；FinFET；制造

2016年2月，Soitec宣布上海硅產業投資公司擬入資S0itec，促進FD-SOI在中國的商用化。FD-SOI的特點是擅長功耗和成本敏感型應用，擅長數字與混合信號SoC集成與高性能；而另一條技術路線——FinFET（3D晶體管）適合高性能數字處理等場合。“2010后Sol真正成熟，最大市場是平板電腦和智能手機領域的RF-sol，模擬和功率采用Power-Sol，此外，還有數字處理的FD-Sol等。（如圖2）”Soitec數字電子業務部高級副總裁Christophe Maleville稱。

SOI與FinFET工藝和應用對比

SOI特點是特殊材料、普通工藝。而FinFET的特點是普通材料，特殊工藝。FD-SOI基板的價值是電路的一部分已經集成在基板里了，而且FD-SOI頂層硅厚度一致性非常好，硅層厚度的誤差可以確保控制在幾個原子層之內，例如28nm工藝時3萬個晶圓誤差只有±1原子層，這相當于巴黎到北京的距離，海拔高度控制在1.4cm內。FD-SOI可代替很多GaAs材料，因為性能更高。另外功耗和成本上，FD-SOI也有很大優勢。FD-SOI的成功案例包括NXP/飛思卡爾的i.MX7和i.MX 8應用處理器平臺，SoNY新一代的GPS。另外在汽車領域很適合，性能與FinFET相當，成本降低超過20%，即使在高溫下也只有很低的功耗，幾乎可以抵御所有輻射。“FD-SOI將使未來自動駕駛成為可能，例如視頻處理器可以安裝在擋風玻璃上。”Christophe Maleville說道。

FD-SOI將是中國半導體業彎道超車的機會

在制造工藝上，FD-SOI比FinFET更容易實現。目前三星、格羅方德（GlobalFound ries）有FD-SOI代工業務，國內的華虹和SMIC也可生產FD-SOI，已有超過10家中國fabless（芯片設計公司）在設計相關芯片，一家產品已經投產。目前中國正全面采用各類主流半導體技術，包括當今晶圓廠廣泛采用的平面bulk技術、顛覆性的FinFET技術，及日益崛起、備受矚目的新興FD-SOI技術。“FD-SOI將是中國半導體業彎道超車的機會，并可通過FD-SOI技術驅動電子產業增長。”Soitec公司市場和業務拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk指出。