一種新型CMOS器件長期貯存壽命評價試驗方法

劉士全,徐超,秦晨飛,王健軍(中國電子科技集團公司第58研究所,江蘇無錫214035)

一種新型CMOS器件長期貯存壽命評價試驗方法

劉士全,徐超,秦晨飛,王健軍
(中國電子科技集團公司第58研究所,江蘇無錫214035)

介紹了一種新型的可對CMOS元器件長期貯存壽命做出評價的試驗方法.對CMOS元器件樣品分別進行常溫貯存試驗和高溫貯存試驗,通過常溫貯存試驗累積試驗數據,并以此研究總結CMOS元器件長期貯存性能參數變化的規律,通過高溫貯存試驗加速元器件常溫貯存過程,在實驗過程中定期對樣品器件進行測試.通過對常溫貯存數據和高溫加速貯存數據進行比對分析,并利用阿倫尼斯模型進行數據處理,從而在較短的時間內對元器件長期貯存壽命做出評價.

∶CMOS器件;長期貯存;試驗方法;數據處理

1　引言

電子產品的應用領域愈加廣泛,有些電子產品的應用要求有一定的貯存期限(3年、5年或更長),有些設備要求儲備一定量的產品和配套的電子元器件,并保證隨時正常使用.這就對電子元器件的貯存壽命提出了要求.國內對電子元器件貯存壽命的研究已有所報道,但大多限于理論分析.隨著市場經濟的發展和技術的成熟,長期貯存壽命的評價對商用產品的意義不容忽視.

軍品方面,長期貯存壽命要求更為迫切,現代軍用裝備在和平時期必須有一定的儲備,長期貯存后在使用時必須保持完好的戰技性能.因此要求組成武器裝備的各個元器……