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納米導(dǎo)電炭黑的表面改性對(duì)超高壓電纜用半導(dǎo)電屏蔽料性能影響的研究

2016-09-09 01:40:44顧金云涂必冬錢其琨欒珊珊江蘇德威新材料股份有限公司江蘇太倉215421
電線電纜 2016年2期
關(guān)鍵詞:改性復(fù)合材料

顧金云, 涂必冬, 錢其琨, 欒珊珊(江蘇德威新材料股份有限公司,江蘇太倉215421)

納米導(dǎo)電炭黑的表面改性對(duì)超高壓電纜用半導(dǎo)電屏蔽料性能影響的研究

顧金云, 涂必冬, 錢其琨, 欒珊珊
(江蘇德威新材料股份有限公司,江蘇太倉215421)

采用熔融共混法制備了超高壓電纜用半導(dǎo)電屏蔽料,采用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)技術(shù)研究了納米導(dǎo)電炭黑的表面改性對(duì)超高壓半導(dǎo)電屏蔽料的相容性的影響;研究了復(fù)合材料的表面光潔度、物理機(jī)械性能、電氣性能;通過熱失重技術(shù)(TG)、差示掃描量熱技術(shù)(DSC)研究了復(fù)合材料的高溫穩(wěn)定性。當(dāng)炭黑添加量為25份(Phr)時(shí),半導(dǎo)電屏蔽料的綜合性能最佳。

超高壓;納米導(dǎo)電炭黑;半導(dǎo)電屏蔽料;表面光潔度

0 引 言

半導(dǎo)電屏蔽層是中高壓電纜結(jié)構(gòu)的重要組成部分,能夠使電纜內(nèi)部的電場(chǎng)分布更加均勻,減少應(yīng)力集中對(duì)電纜絕緣層造成的破壞。半導(dǎo)電屏蔽料的質(zhì)量直接影響著電纜的使用安全性及運(yùn)行壽命。我國由于在原材料、制造工藝等方面與國際先進(jìn)水平之間存在巨大差距,國產(chǎn)的半導(dǎo)電屏蔽料在電阻穩(wěn)定性、光潔性、純凈度等方面都有待提高。國際上有不少聚烯烴制造商,如美國陶氏化學(xué)、北歐化工等都開發(fā)生產(chǎn)出超高壓電纜用半導(dǎo)電屏蔽料,國內(nèi)目前使用的半導(dǎo)電屏蔽料主要來自這兩家公司,這兩家公司的產(chǎn)品基本上壟斷了全球(特別是中國)超高壓電纜用半導(dǎo)電屏蔽料的市場(chǎng)。

目前,國內(nèi)超高壓電纜用超光滑半導(dǎo)電屏蔽料的產(chǎn)品還處于空白狀態(tài),相關(guān)研發(fā)工作還剛剛起步。

1 實(shí)驗(yàn)

1.1原材料

乙烯醋酸乙烯酯共聚物(EVA),杜邦公司Elvax460,VA含量為18%;導(dǎo)電碳黑(CB),卡博特公司VULCAN XC68;交聯(lián)劑BIBP,湖南以翔化工有限公司;EVA蠟,江陰久利塑業(yè)有限公司;其他均為市售工業(yè)產(chǎn)品。

1.2納米導(dǎo)電炭黑的表面改性

為了得到很好的分散穩(wěn)定性,采用粒徑較小的納米級(jí)炭黑分散體系,導(dǎo)電炭黑的吸油值大于180 cc/100 g,325目篩余物小于2 PPm,水分含量小于0.1%,硫含量小于0.02%,灰分含量小于0.01%。高分子分散劑選用的單體是順丁烯二酸酐,具體方法為首先用炭黑表面官能團(tuán)轉(zhuǎn)換成活性官能團(tuán),然后與帶有活性端基的聚合物反應(yīng)或引發(fā)乙烯基型單體聚合,達(dá)到表面改性的目的。

(1)將炭黑、甲醛以及一定量的氫氧化鈉(作為催化劑)加入到三口燒瓶中,升溫至70℃,磁力攪拌2 h,反應(yīng)結(jié)束后,將炭黑進(jìn)行過濾,然后水洗至炭黑的懸濁液呈中性,將其過濾分離,炭黑置于烘箱中80℃下干燥24 h,此時(shí)得到的炭黑為氫甲基炭黑。

(2)炭黑表面接枝反應(yīng)。取少量氫甲基炭黑放入三口燒瓶中,再加入一定量的硝酸和順丁烯二酸酐溶液,通氮?dú)?0 min后加入一定量的硝酸鈰銨的水溶液,加熱升溫至30℃反應(yīng)4 h,反應(yīng)結(jié)束后將接枝炭黑水洗以除去炭黑表面的聚合物,然后離心,將炭黑置于烘箱中80℃下干燥24 h。

取出得到表面接枝順丁烯二酸酐的納米導(dǎo)電炭黑。

1.3半導(dǎo)電屏蔽材料的制備

(1)將樹脂、納米導(dǎo)電炭黑、EVA蠟及加工助劑通入超純凈全封閉真空入料裝置,入料裝置的入口與原料的承裝裝置密封連接,原料通過入料裝置底部的閥門密封輸送至原料稱量裝置,控制系統(tǒng)稱量各種原料組分,各種原料組分在稱量裝置中過濾后密封輸送至混合料斗,后經(jīng)混合料斗將原料密封輸送至往復(fù)式單螺桿裝置進(jìn)行共擠;

(2)在往復(fù)式單螺桿裝置中的混合原料在130~150℃下進(jìn)行熔融共擠制備屏蔽料,制備完成的屏蔽料通過換網(wǎng)器和換向閥排出,然后通過65℃的恒溫循環(huán)水降溫輸送至過渡料倉;

(3)將過渡料倉中的屏蔽料密封通入至稱量裝置,通過控制系統(tǒng)進(jìn)入翻滾式攪拌器,在65℃下噴入霧化過氧化物,完成后的屏蔽料進(jìn)入料倉,完成制備過程。

1.4分析與測(cè)試

炭黑、EVA/炭黑和EVA/表面改性炭黑復(fù)合材料的微觀形貌用Hitachi S-4700掃描電鏡(SEM)觀察,斷面用JEM-3010透射電鏡(TEM)觀察。按照GB/T 3048.3—2007及ASTM D 991測(cè)試復(fù)合材料的體積電阻率,測(cè)試變溫電阻時(shí),將試樣及夾具放置在控溫烘箱中。

用Keithley 2400萬用表測(cè)試復(fù)合材料的體積電阻。用島津拉伸機(jī)AG-IC測(cè)試復(fù)合材料的力學(xué)性能,拉伸速率為250 mm/min,并用拉伸機(jī)結(jié)合Keithley 2400測(cè)試復(fù)合材料在拉伸時(shí)的電阻變化,拉伸速率為10 mm/min。

2 結(jié)果與討論

2.1改性后的納米導(dǎo)電炭黑與基料的相容性

圖1a為納米導(dǎo)電炭黑的SEM圖,炭黑的粒徑為20~50 nm,圖1b為納米導(dǎo)電炭黑/EVA復(fù)合材料的SEM圖,圖1c為表面接枝順丁烯二酸酐的納米導(dǎo)電炭黑/EVA復(fù)合材料的SEM圖,圖1d為表面接枝順丁烯二酸酐的納米導(dǎo)電炭黑/EVA復(fù)合材料的透射電鏡圖。

圖1 納米導(dǎo)電炭黑與聚合物的SEM及TEM圖

從圖1a可以看到,納米導(dǎo)電炭黑的表面已經(jīng)順利接枝上順丁烯二酸酐,且改性后的納米導(dǎo)電炭黑粒徑分布較為均勻;從圖1b~圖1d可知,與未改性的炭黑相比,改性后的炭黑均勻分散在EVA基體中,且其表面的有機(jī)基團(tuán)與EVA基料形成共價(jià)鍵結(jié)合,保證了復(fù)合材料良好的電氣性能和機(jī)械性能,且團(tuán)聚體的數(shù)量大幅度減少,從而減少了表面突起點(diǎn),增加成品的表面光潔度,降低了高壓半導(dǎo)電屏蔽材料被高壓擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。

2.2炭黑改性對(duì)復(fù)合材料表面光潔度的影響

EVA/納米導(dǎo)電炭黑、EVA/表面接枝順丁烯二酸酐的納米導(dǎo)電炭黑復(fù)合材料在炭黑添加量為20 Phr的情況下,我們做了表面突起物試驗(yàn)。通過光學(xué)控制系統(tǒng)掃描樣品表面突起點(diǎn)情況,分析樣品表面光潔度。圖2為改性納米導(dǎo)電炭黑與未改性炭黑表面光潔度的對(duì)比圖。從圖2可以看出,與未改性炭黑相比,改性炭黑的表面突起點(diǎn)數(shù)量明顯較少,且在>50μm時(shí)無突起點(diǎn),在25~50μm之間其突起點(diǎn)數(shù)量是未改性炭黑的1/2,故經(jīng)過表面改性的炭黑更適合于生產(chǎn)超高壓半導(dǎo)電屏蔽料。

圖2 改性納米導(dǎo)電炭黑與未改性炭黑表面光潔度對(duì)比

2.3改性炭黑(CB2#)不同的添加量對(duì)復(fù)合材料機(jī)械性能及電性能的影響

表1為不同添加量的CB2#改性炭黑對(duì)復(fù)合材料性能的影響。從表1中可以看出,隨著炭黑添加量的增加,復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長率和體積電阻率均逐漸降低。當(dāng)炭黑的添加量到達(dá)25 Phr時(shí),復(fù)合材料的體積電阻率降低到20Ω·cm以下,繼續(xù)添加炭黑,復(fù)合材料的體積電阻率降低不明顯,但機(jī)械性能大幅降低,不能滿足使用要求,故炭黑的最佳添加量為25 Phr。同時(shí),對(duì)炭黑添加量為25 Phr的復(fù)合材料在拉伸時(shí)的體積電阻率的變化做了記錄,如圖3所示,可以看出體積電阻率不斷增大。

表1 不同添加量的CB2#改性炭黑對(duì)復(fù)合材料性能的影響

圖3 復(fù)合材料拉伸時(shí)體積電阻率的變化

2.4不同添加量的CB2#炭黑對(duì)復(fù)合材料熱穩(wěn)定性能的影響

圖4為炭黑添加量不同的復(fù)合材料的熱失重分析圖。從圖4中可以看出,隨著CB2#炭黑添加量的增加,復(fù)合材料的起始分解溫度無較大變化,其失重速率變化亦不明顯。這說明隨著炭黑含量的增加,其對(duì)復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性能影響不大,其起始分解溫度接近樹脂的正常起始分解溫度。

圖5為炭黑添加量不同的復(fù)合材料的DSC分析圖。從圖5中可以看出,炭黑的加入對(duì)復(fù)合材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的影響并不大,Tg數(shù)值無明顯降低,故炭黑的加入不影響材料的高溫使用性能。

圖4 炭黑添加量不同的復(fù)合材料的熱失重分析

圖5 炭黑添加量不同的復(fù)合材料的DSC分析

3 結(jié) 論

(1)與未改性炭黑相比,經(jīng)過表面處理的炭黑與EVA樹脂有更好的相容性,其機(jī)械性能、電氣性能以及表征超高壓電纜用屏蔽料的關(guān)鍵性能——表面性能均優(yōu)于未改性炭黑。

(2)通過炭黑不同添加量的試驗(yàn),得到制備超高壓電纜用半導(dǎo)電屏蔽料的最佳炭黑添加量為25 Phr。

(3)添加炭黑對(duì)復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性能及高溫使用性能無不良影響。

[1] Hoon Yang,Jong-Seok Yang,Kyung-Yong Lee,et al.Thermal ProPerties of CNT reinforced semiconductive shield materials used in Power cables[C]//Proceedings of 2008 International SymPosium on Electrical Insulating Materials.Yokkaichi,Mie,JaPan,2008.589-592.

[2] 李國征.電力電纜線路設(shè)計(jì)施工手冊(cè)[M].北京:中國電力出版社,2007.

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[4] 鄢 薇,甄 建,薛志剛.可交聯(lián)PE電纜用半導(dǎo)電屏蔽料開發(fā)現(xiàn)狀[J].合成樹脂及塑料,2012,29(4):75-79.

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The Influence of Surface Modified Nano Conductive Carbon BlacK for Semi-Conductive Shielding Material for EHV Cable

GU Jin-yun,TU Bi-dong,QIAN Qi-kun,LUAN Shan-shan
(Jiangsu Dewei Advanced Materials Co.,Ltd.,Taicang 215421,China)

PreParation ofmeltblending semi-conductive shieldingmaterial for EHV cable,using SEM,TEM to study the comPatibility of nano surface-modified carbon black on semi-conductive shieldingmaterials;discusses the surface ProPerties,mechanical ProPerties and electrical ProPerties of the comPound.Using TG,DSC to study the high tem-Perature stability on the comPound.When the carbon black content is 25Phr,the best overall Performance of the semi-conductive shieldingmaterialwe got.

EHV;surfacemodified nano carbon black;sem i-conductive shieldingmaterials;surface cleanliness

TQ 325.12

A

1672-6901(2016)02-0016-04

2015-08-28

顧金云(1959-),男,工程師.

作者地址:江蘇太倉市沙溪鎮(zhèn)沙南東路99號(hào)[215421].

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