呂江萍,胡巧云
(中國兵器工業第214研究所,江蘇蘇州215163)
電路設計
一種曲率補償的高精度帶隙基準源設計
呂江萍,胡巧云
(中國兵器工業第214研究所,江蘇蘇州215163)
基于CSMC 0.5 μm CMOS工藝,設計了一種帶曲率補償的低溫漂帶隙基準源。采用折疊式共源共柵放大器反饋結構帶隙基準源,利用晶體管的VBE與IC的溫度特性產生T1nT補償量,對傳統的帶隙基準進行曲率補償。仿真結果表明,在5 V供電電壓下,-40~125℃溫度范圍內,基準電壓的波動范圍為1.2715~1.2720 V,溫漂為3.0×10-6/℃,低頻時電路電源抑制比為-86 dB。
曲率補償;帶隙基準;折疊式共源共柵
在高性能模擬、數字和電源管理系統中,如A/D、D/A轉換器、濾波器、鎖相環電路以及LDO等中,電路系統的正常工作離不開獨立于溫度和電源的穩定基準電壓。對模擬電路系統而言,基準電壓源的性能直接影響到整個系統的精度和性能,基準的任何偏差和噪聲都會嚴重影響其他電路的線性度和精度[1]。帶隙基準源能夠提供低溫度系數和高電源抑制比(PSRR),是目前各種基準源結構中運用最廣泛的拓撲結構。由于一階補償的帶隙基準源在-40~125℃溫度范圍內的溫度系數為(30~80)×10-6/℃,為了得到性能更好的帶隙基準源,必須進行高階補償。因此,為滿足系統對高精度基準源的需求,開展曲率補償的高精度帶隙基準源研究十分必要。
帶隙基準電路是基于將兩個具有大小相等、方向相反溫度系數的電壓相加,而得到與溫度無關的電壓的原理[2]。其基本原理如圖1所示,負溫度系數電壓由襯底三極管的基極-發射極電壓VBE實現,其溫度系數為-2 mV/℃。……