砷化鎵材料發展狀況概述

趙巧云

（中國電子科技集團公司第四十六研究所，天津，300220）

砷化鎵材料發展狀況概述

趙巧云

（中國電子科技集團公司第四十六研究所，天津，300220）

砷化鎵廣泛應用于光電子和微電子領域，是制作半導體發光二極管和通信器件的關鍵襯底材料。與硅單晶一樣，砷化鎵襯底正逐步向大尺寸、高幾何精度、高表面質量方向發展。目前，日本住友電工、美國AXT代表著國際領先水平；中科晶電、晶明公司代表著國內的先進水平。未來幾年，是國內企業研發6英寸產品，向國際水平沖擊的重要時期。

砷化鎵；半導體發光二極管；襯底材料

砷化鎵（GaAs）是目前最重要、最成熟的化合物半導體材料之一，廣泛應用于光電子和微電子領域。GaAs材料主要分為兩類：半絕緣砷化鎵材料和半導體砷化鎵材料。半絕緣砷化鎵材料主要制作 MESFET、 HEMT和HBT結構的集成電路。主要用于雷達、微波及毫米波通信、超高速計算機及光纖通信等領域。半導體砷化鎵材料主要應用于光通信有源器件（LD）、半導體發光二極管（LED）可見光激光器、近紅外激光器、量子阱大功率激光器和高效太陽能電池。

1　國外技術發展現狀和發展趨勢分析

隨著GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，砷化鎵材料總的發展趨勢是晶體大直徑，長尺寸化。2000年已研制出8英寸LEC砷化鎵單晶拋光片，2002年研制出8英寸VGF砷化鎵單晶拋光片及8英寸VGF砷化鎵外延片，2006年制定出8英寸砷化鎵拋光片SEMI M9.8標準。材料的發展路線圖見圖1。最大應用商品為6英寸。由于8英寸砷化鎵器件生產線投入太大，且沒有市場需求，造成了8英寸砷化鎵襯底沒有形成量產。

隨著微波砷化鎵器件集成度的提高和降低成本的需求，半絕緣砷化鎵拋光片的發展趨勢是增大直徑、提高電學參數的均勻性和一致性。為了提高單片管芯數量，要求增加襯底晶片的尺寸，同時對晶片的幾何參數以及表面狀態的要求更高，對產品的批次一致性要求也更嚴格。目前，4、6英寸半絕緣砷化鎵拋光片生產技術主要掌握在日本住友電工（Sumitomo Electric Industries）、德國費里伯格（Freiberger Compound Material）、美國AXT三個公司手中。這些公司的產品占據著砷化鎵市場的絕大部分份額。砷化鎵單晶生長技術也向成晶率高、成本低的VB/VGF單晶生長技術轉移。至2015年，6英寸襯底已占據市場份額90%以上。銷售的6英寸半絕緣砷化鎵產品的電阻率從107Ω·cm覆蓋到108Ω·cm，具有較高的晶體軸向和徑向電阻率均勻性。拋光片的加工幾何參數如TTV、Warp、LTV也很小。拋光片表面質量狀態也優良，如顆粒少，表面進行鈍化處理，產品的保存時間長。

圖1　砷化鎵材料的發展路線圖

2　國內技術發展現狀和發展趨勢分析

國內砷化鎵材料應用市場以紅黃光LED用半導體單晶拋光片（亦稱低阻砷化鎵襯底）為主，2015年市場規模約1.0億元，折合2英寸襯底約25萬片/月。其中4寸片占30%，2寸片占70%。預計未來2-3年這比例將發生逆轉。預計2020年，折合4英寸襯底約10萬片/月。其中以中科晶電和中國電科46所下屬晶明公司為代表，具備LEC和VB、VGF拉晶技術，主要生產2-4英寸砷化鎵襯底片。

其中晶明公司是國內目前從事半絕緣砷化鎵單晶材料研制的單位之一，4英寸半絕緣拋光片具備月產1-2萬片的能力， 6英寸半絕緣拋光片尚處于研制階段。

中科晶電在08年金融危機時及時做出戰略調整，由原來的以海外市場為主、逐漸轉型為以國內客戶為主，同時根據國內產品需求，把原以2英寸晶片主導產品轉變為4英寸晶片產品，具備2、4英寸砷化鎵襯底月產20萬片以上的生產能力，基本占領了國內市場的70%以上，一躍成為國內半導體材料行業的領軍企業。

目前，國內的砷化鎵產品在性能指標上與國外領先水平還有一定的差距，具體情況如表1所示。從表1中，我們可以看出，國內與國外主要差距主要是單晶質量的差距，4英寸產品已經具備了和國外相當的加工水平，6英寸產品由于加工經驗和設備限制，尚有一定差距。

表1　國內某公司半絕緣砷化鎵與國際先進水平的對比

3　國外應用市場狀況

根據Strategy Analytics的報告，手機仍將是促進砷化鎵（GaAs）IC市場增長的主要動力，尤其砷化鎵PA在3G、4G手機批量應用，每部手機需求PA約2-4顆，砷化鎵PA也可應用WLAN的方面，平板電腦使用PA約4-5顆，而2011年平板電腦出貨6000萬臺。砷化鎵電路不僅用于手機的功放和開關部分，還可用于移動通信基站、光通信、衛星通信、CATV等重要用途，應用領域非常廣泛。國外砷化鎵IC用半絕緣砷化鎵襯底材料已發展到以6英寸為主。砷化鎵IC主要生產商美國的Skyworks，Qorvo和Agago，占全球1/3。2014年全球GaAs芯片生產容量達到了74億美元。

《半絕緣砷化鎵外延片襯底市場預測：2012-2017》指出，砷化鎵市場緩慢增長及手機的多頻砷化鎵功率放大器市場不斷增長，2012年半絕緣砷化鎵外延襯底達到了2900萬平方英寸（折合4英寸230.9萬片），到2017年，襯底需求將達到3160萬平方英寸（折合4英寸251.6萬片）。2013年底，紅黃光LED、LD、太陽能用半導體砷化鎵襯底市場的占有率達50%，預計到2017年市場占有率達到62%，需求半導體砷化鎵襯底折合4英寸320萬片。半絕緣和半導體砷化鎵2017年全球全球銷售額達到6.5億美元。

臺灣是全球最大大的紅、黃光LED產業基地（約占全球的40%），目前以4英寸為主。2015年紅黃光LED外延片和芯片總產值約10億元，襯底材料需求近1.25億元，折合4英寸襯底約8萬片/月，其中晶元光電用量約6萬片/月。韓國市場主要需求國內的砷化鎵多晶用于紅外LED材料。代表用戶有：prowtech、Xtel.AUS等。年市場規模約1000萬元，折合300～400kg/月。

4　國內應用市場狀況

近十年是我國航天快速發展時代，需求量驟增，未來5年衛星通信用太陽能電池外延片市場規模在30萬片/年以上。其中采用4英寸摻Si低阻砷化鎵拋光片需求將達到2萬片/年。

中國是全球第二的紅、黃光LED產業基地（約占全球的30%），典型用戶有三安光電、乾照光電、天津中環、山東華光、太時芯光等。三安光電是國內最大的全色系LED生產商，旗下廈門和天津分廠均使用砷化鎵襯底。其中廈門廠以2英寸為主，2015年用量約2萬片/月；天津廠以4英寸為主，用量約1萬片/月。乾照光電是國內最大的紅黃光LED廠家，以2英寸為主，用量約10～15萬片/月。國內其他廠家以2英寸為主，總用量約5萬片/月。另外，合肥彩虹、山西飛虹等公司也在陸續投產，產能規模有待進一步調研。成都海威華芯科技有限公司2016年4月8日0.25微米6英寸砷化鎵、氮化鎵微波集成電路生產線打通，填補國內空白，打破了國外對中國高端射頻芯片的封鎖，成為國家高端芯片供應安全重要保障。

5　展望

伴隨著通訊技術和新能源產業的迅猛發展，砷化鎵襯底在未來仍具有非常廣闊的市場前景。未來5年內，國內半導體企業在大力發展4-6英寸低阻襯底片的同時，必將突破6-8英寸半絕緣單晶制備的關鍵技術形成批產能力。預計“十三五”期間，我國4英寸砷化鎵生產線將具備月產30萬片以上的生產能力，6英寸半絕緣砷化鎵襯底將達到5萬片/月。

［1］周春鳳，蘭天平，孫強.砷化鎵材料技術發展及需求［J］.天津科技，2015.3，第42卷第3期：11-15.

［2］紀秀峰.砷化鎵材料國內外現狀及發展趨勢［J］. LED產業及其材料技術市場高層論壇論文集，2010-08-09，中國會議.

［3］劉耀彬，胡觀敏，我國LED產業的發展現狀、趨勢及戰略選擇［J］.科技進步與對策， 2010，27（12）：77-81.

An overview of the development of GaAs Materials

Zhao Qiaoyun
（The 46th Research Institute， CETC，Tianjin 300220，China）

GaAs is widely used in the field of Optoelectronics and microelectronics，is a key substrate material for fabricating a semiconductor light-emitting diode and a communications device.As with single crystal silicon， GaAs substrate is gradually to the large size，high geometric precision，high surface quality and direction of development.At present，the Japanese Sumitomo electric industry，AXT represents the international leading level；branch of the crystal electricity，crystal clear company represents the domestic advanced level.The next few years，is the development of 6 inch products of domestic enterprises，an important period of the impact to the international level.

GaAs；semiconductor light-emitting diode；substrate material

趙巧云（1984—），女，河北晉州人，工程師。2011年7月畢業于河北工業大學大學微電子學與固體電子學專業，并獲工學碩士學位。現在中國電子科技集團公司第四十六研究所從事半導體材料科研管理與產業發展管理工作。

本論文受天津市科技計劃項目支持（15ZLZLZF00200）。