溫度對金屬氧化物半導體傳感器的影響研究

金貴新，李世偉

（河南漢威電子股份有限公司，鄭州450000）

溫度對金屬氧化物半導體傳感器的影響研究

金貴新，李世偉

（河南漢威電子股份有限公司，鄭州450000）

金屬氧化物半導體傳感器（MOS）既可以用于檢測ppm級的有毒氣體也可以用于檢測百分比濃度的易燃易爆氣體，無論是在工業(yè)現(xiàn)場的探測器還是在家庭中的報警器都有很廣泛的應用。結合金屬氧化物半導體傳感器在檢測有毒氣體時溫度對檢測精度的影響，提出相應的溫度補償算法。實驗表明，補償后的金屬氧化物半導體傳感器能夠實現(xiàn)對有毒氣體的準確檢測。

金屬氧化物半導體傳感器（MOS）；氣體傳感器；溫度；有毒氣體

0　引言

檢測有毒有害氣體已經(jīng)成為各行各業(yè)保護工作人員生命和健康、保護國家和個人財產(chǎn)不受損害、保護生產(chǎn)和生活環(huán)境不受污染的有力手段，并成為石油化工、煤礦生產(chǎn)、市政設施、環(huán)境保護等方面的一項日常工作。對應各種有毒有害氣體主要的危害性質和特殊的物理、化學性質，我們針對性地選擇不同原理的傳感器技術已實現(xiàn)對它們檢測的同時，還需要兼顧到各種各樣的因素，如成本、精度要求等。

1　半導體傳感器

1.1半導體傳感器的基本工作原理

其敏感體主要是由半導體材料制成的，其中應用最為廣泛的半導體材料不是常見的硅、鍺半導體，而是金屬氧化物半導體，在氣體傳感器領域中應用最多的金屬氧化物是SnO2，ZnO，F(xiàn)e2O3，WO3等。

半導體式氣體傳感器的基本工作原理：就是在一定條件（溫度）下，在被測氣體到半導體表面并與吸附在半導體表面的氧發(fā)生化學反應的過程中伴隨電荷轉移，進一步引起半導體電阻的變化，通過測量半導體電阻的變化就可以實現(xiàn)對氣體的檢測。

金屬氧化物半導體在空氣中被加熱到一定溫度時，氧原子被吸附在帶負電荷的半導體表面，半導體表面的電子會被轉移到吸附氧上，氧原子就變成了氧負離子，同時在半導體表面形成一個正的空間電荷層，導致表面勢壘升高，從而阻礙電子流動。在敏感材料內(nèi)部，自由電子必須穿過金屬氧化物半導體微晶粒的結合部位（晶界）才能形成電流。由氧吸附產(chǎn)生的勢壘同樣存在于晶界而阻礙電子的自由流動，傳感器的電阻即緣于這種勢壘。在工作條件下當傳感器遇到還原性氣體時，氧負離子因與還原性氣體發(fā)生氧化還原反應而導致其表面濃度降低，勢壘隨之降低。導致傳感器的阻值減小。

1.2半導體傳感器的分類

（1）按傳感器所使用的敏感材料的差異可分為：SnO2類、ZnO類、Fe2O3類等。因為摻雜種類繁多，此分類不準確；

（2）按傳感器內(nèi)部結構的差異可分為旁熱式、直熱式、常溫式三類。

被測氣體在半導體表面與氧發(fā)生化學反應時通常需要一定的溫度，要獲得所需要的溫度就必須通過加熱器給傳感器通電加熱。當加熱器與半導體材料為隔離狀態(tài)時，這一類結構的傳感器就是旁熱式氣體傳感器；當加熱器與半導體材料直接接觸時，這一類結構的傳感器即為直熱式氣體傳感器；不需要附加加熱器的傳感器就是常溫式氣體傳感器。

2　金屬氧化物半導體傳感器溫度補償

金屬氧化物半導體傳感器的工作原理決定了其正常工作時需要有恒定的溫度條件，在工作環(huán)境溫度發(fā)生變化時，檢測誤差將會大大增加。為了滿足實際應用中不同溫度環(huán)境下的正常工作，對氣體濃度的精確檢測，必須對其進行溫度補償。不同結構和不同半導體材料的傳感器其特性也有區(qū)別，針對金屬氧化物（ZnO）半導體傳感器測苯蒸汽，進行了大量的實驗，搜集整理了相應的數(shù)據(jù)并進行分析，針對這種情況，進行了大量的實驗分析，積累了溫度對于半導體傳感器輸出信號影響的數(shù)據(jù)，從而通過硬件處理與軟件算法結合的溫度補償設計，對溫度所引起的誤差進行補償。

硬件電路上采用差動運放電路進行溫度補償，軟件算法上通過內(nèi)置的儀器內(nèi)置的溫度傳感器，結合實驗數(shù)據(jù)庫進行補償。具體算法流程如下圖：

圖1　金屬氧化物傳感器溫度補償算法流程圖

如圖2所示，首先需要通過大量的實驗數(shù)據(jù)和實驗分析建立不同溫度下傳感器濃度值變化數(shù)據(jù)的專家?guī)欤谟媒饘傺趸铮╖nO）半導體傳感器測苯蒸汽設計探測器時，探測器內(nèi)部要有精度較高的溫度傳感器，通過高精度的溫度傳感器獲取被測環(huán)境中的溫度值，根據(jù)被測氣體環(huán)境的溫度值，從專家?guī)熘姓{取對應的溫度補償算法，然后將補償后的濃度值與補償前的濃度值進行對比，與專家?guī)熘械慕?jīng)驗值在一定的閾值范圍內(nèi)，接受該濃度值，否則重新調用專家?guī)熘械难a償算法，直至顯示出準確的濃度值。

3　實驗分析

為了驗證金屬氧化物（ZnO）半導體傳感器測苯蒸汽溫度補償算法是否可以提高檢測精度，取某型號金屬氧化物（ZnO）半導體測苯蒸汽傳感器50只，安裝在某廠家生產(chǎn)的50臺量程為0～1000ppm測苯蒸汽的氣體探測器（工作溫度-10℃～40℃）上，分別將其編號為1到50號。

苯蒸汽探測器使用沒有進行任何溫度補償?shù)那度胧杰浖惴ǎ瑢?0臺探測器同時放置在濃度200ppm的苯蒸汽環(huán)境中，調節(jié)環(huán)境溫度，調至室溫20℃，記錄每臺的數(shù)據(jù)，再依次升高至30℃、40℃、50℃，降低至0℃、-10℃，并分別記錄在不同溫度下的每一臺的濃度數(shù)據(jù)。根據(jù)數(shù)學統(tǒng)計的方法，對每個溫度下的檢測到的濃度值進行處理，得出在不同溫度下的濃度值。同樣，對500ppm濃度的NH3進行相同的試樣。

將同樣的50只金屬氧化物（ZnO）半導體傳感器測苯蒸汽傳感器安裝在帶有高精度內(nèi)置溫度傳感器且含有溫度補償專家數(shù)據(jù)庫和溫度補償算法的50臺同樣的氣體探測器上。按照上述相同的試驗方法進行實驗，并記錄相應的實驗數(shù)據(jù)。

在濃度為200ppm和500ppm濃度的苯蒸汽中，氣體探測器在有無溫度補償算法時不同溫度下探測器檢測到的實際濃度值如下圖所示：

圖2　金屬氧化物半導體傳感器測苯蒸汽不同濃度下有無溫度補償對比

由上圖可知，在200ppm和500ppm時，沒有溫度補償?shù)那闆r下，傳感器檢測出的氣體濃度隨溫度變化非常大，誤差已經(jīng)超過允許范圍，通過硬件和軟件溫度補償之后，在不同溫度下，探測器檢測到的濃度值得誤差均在3%以內(nèi)，可以滿足使用要求。

4　結語

由實驗結果可知，在使用金屬氧化物（ZnO）半導體測苯蒸汽傳感器進行苯蒸汽檢測時，需要對其進行相應的溫度補償，以滿足實際應用中的需求。在未來的工作中，將進一步對電化學傳感器的性能進行研究，將金屬氧化物（ZnO）半導體測苯蒸汽的溫度補償算法在其他的半導體傳感器的應用上進行移植，最終解決所有半導體傳感器在檢測時溫度的影響。

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Research on the Influence of Temperature on the Metal Oxide Semiconductor Gas Sensor

JIN Gui-xin，LI Shi-wei
（Henan Hanwei Electronics Co.，Ltd，Zhengzhou 450000）

Metal oxide semiconductor（MOS）sensor can be used to detect the PPM level of toxic gas，and can also be used to detect the percentage concentration of flammable and explosive gas，both in the industrial field of detector and alarm in the family has a wide range of applications.Combined with the detection of toxic gas metal oxide semiconductor sensor when the temperature's influence on the accuracy，puts forward the corresponding temperature compensation algorithm.Experiments show that the compensation of metal oxide semiconductor sensor can realize accurate detection of toxic gases.

Metal Oxide Semiconductor Gas Sensor；Gas Sensor；Temperature；Toxic Gas

1007-1423（2016）23-0043-03DOI：10.3969/j.issn.1007-1423.2016.23.011

李世偉（1989-），男，河南平頂山人，研究生，研究方向為氣體檢測儀器儀表、傳感器應用

2016-08-01

2016-08-10

金貴新（1972-），男，河南信陽人，本科，研究方向為氣體檢測儀器儀表、傳感器應用