一種基于片上測試系統的AlGaN/GaN HEMT器件大信號建模方法

史麗云， 沈 溧, 唐 旻， 高建軍

(1. 上海交通大學 高速電子系統設計與電磁兼容研究教育部重點實驗室， 上海 200240;2. 華東師范大學 信息科學技術學院, 上海 200241)

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一種基于片上測試系統的AlGaN/GaN HEMT器件大信號建模方法

史麗云1， 沈 溧2, 唐 旻1， 高建軍2

(1. 上海交通大學 高速電子系統設計與電磁兼容研究教育部重點實驗室， 上海 200240;2. 華東師范大學 信息科學技術學院, 上海 200241)

AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半導體材料之一。AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管 ( HEMT)器件的建模方法主要基于傳統的GaAs FET模型分析方法，未考慮材料本身的新特性。通過使用片上測試系統，結合數值分析方法，提出了一種AlGaN/GaN HEMT器件的大信號模型，該模型中的寄生參數值可通過特殊測試結構和數值優化方法獲得，模型中的直流參數可以通過改進傳統STATZ直流模型獲得，改進后模型的直流參數隨著柵-源電壓的變化而變化，比傳統STATZ模型準確度提高了約10%。實驗測量結果表明，在0.1～40 GHz的頻率范圍內，模型參數提取結果與器件測量結果吻合良好。

AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管; 大信號; 模型; 片上(在片)測試

0 引 言

AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半導體材料之一。采用AlGaN/GaN摻雜結構的高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transister, HEMT)器件，因具有高傳輸速率，高功率容量，低功率損耗，低噪聲的優點，在微波毫米波放大器領域以及光電子器件領域得到了巨大關注，并且展示出了優異的特性[1-3]。隨著射頻微波高速電路的快速發展，人們對AlGaN/GaN HEMT器件模型的準確度要求越來越高，因為準確的模型可以大大提高產品研發的成功率，縮短研發周期，降低研發成本。目前AlGaN/GaN HEMT器件的建模方法主要基于傳統的GaAs FET模型分析方法，AlGaN/GaN的許多新特性的影響，比如電荷俘獲效應、自熱效應、色散效應等，都沒有被考慮進去[4-7]。本文采用在片測量參數提取方法，提出了一種改進的AlGaN/GaN HEMT器件大信號模型，首先給出了寄生參數的提取步驟；然后根據提取的寄生參數值，提出了一種改進的 STATZ直流模型；并且介紹了建模所需的在片測量系統，最后對模型參數值和器件測量值進行了對比。

1 寄生參數提取

AlGaN/GaN HEMT器件的物理結構截面見圖1。該器件采用MOCVD方法，襯底基片為6H-SiC，包括AlN緩沖層，GaN保護層和AlGaN勢壘層，源極和漏極采用的金屬為Ti/Al/Ni/Au, 柵極的金屬為Ni/Au，柵寬為100 μm，柵長為1.3 μm，截止電壓為-4.8 V。實驗樣品由中國科技電子集團第十三研究所提供。

圖1 AlGaN/GaN HEMT器件物理結構截面圖

圖2給出了AlGaN/GaN HEMT器件大信號模型等效電路的拓撲結構[8]。該模型中Cpgi、Cpdi和Cpdgi分別代表柵極、源極和漏極之間的交叉電容；Cpgo、Cpdo和Cpdgo代表主要由焊盤引起的寄生電容；Lg、Ld和Ls分別代表柵極、源極和漏極饋線的寄生電感；Rs、Rd分別代表源極和漏極的寄生電阻；Rg為柵極的分布電阻；Cgs、Cgd和Cds為柵-源、柵-漏和漏-源之間的本征電容。

焊盤寄生電容值的提取主要通過一個開路結構的測試夾具獲取[9]，該夾具沒有晶體管只有焊盤，其具體等效電路模型見圖3(a)，Cpgo,Cpdo和Cpdgo可以直接測試開路夾具的Y參數(YijO)獲取，具體公式如下：

圖2 HEMT器件大信號模型等效電路

(1)

(2)

(3)

寄生電感和寄生電阻的提取可以通過一個短路結構的測試夾具獲取，該夾具包括焊盤、饋線以及一個短路的晶體管，其等效電路圖見圖3(b)。首先獲取整個電路的Y參數，然后對Cpgo,Cpdo和Cpdgo去嵌，將去嵌后的Y參數轉化成Z參數(ZijS)。Lg,Ld,Ls,Rs,Rd和Rg可以由圖中虛線框部分的Z參數獲得:

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

電極間的交叉電容Cpgi,Cpdi和Cpdgi可以通過迭代法[10]，與本征電容一起進行優化得到：

(10)

式中:ZINT代表本征電容(Cgs,Cgd,Cds)；ZEXT代表電極間的交叉電容；ωk為角頻率。優化過程中的誤差可由下式計算獲得[11]：

(11)

(12)

(a) 開路測試結構等效電路

(b) 短路測試結構等效電路

圖3 測試夾具結構等效電路圖

2 直流參數提取

STATZ直流模型是GaAs HEMT經典直流模型之一[12]。該模型中電流和電壓的關系如下式所示：

(13)

式中：α、β、λ和b為STATZ直流模型的擬合參數;Uth為截止電壓。

當Ids趨向于零時，Uth可由下式獲得：

(14)

在飽和工作區(Uds≥3/α),當Ugs≈Uth時，可由式(15)、(16)獲得λ和β值；當Ugs?Uth時，可由式(17)獲得b的值。在線性工作區 (Uds<3/α), 當Ugs≈Uth時，α的值可由式 (18)獲得：

(15)

(16)

(17)

(18)

式中：Ids1和Ids2為在不同偏置電壓下的漏-源電流;Uds1和Uds2為與之對應的漏-源電壓。

在AlGaN/GaN HEMT器件中，α,β,λ和b不再是固定的數值，而是與柵-源電壓Ugs變化有關的變量[13]，如圖4所示，α隨著Ugs的增加而變大，β、λ和b則是隨著Ugs的增加而減小，因此傳統的STATZ直流模型需要改進。根據圖4所示，對α,β,λ和b的提取值，進行公式擬合，得到擬合曲線的計算式為：

(19)

(20)

(21)

(22)

(a) α、β的擬合值與提取值比較

圖4 直流模型參數的公式擬合值與參數提取值的比較

3 在片測試系統搭建與結果討論

本模型是基于在片測試系統提取的，具體的在片測試系統搭建框圖如圖5所示，圖中矢量網絡分析儀為Keysight PNA N5227A，直流偏置電壓由Agilent B1500A提供，所有的測試都是在Cascade探針臺上進行，探針采用pitch為150 μm ACP探針，軟件ICCAP為自動化測試提供了便利條件[14]。

目前，最常用的兩種校準方法是TRL (Thru-Reflect-Line) 和SOLT (Short -Open-Load-Thru)。TRL方法優點在于所需要校準件簡單，不需要理想的開路短路器件，該方法更適用于非同軸測試環境，比如共面波導結構測試，該方法對校準帶寬有要求，一般要求工作帶寬為起始頻率的8倍[15-16]，因此更適用于窄帶校準。SOLT更多依賴于校準件的性能指標，而且所需要的校準件比較多，校準比較復雜，但是它是一種寬帶校準方法，可以在40 GHz的范圍內提供良好的穩定的校準參數。通過上述對兩者各自的優勢與劣勢的比較,我們選用了SLOT校準方法。

圖5 S參數測試系統

我們在軟件ADS里面，在0.1～40 GHz范圍內，對AlGaN/GaN HEMT器件進行了S參數仿真；通過采用開路測試結構、短路測試結構的測量數值，提取寄生參數，具體提取值見表1。

表1 GaN HEMT器件模型寄生參數提取值

為了驗證本文提出的模型，我們將AlGaN/GaN HEMT模型S參數仿真值與實際測量值在0.1～40 GHz頻率范圍內進行對比，結果如圖6所示，兩者具有良好的一致性。

圖6 模型仿真結果與實際測量結果對比圖

(Uds= 6 V，Ugs= -3.8 V)

測量了AlGaN/GaN HEMT器件的直流I—U特性。通過對表1寄生參數值去嵌，可以獲得本征參數的直流I—U特性。改進型STATZ直流模型各個擬合值如表2所示。在圖7中，將模型中的I-U曲線的模型值和測量值進行比較，AlGaN/GaN HEMT器件的改進型STATZ模型比傳統STATZ模型準確度提高了10%左右。

表2 改進型STATZ模型參數提取值 (Uth= -4.8 V)

圖7 AlGaN/GaN HEMT器件的I—U特性模型值與測量值對比

4 結 語

本文提出了一種改進的AlGaN/GaN HEMT器件大信號模型。模型中的寄生參數可以由開路結構、短路結構測試和數值優化方法提取，直流模型在傳統的STATZ模型基礎上進行了改進，比傳統STATZ模型準確度提高了約10%。通過軟件ADS對模型參數進行了仿真，與實驗測量參數結果進行對比，獲得了良好的一致性，從而驗證了本模型的精確性。

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A Large-signal Modeling Method for AlGaN/GaN HEMT Using On-wafer Measurement

SHILi-yun1,SHENLi2,TANGMin1,GAOJian-jun2

(1. Key Laboratory of Design and Electromagnetic Compatibility of High Speed Electronic Systems of Ministry of Education, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200240, China; 2. School of Information and Science Technology, East China Normal University, Shanghai 200241, China)

AlGaN/GaN is one of the most attractive semiconductor materials. The modeling method for AlGaN/GaN device is mainly based on the traditional FET GaAs model analysis method, without considering the new characteristics of AlGaN/GaN. A parameter-extraction approach for large-signal model of the AlGaN/GaN HEMTs is proposed in this paper. The values of the parasitic parameters are extracted by using test structure and empirical optimization pracedure. An improved empirical model for the DC characteristics is presented in this paper. The improvement consists in allowing the Statz model paramseters to vary with gate-source voltage. Good agreement is obtained between the modeled and measured results in the frequency range of 0.1～-40 GHz.

AlGaN/GaN HEMT; large-signal; model; on-wafer measurement

2015-10-29

國家自然科學基金重點項目61234001

史麗云(1986-)，女， 河北保定人，碩士，助理工程師，主要研究方向是微波測試測量。

Tel.：021-34204353; E-mail：shily@sjtu.edu.cn

TN 386

A

1006-7167(2016)09-0082-04