趙 威
(營口理工學院化學與材料工程系,遼寧營口 115004)
含氮雜環(huán)配合物的光學性質(zhì)理論研究
趙 威
(營口理工學院化學與材料工程系,遼寧營口 115004)
在密度泛函理論(DFT)的B3LYP/6-31G(d,p)水平上,對含氮雜環(huán)配合物以1,3,5-三嗪環(huán)為單體,分別加入鹵素Cl,噻吩環(huán)或者對稱的加入噻吩環(huán)后四種含氮雜環(huán)化合物的幾何結構進行了全優(yōu)化。討論缺電子類含氮雜環(huán)配合物進行修飾后的結構,對在獲得基態(tài)穩(wěn)定構型的基礎上,應用含時密度泛函理論(TD-DFT)計算設計化合物的電子吸收光譜,討論了最大吸收波長和部分前線分子軌道能量,以期為同類化合物的合成提供理論依據(jù)。
密度泛函理論;穩(wěn)定構型;吸收光譜
近年來高分子共軛化合物的光電研究越來越受到研究者們的關注,尤其對一些含缺電子雜環(huán)類化合物的研究成為熱點。關于富電子環(huán)和缺電子環(huán)構成的聚合物具有電荷移動的性質(zhì),S0和S1之間的能量有所降低,可以合成一些電荷移動型聚合物。1,3,5-三嗪環(huán)上可以進行化學修飾,設計一些列新的化合物,比如:加入鹵素Cl,噻吩環(huán)或者對稱的加入噻吩環(huán),對其設計的化合物進行光譜性質(zhì)研究,對于開發(fā)這一類化合物提供理論指導作用。計算結構見圖1。

圖1 含氮雜環(huán)配合物
所有的計算均采用高斯Gaussian03計算程序完成,首先對四種化合物進行了基態(tài)幾何結構優(yōu)化,進行頻率計算來確認設計的化合物穩(wěn)定存在。
1.1 光譜計算
應用含時密度泛函理論(TD-DFT)計算設計化合物的電子吸收光譜,分別計算出了含氮雜環(huán)化合物的躍遷軌道、成分、最大吸收波長(λ)、振子強度(f)和主要躍遷類型見表1。……