“Transistor Density Increase by 1000X”鰭式晶體管密度增加技術(shù)

成果發(fā)布人、美國加州大學(xué)伯克利分校教授胡正明：“現(xiàn)在晶體管的三極已經(jīng)可以縮小到1納米的寬度，未來半導(dǎo)體晶體管的密度還將再增加1000倍。這也就意味著互聯(lián)網(wǎng)將來的速度和普及度也還有千百倍成長的空間。”

半導(dǎo)體技術(shù)是互聯(lián)網(wǎng)的一個(gè)重要支柱和驅(qū)動(dòng)力。但在2010年以后，半導(dǎo)體的微型化遇到了一個(gè)很大的危機(jī)。在晶體管不能再繼續(xù)微型化的情況下，摩爾定律就要停止。在這種情勢下，加州大學(xué)伯克利團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新發(fā)明了“鰭式晶體管”——一種垂直的薄膜，它可以讓摩爾定律繼續(xù)下去，讓半導(dǎo)體的微型化大幅度再成長。

在過去的12個(gè)月，伯克利研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新了如何把半導(dǎo)體做得很薄的三項(xiàng)技術(shù)：一是可以讓天然的極薄的薄膜——二維半導(dǎo)體，長在垂直的鰭式晶體管的結(jié)構(gòu)上；二是讓二維半導(dǎo)體長在大面積的晶圓上，讓它覆蓋垂直薄膜的晶體管，同時(shí)可以在一片芯片上做兩層、三層甚至更多層的電路；三是用二維半導(dǎo)體的薄膜做了一個(gè)晶體管，證實(shí)了它可以把晶體管的三極縮小到1納米的寬度。