TRIPLE RESURF LDMOS器件的優(yōu)化設計

顏世朋，薛智民，王清波

（西安微電子技術(shù)研究所（771所）陜西 西安710119）

TRIPLE RESURF LDMOS器件的優(yōu)化設計

顏世朋，薛智民，王清波

（西安微電子技術(shù)研究所（771所）陜西 西安710119）

提出了一種新型TRIPLE RESURF結(jié)構(gòu)的LDMOS器件，與普通的TRIPLE RESURF結(jié)構(gòu)不同的是埋層采用了分區(qū)注入，即在靠近源端一側(cè)采用較高注入劑量，在靠近漏端一側(cè)則采用較低的注入劑量。因而會降低漏端表面電場峰值，提高了擊穿電壓。利用SILVACO TCAD軟件分析了各個參數(shù)對擊穿電壓和比導通電阻的影響，與普通的TRIPLE RESURF結(jié)構(gòu)相比，在比導通電阻不變時，擊穿電壓則提高了15 V。

LDMOS；TRIPLE RESURF；擊穿電壓；比導通電阻

隨著集成電路的發(fā)展，尤其是智能功率集成電路的發(fā)展，對功率器件提出了越來越高的要求。LDMOS由于它的電極均可以在器件的表面引出，因而可以與主流的VLSI集成電路工藝技術(shù)相兼容，成為了功率集成電路的首選，并廣泛應用于LED驅(qū)動、電源管理及汽車電子等領(lǐng)域。對于LDMOS來說，比導通電阻和擊穿電壓是兩個重要的參數(shù)，同時相互影響，降低比導通電阻和提高擊穿電壓是器件的設計與研究的熱點與難點。目前采用的技術(shù)主要有以下幾種：場板技術(shù)[1]，橫向變摻雜技術(shù)[2]，埋層技術(shù)[2-3]，超結(jié)技術(shù)[4-8]，降低表面電場（RESURF）技術(shù)[9-15]等技術(shù)，它們對器件擊穿電壓和比導通電阻的改善起到了很大的作用。

RESURF技術(shù)是在LDMOS器件設計中廣泛應用的一種技術(shù)，它是利用橫向與縱向兩個PN結(jié)的耗盡層相互作用，就是器件在表面電場達到臨界電場之前，使漂移區(qū)在縱向上完全耗盡，從而使擊穿點由表面轉(zhuǎn)移到體內(nèi)，進而提高擊穿電壓。……