以ITO/TiO2為基質采用不同條件電沉積CdSe異質結電極的光電性能研究

齊樂輝，韓淼，孟鑫，范卓文（.黑龍江中醫藥大學，黑龍江哈爾濱50040；.哈爾濱市第九十五中學校，黑龍江哈爾濱5008）

以ITO/TiO2為基質采用不同條件電沉積CdSe異質結電極的光電性能研究

齊樂輝1*，韓淼2，孟鑫1，范卓文1
（1.黑龍江中醫藥大學，黑龍江哈爾濱150040；2.哈爾濱市第九十五中學校，黑龍江哈爾濱150028）

采用恒電位沉積法，以ITO/TiO2為基質制備CdSe納米粒子。EDX和SEM測試分析表明，Cd和Se粒子原子比已接近1∶1沉積在TiO2表面及內部形成異質結，粒徑分布比較均勻。通過調節電沉積的電位和沉積反應時間，可以控制CdSe的粒徑。紫外-可見吸收光譜數據表明，不同沉積條件下制備的CdSe粒子展現出不同的光電性能。

恒電位沉積；硒化鎘異質結；復合薄膜電極；光電性能

TiO2作為一種重要的半導體材料被廣泛應用在光電池領域[1]。但其自身的缺陷是能帶比較寬，對太陽能的吸收利用率較低，這就大大地影響了它的應用范圍。在改進TiO2的光電轉換效率的一系列研究中發現，利用能帶較窄的半導體材料與TiO2組成異質結是非常有效地方法[2-5]。硒化鎘（CdSe）是一種N型半導體材料，能量禁帶寬度為1.75eV，吸收效率高，屬于直接帶帶躍遷型能帶結構，可以有效的吸收紫外-可見光的能量，可以作為太陽能電池的窗口薄膜材料，因此，有著非常廣闊的應用前景。

應用電沉積法制備半導體復合薄膜，可以通過調控沉積條件來改變異質結的組成、厚度以及粒徑的尺寸等[6]，引起了廣大學者的重視和應用[7,8]。以ITO/TiO2為基質，采用電沉積法制備ITO/TiO2/CdSe異質結薄膜，已達到提高TiO2的太陽能轉化效率的目的。……