伍蓮洪++鄭薇++蘇黎++韓海波
摘 要本文介紹了一種跨導電容(Gm-C)濾波器的設計。文中采用有源器件替代法,實現了3階橢圓低通濾波器。通過調節偏置電流及電容陣列,從而實現濾波器的帶寬可調。仿真結果表明,在TT工藝角下,3dB帶寬:≥67.92MHz;100 MHz處衰減:≥21.53dB;帶內波動:≤0.11dB;1dB壓縮點:≥-9.91dBm;電路功耗:≤6.47mA;芯片面積約為0.35mm2。最后給出了和本文LPF結構完全相同的某款LPF測試結果,以驗證本文LPF是完全可行的。
【關鍵詞】跨導電容濾波器 低通 橢圓 帶寬可調
1 引言
在射頻前端芯片中,實現中頻濾波器的片上集成是提高芯片集成度最有效方法之一。模擬有源濾波器即是一種可片上集成且性能較好的濾波器。有源濾波器實現方法有多種,如RC濾波器,跨導電容(Gm-C)濾波器。RC濾波器適用于低頻領域,且對RC元件值變化敏感;Gm-C濾波器主要優點是較低功耗和較高工作頻率,因此普遍應用于高頻領域。實現Gm-C濾波器方法有多種,如信號流圖法和有源器件替代法。本文采用有源器件替代法,濾波器在功能和結構上和無源原型相同,有較好電性能。
2 濾波器的組成和工作原理
圖1為本文所設計的濾波器的系統框圖,恒定跨導(Constant-Gm)偏置產生50uA的基準電流,IBIAS將50uA電流轉為100uA,供給低通濾波器(LPF)中的跨導(Gm)單元用作偏置電流。
Constant-Gm偏置原理圖如圖2所示。R采用電阻陣列的形式實現,當R發生偏差時可調節控制端CTRL_R以輸出需要的電流。調節控制端CTRL_I,可調節晶體管M5、M6 以及M7的尺寸總和相對M3的尺寸比例,從而調節IREF_C的大小。通過調節CTRL_I以及CTRL_B,可較大范圍的調節IREF_B的電流大小,使LPF中Gm單元的跨導值可調,從而實現LPF的帶寬調節。
3 LPF電路實現
3.1 無源濾波器到有源濾波器的轉換
首先根據系統指標需求,選用3階橢圓濾波器,得到3階橢圓LPF的RLC原型電路,如圖3所示。
如圖4所示,將兩個Gm單元交叉連接即構成回旋器。利用回旋器的阻抗倒置作用,即可用電容實現有源電感,電容C2和電感L1的對應關系如式(1)所示。將Gm單元接成單位負反饋形式實現有源電阻。電阻值和跨導值的對應關系如式(2)所示。將圖3中的電感及電阻用有源電感和有源電阻替換,即得到Gm-C濾波器的整體框圖。其中Vi經過gmi單元等效為圖3中的Iin。
(1)
(2)
3.2 Gm電路設計
Gm電路的功耗和線性度,直接決定了LPF的功耗和線性度。本文所采用的Gm電路如圖5所示。圖4中,由于濾波器無源模型的插入損耗約為6dB,將gmi的跨導值取為gmr的兩倍,以提供6dB增益,這樣可使濾波器的增益為0dB。晶體管M1-M4構成差分互補跨導單元,其輸出電流是非互補跨導輸出電流的兩倍。因此功耗效率提高了一倍。M5-M6連接成二極管形式,提高了輸入線性度。晶體管M9-M14構成共模反饋用于穩定輸出共模電壓。
3.3 電容陣列的實現
圖4中,LPF的濾波特性如3dB帶寬以及帶內波動,受C1-C3的電容值影響很大。而電容值會由于芯片制造工藝而發生偏差,其誤差值最大可達到15%。所以,為了彌補工藝偏差對濾波特性的影響,將C1-C3采用電容整列的形式實現。
4 LPF版圖設計與仿真測試結果
圖6為LPF電路版圖,版圖布局時,應使電容之間及晶體管之間盡量匹配。表1對LPF在TT工藝角不同溫度下的仿真結果進行了總結。從表可知,3dB帶寬≥67.92MHz,100MHz處衰減:≥21.53dB,輸入1dB壓縮點:≥-9.91dBm。
以下給出了和本文LPF電路結構完全相同的某款LPF的測試結果。圖7為該款LPF的濾波特性測試曲線,由圖可知,濾波器在阻帶內衰減25.75dB。足以證明本文LPF電路是完全可行的。
5 結語
本文采用Gm-C方式實現了3階橢圓低通濾波器。Gm單元采用互補跨導實現以提高功耗效率。將Gm單元偏置電流設計成可調,同時將電容采用陣列實現,以調節工藝偏差導致的LPF濾波特性偏差。最后給出了和本文LPF結構完全相同的某款LPF測試結果,以驗證本文LPF電路完全可行。
參考文獻
[1]Fei Yuan,CMOS Active Inductors and Transformers,Springer,2008.
[2]H.Voorman,H.Veenstra,“Tunable High-Frequency Gm-C Filters”,IEEE J. Solid-State Circuits,vol.35,pp. 1097–1108,Aug.2000.
作者單位
成都嘉納海威科技有限責任公司 四川省成都市 610091