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液晶顯示器的崛起,徹底替代了CRT。近年來(lái)TFTLCD液晶面板產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)[1],行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)俞顯激烈,客戶對(duì)液晶面板的質(zhì)量要求不斷提高。彩膜(Color Filter簡(jiǎn)稱CF)作為液晶面板的主要組成部分[2,3],正面臨著越來(lái)越嚴(yán)峻的挑戰(zhàn);彩膜的生產(chǎn),雖然是在高潔凈度的空間內(nèi)完成的,但是由于工藝的復(fù)雜性、多樣性、重復(fù)性等特點(diǎn);彩膜在生產(chǎn)過(guò)程中仍會(huì)出現(xiàn)以Particle為主的各種缺陷[4~7]。這些缺陷也被稱為彩膜良率的殺手锏,主要會(huì)造成液晶面板出現(xiàn)壞點(diǎn)等品質(zhì)不良,根據(jù)品質(zhì)不良類型造成液晶屏在質(zhì)量等級(jí)上分為A+、A、B、C等等級(jí),甚至造成液晶屏的廢棄。隨著競(jìng)爭(zhēng)的加劇,彩膜生產(chǎn)廠家在提高生產(chǎn)技術(shù)水平的同時(shí),也要進(jìn)一步加強(qiáng)生產(chǎn)、檢測(cè)和修補(bǔ)等內(nèi)部質(zhì)量管控,進(jìn)而減少缺陷率,從而保證液晶屏的高等級(jí)率。
彩膜一般可以定義為由黑矩陣、紅、藍(lán)、綠三原色組成的色彩矩陣單元,為TFT基板提供色彩,從而達(dá)到顯示圖像的目的。適應(yīng)高PPI的要求,Panel正向高密度Pixel、精細(xì)化的方向努力發(fā)展。這也意味著,容忍的微觀不良,向著數(shù)量少、影響小的方向過(guò)渡。而工藝的高要求下,并沒(méi)有新的革新技術(shù)出現(xiàn),以避免常規(guī)不良的產(chǎn)生,相反,高PPI俞凸顯不良的存在性。
微觀不良一般表現(xiàn)為有異于彩色矩陣的點(diǎn)狀不良。從彩膜的整個(gè)工藝制程講,人員、物料、設(shè)備、環(huán)境等因素,都會(huì)帶來(lái)Particle的沉積,形成不良。從物質(zhì)組成上,可以簡(jiǎn)單區(qū)分為原材料引起的殘留、外界物質(zhì)進(jìn)入導(dǎo)致的Particle堆積、膜質(zhì)脫落導(dǎo)致的膜面缺失等。從形態(tài)上可以分為纖維狀、點(diǎn)狀、圓形等。而從缺陷高度的角度衡量,缺陷本身一般具備一定的高度,在成盒階段,容易形成黑白點(diǎn)和Gap類不良,嚴(yán)重的會(huì)導(dǎo)致Panel質(zhì)量等級(jí)的下降,甚至?xí)慌卸镹。

圖1 Particle堆積和膜面缺失
根據(jù)彩膜的工藝特點(diǎn),按照膜形成的時(shí)間節(jié)點(diǎn),可將Particle導(dǎo)致的不良分為兩類:膜上不良和膜下不良,如圖2、圖3所示。針對(duì)有高度缺陷的修補(bǔ),主要的修補(bǔ)手段就是研磨,而如果缺陷本身具備很高的硬度,意味著將其本身打磨掉具備很大的難度。假如這樣的缺陷是嵌在膜層當(dāng)中,研磨很容易導(dǎo)致形成膜層脫落。而對(duì)于硬度較低的缺陷,不論出現(xiàn)在膜上還是膜下,都不會(huì)有太大膜層脫落的風(fēng)險(xiǎn)。

圖2 膜面上的不良,很容易研磨掉

圖3 膜面下的不良,很容易研磨失敗
如圖2、圖3所示,尚且不討論研磨的原理與技術(shù),單從缺陷本身,就意味著很難有一套固定的修補(bǔ)成功率范圍去衡量所有類型缺陷。而經(jīng)過(guò)修補(bǔ),不能達(dá)到既定的高度,或者造成膜面的缺失,都意味著修補(bǔ)失敗。普遍意義上講,金屬類缺陷、玻璃碎屑類缺陷具備很高的硬度,這類缺陷不容易被磨掉。同時(shí)一些經(jīng)過(guò)烘烤的Particle,也具備很高的硬度,而且容易出現(xiàn)在膜面以下,造成很大概率的修補(bǔ)失敗。我們可以得出結(jié)論,不論形態(tài)、成分,和缺陷本身的硬度相比,都不具備更佳的代表性,用以區(qū)分不同類型缺陷具有不同結(jié)果的修補(bǔ)成功率。
這里我們可以認(rèn)為,如果可以設(shè)定一定的技術(shù)手段,分別適用不同硬度的缺陷,就可以很好的提高修補(bǔ)的成功率。但是,盡管從缺陷軟硬程度可以簡(jiǎn)單區(qū)分,但是在具體的修補(bǔ)過(guò)程中,我們很難確定哪個(gè)缺陷是硬質(zhì)哪個(gè)缺陷是軟質(zhì),從而選擇與其適配的修補(bǔ)手法等,達(dá)到良好的修補(bǔ)效果。而在不斷擴(kuò)張的產(chǎn)業(yè)里,不可能有充足的時(shí)間,每修補(bǔ)一個(gè)點(diǎn)位就更換一套技術(shù)手段。藉此,我們不得不從一個(gè)尋求不偏規(guī)律的角度,去提升修補(bǔ)的成功率。以修補(bǔ)點(diǎn)數(shù)為基礎(chǔ),在經(jīng)歷一段時(shí)間的數(shù)據(jù)積累后,計(jì)算出失敗的比例數(shù)據(jù)如圖4所示。
從數(shù)據(jù)不難看出,波動(dòng)很大,水平較高,亟需一種科學(xué)的手段進(jìn)行改善。

圖4 修補(bǔ)失敗的比例
從微觀缺陷的基本規(guī)律看,一般情況下,缺陷的高度范圍在0~50μm,大小范圍在100μm2~5×104μm2不等,微觀缺陷的修補(bǔ)自要分為白缺陷修補(bǔ)和高度缺陷修補(bǔ)兩部分。白缺陷表現(xiàn)為掉膜類的膜面缺失,一般采用先應(yīng)用高功率激光的熱量,使白缺陷周圍的膜層氣化而不傷害玻璃,制造出一個(gè)規(guī)則的圖形,方便填充液的流動(dòng)填充。第二步是應(yīng)用超精細(xì)的填充技術(shù),用玻璃針將填充液注入打好的圖形中。第三步是待填充液體填充滿,使用UV固化,達(dá)到與本身顏色統(tǒng)一的效果。具體的步驟如圖5所示。

圖5 Ink修補(bǔ)的主要步驟
而高度缺陷的修補(bǔ)只有研磨修補(bǔ)。所謂研磨,就是特別細(xì)微化的摩擦打磨,一般采用金剛砂的材料制成帶狀,通過(guò)精細(xì)的機(jī)械結(jié)構(gòu),精確控制研磨材料與缺陷接觸100μm直徑左右的范圍,通過(guò)高精度高度傳感器,精確控制需要研磨帶深度、速度、時(shí)間等要素。如果用一般模型來(lái)表述,大體可以描述成如圖6所示的方法。
上文中提及了研磨修補(bǔ)的主要技術(shù)。當(dāng)一個(gè)缺陷出現(xiàn)時(shí),首先是進(jìn)行測(cè)高(H0),一般都是與設(shè)定好的閾值比較,如果超出閾值,則執(zhí)行研磨,否則認(rèn)為不需要修補(bǔ)。研磨過(guò)程中設(shè)計(jì)如下參數(shù),分別是:1)開(kāi)始研磨的高度(H1);2)研磨帶轉(zhuǎn)速;3)研磨時(shí)間(一般是設(shè)定值,可以計(jì)算出單次研磨的量有多少);4)單次研磨的量,即步進(jìn)量(為了研磨充分,一般實(shí)際研磨過(guò)程不是勻速下降,而是步進(jìn)式;而設(shè)定的是最小值);當(dāng)研磨結(jié)束,還會(huì)再測(cè)高(H3),再與閾值比較看是否達(dá)到目的。至于H2,則是和產(chǎn)品相關(guān),即設(shè)定的閾值相關(guān)。關(guān)于以上參數(shù)的變動(dòng)與修補(bǔ)成功率的關(guān)系,進(jìn)行了以下測(cè)試。

圖6 研磨修補(bǔ)的主要步驟
缺陷本身的高度可能達(dá)到幾十微米高,但一般概率上,都是在10μm以內(nèi),所以設(shè)定這個(gè)參數(shù)過(guò)大,意味著研磨帶空轉(zhuǎn),浪費(fèi)極大;而同時(shí)設(shè)定過(guò)小,意味著研磨機(jī)構(gòu)已經(jīng)壓迫缺陷本身,才開(kāi)始研磨轉(zhuǎn)動(dòng),會(huì)導(dǎo)致研磨本身效果不佳,而拉伸力度足夠大,導(dǎo)致研磨失敗幾率大大增加。筆者保持單一變量變化的前提下,進(jìn)行數(shù)據(jù)的變化,對(duì)比修補(bǔ)失敗的比率與研磨參數(shù)變化的關(guān)系,得到如圖7所示的結(jié)果。

圖7 開(kāi)始研磨高度與修補(bǔ)失敗
整個(gè)研磨的過(guò)程,關(guān)鍵在研磨帶與缺陷的摩擦,摩擦的充分,則研磨效果好,不充分則研磨不到位,會(huì)浪費(fèi)時(shí)間,還可能導(dǎo)致二次研磨。但過(guò)度的研磨,不僅會(huì)浪費(fèi)研磨帶,同時(shí)也大大增加了研磨失敗的概率。筆者保持單一變量變化的前提下,進(jìn)行數(shù)據(jù)的變化,對(duì)比修補(bǔ)失敗的比率與研磨參數(shù)變化的關(guān)系,得到如圖8所示的結(jié)果。

圖8 研磨帶轉(zhuǎn)速與修補(bǔ)失敗
研磨時(shí)間指的是一次研磨的總時(shí)間,屬于設(shè)定值。之所以不是根據(jù)缺陷高度進(jìn)行區(qū)別設(shè)計(jì),主要考慮到研磨的效率和時(shí)間成本,不論缺陷高低時(shí)間是統(tǒng)一的,這樣避免缺陷高時(shí)間長(zhǎng),造成時(shí)間的浪費(fèi)。當(dāng)然,同時(shí)意味著缺陷高的,使用相同的時(shí)間研磨,為例達(dá)到很好的研磨效果,必然在軟件中涉及了單次研磨的步進(jìn)量的增加,即可能潛在增加修補(bǔ)失敗的風(fēng)險(xiǎn)。所以研磨時(shí)間的設(shè)定,也與研磨的成功率有著相當(dāng)大的關(guān)聯(lián)。筆者保持單一變量變化的前提下,進(jìn)行數(shù)據(jù)的變化,對(duì)比修補(bǔ)失敗的比率與研磨參數(shù)變化的關(guān)系,得到如圖9所示的結(jié)果。

圖9 研磨時(shí)間與修補(bǔ)失敗
單次研磨的量即步進(jìn)量,設(shè)定值是步進(jìn)量的極限值,假如設(shè)定了開(kāi)始研磨的高度5μm,設(shè)定了研磨結(jié)束的高度2μm,即需要研磨掉3μm。如果設(shè)定的研磨時(shí)間是2sec,步進(jìn)量的極限是0.5μm。意味著要分為6次下降,每次0.5μm,而研磨機(jī)構(gòu)下降的速度為2μm/sec,(注:這個(gè)參數(shù)嚴(yán)重影響研磨時(shí)間,本文不做討論),時(shí)間上講2Sec> 3μm÷2μm/Sec=1.5sec,剩余的0.5sec都是研磨時(shí)間,即相鄰步驟之間是有停頓的。當(dāng)設(shè)定的極限值過(guò)大,就會(huì)導(dǎo)致研磨力度過(guò)大,修補(bǔ)失敗增多,設(shè)定值過(guò)小則增加研磨時(shí)間。筆者保持單一變量變化的前提下,進(jìn)行數(shù)據(jù)的變化,對(duì)比修補(bǔ)失敗的比率與研磨參數(shù)變化的關(guān)系,得到如圖10所示的結(jié)果。

圖10 步進(jìn)量與修補(bǔ)失敗
盡管已經(jīng)找到了各個(gè)參數(shù)對(duì)修補(bǔ)成功率的影響,但實(shí)際上,如何綜合的調(diào)整參數(shù),最終輸出一個(gè)滿意的結(jié)果,甚至是極限值,是每個(gè)工程師都在盡力做的事情。比如這里借鑒了田口實(shí)驗(yàn)的方法[8,9],通過(guò)對(duì)四個(gè)參數(shù)進(jìn)行L9(34)次試驗(yàn),最終得到了筆者滿意的答案,具體如下:
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì):使用Minitab軟件設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)如圖11所示。

圖11 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:使用生成的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),進(jìn)行試驗(yàn),并且收集數(shù)據(jù)如圖12所示。
需要說(shuō)明的是,田口實(shí)驗(yàn)考慮因子的波動(dòng),微觀缺陷的出現(xiàn)是隨機(jī)的,所以難以研磨的缺陷記為硬質(zhì)缺陷,研磨容易的缺陷記為軟質(zhì)缺陷,以上實(shí)驗(yàn)分別得到了其實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

圖12 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
應(yīng)用Minitab軟件進(jìn)行實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析如圖13和圖14所示。

圖13 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析步驟

圖14 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析
應(yīng)用田口方法預(yù)測(cè)如圖15所示。

圖15 田口方法預(yù)測(cè)結(jié)果
應(yīng)用以上預(yù)測(cè)值進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,得到結(jié)論如圖16所示。
在這里,軟質(zhì)和硬質(zhì)的出現(xiàn),筆者認(rèn)為是幾率相等的,所以相機(jī)后的PPM值為1052,這與最佳預(yù)測(cè)值1059PPM及其近似,所以試驗(yàn)相當(dāng)成功。
我們可以看到,改善前的PPM值為3485 ,改善后為1052,改善量為231%。于此,我們通過(guò)綜合研究各個(gè)參數(shù)的配比,很好地達(dá)到了預(yù)期。

圖16 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
本文簡(jiǎn)述了液晶行業(yè)彩膜基板的微觀不良種類,簡(jiǎn)述了修補(bǔ)的方法,針對(duì)研磨修補(bǔ),深入剖析了其基本原理、涉及到的參數(shù)及各個(gè)參數(shù)對(duì)結(jié)果的影響,最后通過(guò)田口方法驗(yàn)證出了一種解決此類問(wèn)題的辦法,也得到了很好的結(jié)果。
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