中國電子科技集團公司第十三研究所 黃 科 孔令甲
大功率3dB電橋是平衡式限幅低噪聲放大器(限放)模塊的重要組成單元,直接決定限放體積和可靠性。平衡式限放優點很多[1],電路拓撲如圖1所示。平衡式限放應用需求較多,迫切需要實現限放模塊的小型化、高功率可靠性,并滿足水汽含量、PIND試驗要求[2]。

圖1 平衡式限放電路拓撲框圖
表1對比了多種常用3dB電橋的優缺點:

表1 多種常用3dB電橋
傳統設計中使用陶瓷lange耦合器,耦合線間距近,線寬窄,難以承受大功率;而PCB基板的多層寬邊耦合3dB電橋[3],其介質熱導率低,信號孔過大功率時發熱嚴重,難以承受大功率,體積大,水汽含量高,嚴重制約了限放模塊向小型化,高可靠方向發展,而LTCC工藝的電橋工藝周期長,多品種小批量研制時的成本過高,精度稍低,不適應當前限放模塊的研發生產要求。因此實現一種小型化、大功率、低插損、低水汽含量的3dB電橋已經迫在眉睫。
本文針對限放小型化,大功率,低插損的3dB電橋需求,基于薄膜光刻工藝,設計制作了一款陶瓷螺旋形寬邊耦合3dB電橋,可承受脈沖功率達2000W,占空比15%。本文提出的3dB電橋設計方案,重點研究對比了本設計相比PCB基板多層3dB電橋的優勢,為3dB電橋的設計提供了新的思路。同時,由于該結構具有小型化,低插損,大功率,低水汽含量等優點,也為平衡式限放的小型化,大功率,低水汽含量的發展趨勢打下基礎,在雷達接收機中有著廣闊的應用前景。
寬邊耦合電橋具有插損小、耐功率高、帶寬寬等優點,常被用于設計大功率3dB電橋,其耦合帶線結構模型見圖2(a)所示,可等效為平行耦合線模型[4],如圖2(b)所示;

圖2(a)寬邊耦合結構

圖2(b)雙線耦合線模型
3dB電橋耦合線計算常用奇偶模模型分析法,奇偶模特征阻抗滿足公式(1)和公式(2):

其中Ve和Vo分別為偶模奇模傳輸速度,Ce和Co分別為偶模奇模單位長度電容。
根據傳輸線理論,耦合系數C可由公式(3)推導得到:

奇模偶模阻抗與端口阻抗關系需滿足公式(4):

根據公式(3)、(4)可以推導出3dB電橋的偶奇模特征阻抗分別為Z0e=120.91,Z0o=20.68,然后根據寬邊耦合結構的層介質材料及層厚度進行分析計算,可確定微帶線參數。
寬邊耦合層間介質厚度和介電常數確定了其耦合帶線的特征阻抗。3dB電橋的電長度是工作頻率的四分之一波長,因此板材介質的相對介電常數越高,其物理長度越短,越容易實現小型化。但是同時板材介電常數越高,耦合帶線的線寬越窄,導致耦合器的導體損耗更大,不利于實現低插損,不利于承受大功率。
寬邊耦合相比窄邊耦合更易實現緊耦合、低插損、大功率,因此常用寬邊耦合結構進行3dB電橋設計。常用折線形耦合結構進行3dB電橋設計,見圖3(a),折線耦合結構仍然顯得體積過大,同時過多的不連續性彎折造成了奇偶模阻抗突變,進而惡化了3dB電橋的耦合度和插損指標,因此急需一種更加小型化的設計滿足目前研發要求。為此將采用螺旋形3dB電橋,示意圖如圖3(b):

圖3(a)折線形3dB電橋

圖3(b)螺旋線模型
由于螺旋式結構增強了耦合帶線間的磁耦合,提高奇模阻抗[5],螺旋結構的3dB電橋耦合帶線更寬,從而導體損耗更小,可明顯減小插損。另外從圖3(a)、(b)對比可看出,螺旋形相比折線形布線密度更高,即相同頻率相同物理長度的帶線,螺旋形電橋可以更好的實現小型化;
由于PCB多層介質的螺旋形3dB電橋介質熱導率僅為0.68 W/m/℃,當大功率注入時信號孔積累的熱量缺乏有效散熱途徑,過孔溫度急劇升高,圖4為1200W 16%脈沖功率注入時的PCB電橋溫度,從圖中看出,信號孔溫度已超250℃,已超過PCB材料安全工作極限,嚴重影響產品可靠性,因此需要針對超大功率設計出散熱更加良好的3dB電橋。

圖4 大功率時PCB電橋溫度
Al2O3陶瓷具有熱導率高,介電常數高,介質損耗小的優點,其熱導率高達30 W/m/℃,是PCB板材的40倍,且介電常數高,耦合帶線的相同頻率的四分之一波長所對應物理尺寸更短,是設計大功率小型化3dB電橋的理想介質選擇,而薄膜工藝具有可靠性高,層間對位精度高,導體損耗小的優勢;綜合考慮以上因素,提出了薄膜工藝螺旋形3dB電橋的設計思路,其物理結構示意圖如下:

圖5(a)陶瓷3dB電橋結構示意

圖5(b)疊層分布圖
如圖5(b)所示,頂層介質使用較薄的氧化鋁陶瓷1,耦合帶線設計在其正反兩面,進行薄膜工藝雙面光刻,耦合圖形設計為雙面重疊螺旋形,底層耦合支路和隔離端口通過陶瓷打孔引出到陶瓷頂面。底層介質使用單底面金屬化氧化鋁陶瓷2,使用絕緣膠在170℃下將上下兩層介質粘接固化。底層介質起到物理支撐和滿足電橋奇偶模阻抗的功能,雙層氧化鋁陶瓷有30 W/m/℃的高熱導率,保證3dB電橋大功率工作時的良好散熱。計算工作中心頻帶的1/4波長等效物理長度,根據所需耦合度確定耦合線特征阻抗對應的物理寬度,進行最終仿真設計。
之前已設計過P波段的PCB型3dB電橋,其電橋面積為14mm*8.5mm*2.1mm,體積較大,極限耐受功率僅為1000W,16%,已經無法滿足實際工程耐功率和小型化需要,需采用新方案進行P波段3dB大功率電橋設計。根據以上思路,設計出400MHz-480MHz薄膜陶瓷大功率螺旋式3dB電橋,本次設計目標如表2所示:

表2 P波段3dB電橋設計目標
根據設計目標,進行介質和耦合線寬初步計算,確定介質厚度和耦合線寬,由于螺旋形結構比直線結構的帶線阻抗更高,磁耦合更強,相同線寬和介質條件下,可實現更緊的耦合特性,通過3維仿真模型建立,最終仿真模型圖6所示:

圖6 陶瓷大功率螺旋電橋仿真模型
通過場仿真軟件進行模型參數優化,最終仿真結果如圖7所示:

圖7 陶瓷大功率螺旋電橋仿真結果
從仿真結果看,各項小信號設計參數及體積均滿足設計目標要求,尤其體積更小,具有明顯優勢。由于電橋需要承受超過2000W脈沖功率,因此需在3維場仿真軟件中,對電橋的大功率場強分布進行仿真模擬,如圖8所示:

圖8 2000W時陶瓷電橋場強分布仿真結果
從仿真結果看出,電橋在2000W輸入功率下,最大場強小于1×105V/m,遠小于空氣擊穿場強3×106V/m,大功率狀態下工作比較可靠。
當輸入脈沖2000W占空比16%的功率時,折算連續波功率為320W,通過仿真,電橋插損最大為0.15dB,即耗散約3.3%的功率,即10.56W。電橋介質熱導率K=30W/m/℃,電橋厚度L=0.8mm,面積為60mm2,電橋等效熱阻為ρ=L/(K*S)<0.5W/℃。但是實際的電橋在介質層間有絕緣膠,其熱導率較低,盡管絕緣膠厚度<0.1mm,仍然對熱導率有較明顯惡化。綜合考慮電橋采用膠粘工藝裝配,認為電橋平均熱導率<2W/℃,當2000W脈沖輸入時,平均溫升小于25℃,可滿足大功率下的可靠性。
最終對電橋裝配并測試,外形示意圖如圖9所示:

圖9 陶瓷電橋外形示意圖
矢網校準測試結果如圖10所示:

圖10 陶瓷電橋實測結果
實測結果與設計目標基本相符,與仿真值接近,滿足設計要求。小信號具體對比詳見表3:

表3 新型陶瓷3dB電橋設計實測對比

圖11 新型陶瓷電橋2000W功率時結溫圖
需要驗證2000W大功率輸入時,電橋工作溫度及功率可靠性,將電橋裝配至平衡限放模塊中,進行功率驗證,并實測電橋結溫圖,詳細的結溫測試結果見圖11所示。
電橋輸入功率為脈沖2000W,16%占空比,工作環境溫度為85℃,從結溫圖看出,最高的峰值溫度在靠近大功率吸收負載周圍的耦合線處,其工作溫度為145℃,滿足三級降額工作要求。薄膜陶瓷的退火溫度>350℃,遠高于145℃的工作結溫,因此大功率輸入時,上下層的薄膜金屬耦合帶線處于安全溫度范圍。而兩層介質間的絕緣膠固化溫度高于170℃,在170℃時仍能保證粘接強度和可靠性。綜上所述,陶瓷大功率3dB電橋處于安全工作范圍,可承受超過2000W的脈沖功率。
本文基于混合集成電路工藝和薄膜陶瓷光刻工藝,介紹了一種新型的大功率3dB電橋,基于薄膜工藝的大功率陶瓷螺旋形3dB電橋相比傳統3dB電橋具有5個優點:
1)耐受功率明顯提高,耐受功率可達2000W,16%占空比,可靠性更高;
2)體積縮小50%,實現大功率3dB電橋的小型化,低插損的設計要求,面積僅10mm*6mm,插損小于0.15dB;
3)由于選用了無吸水率的氧化鋁陶瓷介質材料,適用于高可靠類大功率限放產品。大功率陶瓷電橋的使用,將避免大功率限放產品內部過多使用焊接工藝,介質中水汽殘留微少,進而保證產品的水汽含量和PIND試驗處于更好水平;
4)原材料周期可控; 該新型陶瓷3dB電橋基于混合集成電路工藝制備,最復雜工藝為雙面薄膜光刻工藝,屬于常見工藝,介質基板采用常備的Al2O3陶瓷基板,工藝周期和原材料可控,研制速度快;
5)高精度的圖形公差控制,批產一致性高,由于采用了薄膜雙面光刻工藝,相比LTCC和PCB多層電路所制備的3dB電橋,耦合圖形的線寬和上下層的對位精度提高一個數量級,均達到≤±1.5um,極大的保證了3dB電橋的批產電性能一致性。
該新型大功率小型化陶瓷寬邊耦合3dB電橋已經成功應用于多款平衡式限幅低噪放項目中,并已通過各項環境可靠性試驗,將在以后有著廣闊的應用前景。由于電橋本身具有水汽含量低、小型化、高功率可靠性等特點,特別適用于對體積和可靠性要求極高的限幅低噪放產品中;通過紅外成像結溫測試,該陶瓷螺旋3dB電橋工作溫度遠低于傳統PCB電橋,可保證大功率下的產品長期可靠性。
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