朱恩文,陳應紅
(廣東先導稀材股份有限公司,廣東 清遠 511500)
銦是一種稀有金屬,以其優良的物理化學性能和機械性能而廣泛應用于CIGS多晶薄膜、 太陽電池、防腐材料、口腔醫學、液晶顯示器等方面,近年來由于ITO靶材和半導體的快速發展,對高純金屬銦的品質要求也隨之提高,因此為了更好的滿足客戶需求,研究銦的蒸餾提純工藝具有極高的經濟價值,促進我國電子行業快速發展。
傳統的提純工藝是采用預先純化-電解精煉法 ,存在問題是化學損失多,對環境污染有影響,并且周期長,本文主要采用真空蒸餾與反蒸餾法,先脫除鎘、鋅、鉛、鉈,再通過真空反蒸餾銦的方法分離銅、鐵、鎳、錫,進一步的提純為4.5N銦錠,效果較好,周期短,從質量上也能滿足客戶的需求。
本試驗采用中頻真空蒸餾與反蒸餾方法,2N銦在一定的真空度前提下控制加熱溫度,實現金屬銦與雜質進行分離,從而達到提純的效果。
根據物質沸點差異,進行分次蒸餾。
(1)蒸鎘鋅:鎘鋅屬低沸點物質,與銦分離系數較高,在一定的真空度和溫度,分離效果較好。
(2)蒸鉛鉈:銦與鉈分離系數在406-4540之間比較易分離,銦與鉛分離系數在240~96.1之間,其數值較低會有部分銦與鉛揮發進入氣相。
(3)反蒸銦:控制一定的真空度和溫度,銦揮發冷凝在石墨舟外進行收集,留在石墨舟內為高沸點物質如銅、鎳、錫、鐵,不易揮發。

表1 純物質常壓下沸點表(℃)
參照方程公式log10P=AT-1+Blog10T+CT+D,其中公式中的A、B、C、D從相關手冊查出、P為T溫度時的飽和蒸汽壓。計算結果表明:各種金屬的飽和蒸汽壓都隨著溫度升高而升高,在600-1200K之間,Al、Cu、Sn、Ni飽和蒸汽壓比In低,較In更難以揮發,Cd、Zn、Tl、Pb飽和蒸汽壓比In要高,具有較高的金屬飽和蒸汽壓更容易揮發出去。
蒸餾原料為2N粗銦,原料要求和產品標準如下表2。

表2 原料要求和產品標準
3.1.1 試驗條件
(1)裝料19-22Kg;
(2)極限高真空度范圍為1*10-2至10-3Pa,電阻壓強范圍為1.0E0至2.5E1Pa;
(3)溫度控制在600℃~700℃,保溫時間控制在5-10h。
3.1.2 操作過程
(1)現將二批2N物料進行中頻蒸餾,原料批號為Z0304H004-4、Z1104H007-2。
(2)將物料裝入石墨舟,放入石英管內,按照試驗條件進行蒸餾。
(3)表3為蒸鎘鋅試驗數據(單位PPm)。

表3 蒸鎘鋅試驗數據(單位PPm)

表4 蒸鉛鉈試驗數據

表5 反蒸餾試驗數據
3.1.3 試驗小結
①在一定的真空度和溫度下,低沸點金屬如鎘鋅易除去。②保溫時間控制在5-10h,根據Zn、Cd含量調整保溫時間。③隨著真空度越高,蒸餾溫度隨之降低。
3.2.1 試驗條件
①裝料15-18Kg;②極限高真空度范圍為1*10-2至10-3Pa,電阻壓強范圍為1.0E0至2.5E1Pa;③溫度控制在650℃ ~750℃,保溫在1h~2h。
3.2.2 試驗過程
①現將二批3N物料進行除鉛鉈蒸餾,原料批號為Z2503H153、Z0504H031。②操作要求:將物料裝入石墨舟,放入石英管內,按照試驗條件進行蒸餾。③表4為蒸鉛鉈試驗數據。
3.2.3 試驗小結
(1)在一定的真空度和溫度下,蒸出14%的次品為3N銦,為了提高產率,控制好加熱溫度和保溫時間。
(2)隨著真空度越高,蒸餾溫度隨之降低,但溫度過高會導致大部分銦揮發。
3.3.1 試驗條件
(1)裝料15Kg~18Kg;
(2)開啟分子泵使極限真空度范圍為1*10-2至10-3Pa,電阻壓強范圍為1.0E0至2.5E1Pa;
(3)溫度控制在750℃~1000℃,保溫在4h~6h。
3.3.2 試驗過程
(1)現將二批3N物料進行中頻反蒸餾,原料批號為ZPR1703H088、ZPR1803H091。
(2)操作要求:將物料裝入石墨舟,放入石英管內,按照試驗條件進行蒸餾。
(3)表5為反蒸餾試驗數據。
3.3.3 試驗小結
(1)在一定的真空度和溫度下,蒸餾出95%物料為4.5N銦。
(2)溫度過高容易導致部分高沸點金屬也隨著銦而揮發出來,影響產品質量。
(1)從上述試驗表明2N粗銦在二次蒸餾和一次反蒸餾過程中, 4.5N銦總直收率為79.25%左右,3N銦總直收率為17.75%左右。
(2)試驗表明, 真空度和溫度是影響粗銦真空蒸餾除雜的主要因素,延長蒸餾時間和降低料層厚度也有利于雜質脫除。
(3)相比其它方法來說生產周期短,生產的產品質量符合4.5N銦標準。