可控源音頻大地電磁和頻譜激電測深在某礦產(chǎn)勘查中的應(yīng)用

（黑龍江省地球物理勘察院，黑龍江 哈爾濱 150036）

工作中可控源音頻大地電磁測深及頻譜激電測深均使用加拿大鳳凰公司生產(chǎn)的V8網(wǎng)絡(luò)多功能電法儀完成。投入的物探方法為可控源音頻大地電磁測深及頻譜激電測深，其中僅122線未使用頻譜激電測深。了解區(qū)內(nèi)是否分布有一定規(guī)模的物探異常，為尋找鉛鋅礦體圈定有利靶區(qū)。

1 區(qū)域地質(zhì)及地球物理特征

普查區(qū)處于北北東與北西西向兩組共軛斷裂的近北北西向構(gòu)造帶上。是黑云母二長花崗巖與下寒武統(tǒng)鉛山組的侵入接觸帶?？刂频V體空間展布。地層呈單斜產(chǎn)出，走向北西，傾角60°～80°，傾向略有變化，構(gòu)造形態(tài)為傾向變化較大的單斜構(gòu)造。

2 推斷解釋

工作區(qū)主要地層為古生界下寒武統(tǒng)鉛山組（∈1q）、中生界下白堊統(tǒng)甘河組組（K1g）及新生界第四系全新統(tǒng)河漫灘堆積層（Qh2）。工作區(qū)內(nèi)主要侵入巖為晚三疊世—早侏羅世粗中粒似斑狀黑云母二長花崗巖(ηγT3J1)。

2.1 可控源音頻大地電磁測深電阻率斷面推斷解釋

工作采用電性源CSAMT標(biāo)量測量的工作方式。以測線方向?yàn)閄方向，垂直測線方向?yàn)閅方向。電道Ex電極采用首尾相接的方式布設(shè)，磁道Hy磁探頭垂直測線X方向。

根據(jù)現(xiàn)有地質(zhì)資料，結(jié)合各斷面電阻率特征，推斷認(rèn)為：工作區(qū)內(nèi)低阻區(qū)大部分由寒武系鉛山組（∈1q）大理巖、板巖所引起，局部低阻區(qū)為破碎帶也可能會(huì)引起低阻反映。工作區(qū)內(nèi)高阻基本可能為二長花崗巖（ηγT3J1）的反映。斷面具體推斷解釋如下：

118線電阻率斷面的推斷解釋。12.5點(diǎn)～17.5點(diǎn)近地表低阻區(qū)、162.5點(diǎn)～172.5點(diǎn)低阻區(qū)推斷為二長花崗巖破碎所引起；32.5點(diǎn)～52.5點(diǎn)低阻區(qū)推斷與破碎有關(guān)，或?yàn)榈撞繗埩翥U山組老地層；67.5點(diǎn)～122.5點(diǎn)低阻區(qū)推斷由鉛山組(∈1q)所引起。斷面中其它部分高阻區(qū)推斷為二長花崗巖（ηγT3J1）的反映。

圖1 118線電阻率斷面及推斷地質(zhì)圖

2.2 122線電阻率斷面的推斷解釋

推斷認(rèn)為：①117.5點(diǎn)～157.5點(diǎn)近地表低阻區(qū)至中深部低阻區(qū)推斷為鉛山組的反映；②37.5點(diǎn)～47.5點(diǎn)為高阻區(qū)，但其電阻率值相對較低，推斷為破碎帶所引起；

該剖面中其它高阻部分均推斷為二長花崗巖的反映。

2.3 頻譜激電測深推斷解釋

工作區(qū)內(nèi)主要侵入巖為晚三疊世—早侏羅世粗中粒斑狀黑云母二長花崗巖(ηγT3J1)。

2.3.1 118線頻譜激電測深斷面推斷解釋

118線頻譜激電測深電阻率斷面的解釋推斷。65點(diǎn)～120點(diǎn)近地表低阻區(qū)及深部低阻區(qū)、110點(diǎn)～150點(diǎn)中深部分布的三個(gè)低阻區(qū)均推斷為鉛山組（∈1q）的反映。其它高阻區(qū)推斷為由二長花崗巖（ηγT3J1）所引起。

2.3.2 119線頻譜激電測深斷面推斷解釋

（1）119線頻譜激電測深電阻率斷面的解釋推斷。65點(diǎn)～130點(diǎn)近地表低阻區(qū)；100點(diǎn)下方斷面的中部低阻區(qū)、40點(diǎn)～50點(diǎn)斷面下部低阻區(qū)、140點(diǎn)～150點(diǎn)下方斷面中部低阻區(qū)均推斷由鉛山組（∈1q）地層所引起。50點(diǎn)～60點(diǎn)近地表低阻區(qū)、30點(diǎn)下方的低阻區(qū)推斷為甘河組（K1g）的反映。其它高阻區(qū)均推斷為二長花崗巖（ηγT3J1）的反映。

（2）119線頻譜激電測深I(lǐng)P斷面的地質(zhì)解釋。由地質(zhì)圖中可以看出，-40點(diǎn)～30點(diǎn)為二長花崗巖（ηγT3J1），IP為5%；40點(diǎn)～60點(diǎn)為甘河組（K1g）玄武巖，IP值為5%～10%；70點(diǎn)～120點(diǎn)為鉛山組（∈1q），并有Ⅰ號礦化帶、Ⅱ號礦化帶和Ⅲ號、Ⅵ號礦脈，IP值為5%；130點(diǎn)～160點(diǎn)為二長花崗巖分布區(qū)；8號IP異常推斷該異常在鉛山組（∈1q）地層與二長花崗巖（ηγT3J1）接觸帶上，上部為二長花崗巖，南側(cè)也為二長花崗巖，異常中心深度300米。9號和10號IP異常推斷在鉛山組（∈1q）地層與二長花崗巖（ηγT3J1）接觸帶附近，9號異常近地表，10號異常在斷面的南端，中心深度為250米左右。

2.3.3 120線頻譜激電測深斷面推斷解釋

120線頻譜激電測深電阻率斷面的解釋推斷：70點(diǎn)～150點(diǎn)近地表低阻區(qū)、80點(diǎn)斷面中-深部的低阻區(qū)、120點(diǎn)下部低阻區(qū)均推斷由鉛山組（∈1q）地層所引起。50點(diǎn)下部低阻區(qū)推斷由甘河組（K1g）所引起。0點(diǎn)下方的低阻區(qū)推斷為由甘河組（K1g）地層所引起，不排除鉛山組（∈1q）存在可能性。

2.3.4 121線頻譜激電測深斷面推斷解釋

121線頻譜激電測深I(lǐng)P斷面的地質(zhì)解釋

由地質(zhì)圖可以看出，-40點(diǎn)～50點(diǎn)為二長花崗巖（ηγT3J1），IP值為0%左右；50點(diǎn)～60點(diǎn)為甘河組（K1g）玄武巖，IP值為0%左右；70點(diǎn)～130點(diǎn)為鉛山組（∈1q）地層，IP值為0～10%。此斷面未發(fā)現(xiàn)礦化帶。

3 結(jié)論

通過物探工作可以看出，工作區(qū)內(nèi)5條剖面電阻率基本可以分為低阻區(qū)和高阻區(qū)，電阻率值基本低于320Ω·m為低阻區(qū)，電阻率值高于320Ω·m為高阻區(qū)。

可控源音頻大地電磁測深剖面中，大部分低阻區(qū)近直立狀分布，大面積的低阻區(qū)基本分布在工作區(qū)的中部至南部的區(qū)域。這些低阻區(qū)主要有：118線87.5點(diǎn)—122.5點(diǎn)的低阻區(qū)、119線的87.5點(diǎn)—142.5點(diǎn)的低阻區(qū)、120線87.5點(diǎn)—162.5阻區(qū)。以上低阻區(qū)均推斷為鉛山組（∈1q）的反映。根據(jù)頻譜激電測深結(jié)果，結(jié)合前期可控源音頻大地電磁測深結(jié)果，共圈定4個(gè)可能具有找礦意義的異常。