寬工作電壓范圍的可控硅整流器模塊
TDK集團最近推出了新型愛普科斯(EPCOS) TSM-LC-NC690可控硅整流器模塊。新的模塊工作電壓范圍進一步擴展,可用于電壓高達690V AC的功率因數校正(PFC)。該模塊可執行電容器的2相切換功能,因此無需中性導體。此外,該新型模塊專為無功功率為40 kvar至75 kvar(取決于工作電壓)的應用而設計,其切換電流可高達60 A。
該模塊可持續監控電壓、相位及自身溫度,性能極為可靠。和其它所有愛普科斯(EPCOS)可控硅整流器模塊相比,TSM-LC-NC690不僅可以實現無噪聲、無磨損的快速(切換時間為5 ms)切換,無需維護,還可電流過零時進行切換,從而延長電容器的使用壽命。此外,該可控硅整流器模塊還能有效防止危險的過電流,使得電網不會出現瞬態現象。該模塊可由愛普科斯(EPCOS)動態功率因數控制器、PLC觸發或由過程直接觸發。
愛普科斯(EPCOS) TSM-LC-NC690可控硅整流器模塊適用于沖壓機、焊接機、電梯、起重機和風力渦輪等動態PFC應用。
ADI推出2MHz升壓/SEPIC/負輸出轉換器
近日,ADI宣布推出PowerbyLinearTM的LT8364,該器件是一款電流模式、2MHz升壓型DC/DC轉換器,具有一個內部4A、60V開關。LT8364在2.8V至60V輸入電壓范圍內運行,適合采用各種輸入源的應用,例如單節鋰離子電池至多節電池的電池組、汽車輸入、電信電源和工業電源軌。
LT8364可配置為一個升壓、SEPIC或負輸出轉換器。其開關頻率可設置在300kHz和2MHz之間,從而使得設計師能夠最大限度縮減外部組件尺寸并避開關鍵頻段(例如:AM無線電)。此外,該器件在以2MHz執行開關操作時還能提供高于90%的效率。突發模式(Burst Mode(?))操作可把靜態電流減小至僅為9μA,同時保持輸出紋波低于15mVp-p。小型4 mm x3 mm DFN封裝或高電壓MSOP-16E封裝與纖巧型外部組件的結合可確保高度緊湊的占板面積,并最大限度降低解決方案成本。
Microchip基于COTS器件的耐輻射解決方案
Microchip近日推出一款新型單片機(MCU),該器件結合了特有的耐輻射性能以及現有商用(COTS)器件的低成本開發特性。
ATmegaS64M1是Microchip的第二款8位megaAVR(?)MCU,采用了一種名為“COTS耐輻射”的開發方法。這種方法利用了一種成熟的汽車級器件——ATmega64M1,開發了對應的高可靠性塑料和空間級陶瓷封裝的引腳兼容版本。這些器件的設計滿足耐輻射要求,并具有以下目標性能:
●完全可承受高達62 MeV.cm2/mg的單粒子事件閉鎖(SEL);
●安全存儲完整性,不會出現單粒子事件功能中斷(SEFI);
●累計總電離劑量(TID)在20至50 Krad (Si)之間;
●所有功能模塊均具有單粒子事件翻轉(SEU)特性。
新器件加入了ATmegaS128,這是一款耐輻射MCU,已經被設計用于幾項關鍵的太空任務,包括火星探測和數百顆地球低軌(LEO)衛星巨型星座。