重組人表皮生長因子外用溶液聯合半導體激光對復發性口腔潰瘍患者潰瘍愈合及復發率的影響

河南省南陽市第二人民醫院（473000）劉長磊

1 資料和方法

1.1 基本資料 研究選取2016年1月～2017年2月收治的104例復發性口腔潰瘍患者為觀察對象，隨機將其分為A、B組，各52例。A組中30例男性，22例女性；年齡20～65歲，平均（43.4±5.6）歲；病程4～22個月，平均（14.3±7.2）個月；B組中28例男性，24例女性；年齡21～67歲，平均（43.7±5.5）歲；病程5～24個月，平均（14.7±7.1）個月。兩組患者的臨床資料比較差異不明顯，無統計學意義（P＞0.05）。

1.2 方法 兩組患者都采取常規治療，患者可口服維生素C、復合維生素B溶液等，A組采用rhEGF（深圳華生元基因工程發展有限公司，國藥準字S20010038）治療，將藥物搖勻溶解后，噴灑于潰瘍創面，200IU/次；3次/d。B組采用rhEGF聯合半導體激光治療，rhEGF的用法及用量同A組，半導體激光治療采用SUNDOM-300Ⅰ型半導體激光口腔治療儀，輸出功率：150mW，波長：830nm（連續波），光斑直徑：10mm，根據患者潰瘍面大小使用光斑照射潰瘍面，每個光斑間距為5mm。治療前吹干潰瘍面，將激光治療儀探頭正對病損部位進行照射，光導頭與潰瘍面間相距2mm，每個點照射5min，每天1次。兩組治療期間均禁止使用其他藥物，忌煙酒，禁食辛辣、刺激性食物，且所有患者都連續治療1周。

1.3 觀察指標及療效評定 觀察、記錄兩組患者的潰瘍疼痛消失時間、潰瘍愈合時間、治療總有效率及復發率。療效評定標準：無效：總間歇時間與總潰瘍數無任何變化；有效：總間歇時間延長，總潰瘍數無變化；顯效：治療后半年內口腔潰瘍無復發，總間歇時間延長，總潰瘍數減少；痊愈：治療后1年內口腔潰瘍未復發。

1.4 統計學分析 采用SPSS22.0分析數據，計數與計量資料分別用（n，%）和（±s）表示，組間檢驗用x2和t表示，P＜0.05為有統計學意義。

2 結果

2.1 兩組患者的臨床癥狀對比 B組患者的潰瘍疼痛消失時間及潰瘍愈合時間都明顯短于A組，組間比較差異有統計學意義（P＜0.05），如附表。

2.2 兩組患者的治療總有效率及復發率對比 B組患者經治療后的總有效率96.2%（50/52），明顯高于A組的84.6%（44/52），B組復發率3.7%（1/52）顯著低于A組的23.8%（5/52），組間比較差異明顯，有統計學意義（P＜0.05）。

附表 兩組患者的臨床癥狀比較(n,±s）

附表 兩組患者的臨床癥狀比較(n,±s）

組別 例數 潰瘍疼痛消失時間（d）潰瘍愈合時間（d）A組 52 4.9±1.7 6.2±2.3 B組 52 3.8±1.5 4.9±1.8 P＜0.05 ＜0.05

3 討論

復發性口腔潰瘍（RAU）是一種常見的口腔黏膜疾病，而臨床上對RAU的發病機制尚不明確，并無特效的治療方法。目前，臨床上治療復發性口腔潰瘍的方法包括全身治療和局部治療兩種類型，局部治療是以消炎、止痛為治療原則，包括貼膜、貼片、噴劑等藥物，全身治療因用藥較多，易引發不良反應。

本研究通過給予RAU患者不同的藥物治療，結果表明采用rhEFG聯合半導體激光治療的B組患者潰瘍疼痛感消失時間和潰瘍愈合時間明顯少于僅采用rhEFG治療的A組，且B組的治療總有效率明顯高于A組，復發率明顯低于A組，說明RAU患者采用rhEFG聯合半導體激光治療，能有效緩解患者的疼痛癥狀，加快潰瘍面愈合，預防口腔潰瘍再次復發。首先，半導體激光照射能減輕組織水腫，加快組織修復，促進創面愈合，同時，該治療方法可通過半導體激光照射生物組織，加速分解止痛物質緩激肽，促進內啡肽釋放，起到鎮痛效果[1]。其次，rhEFG是一種較強的細胞分裂促進因子衍生物，有助于細胞外基質與多種細胞增殖的合成，修復細胞組織，促進潰瘍面愈合[2]。

綜上所述，rhEFG聯合半導體激光照射治療RAU，能有效改善患者的臨床癥狀，促進潰瘍創面愈合，減少口腔潰瘍率，適合用于臨床治療。