1mW多通道12位逐次逼近型（SAR A/D）轉(zhuǎn)換器

劉紅兵

（湖南鐵道職業(yè)技術學院，湖南株洲，412001）

1 體系架構

所提到的SAR ADC由一個MUX、一個采樣保持電路、一個比較器、一個數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）、SAR和控制邏輯電路。MUX由SEL [3:0]信號控制以靈活選擇8個通道的輸入信號。單位增益緩沖器緊隨其后以保證輸入信號足夠增益和電流驅(qū)動力。

1.1 最佳電源電壓

圖1 (a)ADC體系結構

圖1 (b)轉(zhuǎn)換波形

對于減小數(shù)字電路的功耗來說，降低供電電壓是一個有效的策略。然而在噪聲、錯配、有限開關電阻和失真存在條件下，模擬電路的功耗隨著減小的供電電壓傾向于增加。合計最宜供電電壓出現(xiàn)在800 mV時。但是在加偏壓時，堆疊的pMOS和nMOS二級管結構頻繁出現(xiàn)。很難保持所有的MOS運行在飽和區(qū)域。類似的，模擬傳輸開關的電導系數(shù)在低電壓供電時大幅減少并引起信號失真。

考慮到上述所有因數(shù)，1.8V電壓被選擇作為SAR ADC的電源供應以保證線路可靠性并降低ADC的功耗。

1.2 轉(zhuǎn)換計劃

圖2 運算放大器

單通道12位ADC的轉(zhuǎn)換計劃如1(b)所示。1個轉(zhuǎn)換需要14個時鐘周期。ADCEN啟用后，ADC開始在第一個時鐘周期采樣。采樣過程中，一個單位增益緩沖器被用來給CHOLD電容器充電。采樣后，充電線路關閉，電荷被CHOLD保持以用于轉(zhuǎn)換。ADC在第2時鐘周期到第13時鐘周期內(nèi)將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。在第14時鐘周期內(nèi)，轉(zhuǎn)換結束(EOC)信號頻率很高，轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)被發(fā)送到鎖存器。系統(tǒng)可以根據(jù)EOC信號閱讀轉(zhuǎn)換結果。在第15個時鐘周期時，ADC進入另外一個轉(zhuǎn)換。

2 電路設計與分析

2.1 運算放大器

為采樣到全范圍輸入信號，一個帶有軌到軌輸入電壓范圍的運算放大器(OP)被用來作為單位增益緩沖器。其能通過配置一個N-channel和一個P-channel的平行差分輸入對來取得。一個帶有AB輸出級別的折疊級聯(lián)放大器緊隨其后以得到高增益和大電流驅(qū)動力。米勒補償在折疊級聯(lián)放大器和AB類輸出級之間被采用以保持足夠的相位裕度。

2.2 比較器

對于逐次逼近型ADC的設計，高性能的比較器是其中一個關鍵組件。比較器對將LSB電壓附近的微小輸入解析為完全的數(shù)字值負責。在這一角色中其有著巨大的增益、速度和敏感度的要求。比較器由三級放大器組成。為維持ADC一個高的輸入信號擺幅范圍，一個軌對軌運算放大器被用在比較器的第一級。一個對稱折疊級聯(lián)放大器被用在第二級來保證比較器的高增益(＞74 dB)和高速度(＜ 100 ns)。比較器的第三級是兩個用來將模擬波性整流成數(shù)字信號的逆變器。該結構有著更高的增益、更低的設計難度，并且提高了ADC的性能。

2.3 DAC電路

從簡單到復雜的，存在有多種多樣的DAC體系架構，每一種均有其優(yōu)點。電壓分壓、電流導引以至于電荷縮比均能用來將數(shù)字值描繪為模擬量。其必須仔細篩選因為采樣率和分辨率受限于在反饋環(huán)中DAC的采樣率和分辨率。一個帶有串聯(lián)電阻插入的電壓分壓電路被使用。 盡在整個電壓分壓中多晶硅電阻器才被使用。該結構有很好的匹配特性并能保證線性關系。即使是多晶硅電阻器在制造時電阻改變，非線性問題也不會出現(xiàn)。同時，帶有串聯(lián)電阻插入的DAC非常適合低電壓和高分辨率應用。

3 實現(xiàn)與結果

針對所提到的SAR ADC的功能及規(guī)范要求，嚴格的仿真測試已由HSPICE完成。ADC按照0.18 μm 2P4M CMOS工藝制造。有效電路尺寸為0.3 mm×0.35 mm。所制造的ADC性能如表1所示?？梢娖溆兄己玫男阅鼙憩F(xiàn)并且適合低壓和低成本設備。

圖3 比較器原理圖

表1 A/D轉(zhuǎn)換器性能參數(shù)

4 結論

用第一次0.18μm 2P4M CMOS工藝制造的8通道12位SAR A/D轉(zhuǎn)換器(ADC)已如上所示。ADC占有面積為0.3 mm×0.35 mm。其最大采樣率為140KSPS。低電壓顯著減小了ADC的總功耗。串聯(lián)電阻器的插入杠桿性的使其獲得了良好的匹配特性和線性關系，其適用于低電壓低成本應用。