美國耶魯大學和IBM公司的研究人員利用耶魯大學納米科學和量子工程研究所(YINQE)的原位透射電子顯微鏡對相變存儲器的相變過程進行了觀察和研究,找到了實現相變材料空洞缺陷“自我修復”的方法,成功研發出了新型可自愈封閉型相變存儲器。
研究人員將新型相變存儲器結構改為由金屬層包圍的封閉式倒錐狀結構,以增強器件的穩定性和耐久性。外襯的金屬層對相變材料起到了保護作用,可減小相變存儲器的電阻漂移,改善器件的整體性能。通過透射電鏡觀察相變過程,研究人員觀察到,改變器件結構和增加金屬外襯層后,相變存儲器獲得了自修復特性,這使得鍺—銻—碲(GST)材料的相變過程更加可控。
研究人員未來將開發一種雙極運行模式,以改變電壓的方向,從而控制化學分離過程。該項研究成果有望延長相變存儲器的生命周期。 (李鐵成)