北京大學物理學院“極端光學創新研究團隊”的朱瑞研究員、龔旗煌院士與合作者展開研究,首次提出了“胍鹽輔助輔助二次生長”方法,開創性地實現了鈣鈦礦薄膜半導體特性的調控,顯著降低了器件中非輻射復合的能量損失,在提升器件開路電壓方面取得了突破,首次在反式結構器件中獲得了超過1.21 V的高開路電壓。同時,在不損失光電流和填充因子等性能參數的情況下,顯著提高了反式結構鈣鈦礦電池的光電轉換效率——實驗室最高效率達到21.51%。經中國計量科學研究院認證,器件的光電轉換效率也高達20.90%,這是目前反式結構鈣鈦礦太陽能電池器件效率的最高記錄。