一種新型毫米波功率放大器設計

解冰一，李春輝

(中國電子科技集團公司第五十四研究所，河北 石家莊 050081)

一種新型毫米波功率放大器設計

解冰一，李春輝

(中國電子科技集團公司第五十四研究所，河北 石家莊 050081)

針對現(xiàn)有合成方式的不足，提出了一種新型結構四路波導分支耦合器，具有駐波好、隔離度高和結構緊湊等優(yōu)點。介紹了波導—微帶探針過渡結構和波導T型結的原理及設計方法，對無源網(wǎng)絡進行了建模仿真，通過優(yōu)化達到了功放設計所需的性能指標。對有源電路的裝配工藝進行了簡要介紹。基于4個16 W功放模塊和四路功率分配/合成網(wǎng)絡，設計了一種50 W毫米波固態(tài)功率放大器，在所需頻段實現(xiàn)了大于50 W的輸出功率，整機效率高于18%。

毫米波；功率放大器；T型結；波導—微帶過渡；四路波導分支耦合器

0 引言

毫米波以其波長短、頻帶寬和通信容量大等特點在現(xiàn)代通信系統(tǒng)發(fā)展領域表現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢。毫米波功率放大器是毫米波系統(tǒng)中的重要部件，已廣泛應用于衛(wèi)星通信、雷達、遙控、遙測、制導和無線電天文學等領域[1-2]。近些年，毫米波固態(tài)放大器件發(fā)展迅速，相比于傳統(tǒng)的電真空器件，具有體積小、可靠性高、工作電壓低和壽命長等優(yōu)點[3]。但單片功放芯片的輸出功率有限，要實現(xiàn)大功率輸出必須采用功率合成方式[4-5]。

采用一種新型的波導T型結合成方式實現(xiàn)2個功放芯片的功率合成，再通過改進型四合一分支電橋組件完成4個功率放大子模塊的合成，最終實現(xiàn)50 W功率輸出。2種合成方式相結合，具有插損小、隔離度高和結構緊湊等優(yōu)點。平面電路到波導的轉換采用一種漸變型波導—微帶探針的過渡結構，具有帶寬寬、插損小等優(yōu)點。

1 總體設計

毫米波功率放大器的設計理念是通過小功率芯片進行多路合成，最終達到所需功率輸出。50 W功率放大器的組成框圖如圖1所示，驅動放大器對小信號進行初級放大，實現(xiàn)功率合成所需的激勵信號電平，4路16 W功放模塊合成輸出大于50 W的功率。16 W功放模塊由2個毫米波功放芯片合成實現(xiàn)。

無源網(wǎng)絡的設計是功放性能指標優(yōu)劣的關鍵環(huán)節(jié)。波導微帶轉換是將信號從波導傳播形式轉換為平面微帶傳播，以便于通過平面放大芯片對信號進行放大。T型結完成2個功放芯片的第1次功率合成，四合一合路器完成4個功放模塊的功率合成。下面對3種無源器件的設計進行詳細的理論分析和仿真設計。

圖1 50 W功率放大器的組成

2 無源網(wǎng)絡理論分析及設計

2.1 波導—微帶過渡結構

在毫米波頻段，目前常用的波導—微帶過渡結構有探針過渡、鰭線過渡和脊波導過渡等。在這里選用波導—微帶探針過渡結構形式，該形式具有結構簡單、易于加工和工作頻段寬等優(yōu)點[6-7]。

在波導—微帶探針過渡結構中，波導與微帶電路的連接有垂直和平行2種方式。考慮到本設計中固態(tài)器件的安裝方式和盒體結構，選用波導短路面與微帶電路垂直的方式。微帶探針從波導的寬邊中心位置插入波導腔中，此處波導傳輸主模TE10模電場最大，同時需要一個短路面來形成電抗與插入探針形成的電抗抵消[8]。理論上，可以近似假設細探針上電流是按正弦駐波分布的，此時形成無限細線電流形式：

I=I0×sink0d-y，0≤y≤d，

式中，d為探針插入的深度。

微帶探針的輸入阻抗：

Z=R+jX，

其中，

式中，β10為矩形波導TE10模的傳播常數(shù)；a和b分別為波導寬邊和窄邊的長度。通過調整短路面位置L和探針插入深度d，可以使探針阻抗的電納X為零，并使輻射電阻R與50 Ω微帶線匹配，以達到最佳耦合效果[6，9]。通常情況下，還會在50 Ω微帶線與探針之間加入一段阻抗匹配段，以滿足寬帶需求。

在理論計算的基礎上，通過軟件仿真可以得到精確的設計結果。在HFSS中建立的一個毫米波頻段波導—微帶過渡結構的仿真模型如圖2所示。波導接口為標準BJ-320接口，微帶線為石英基板微帶探針。微帶的阻抗變換采用漸變形式，可有效增加帶寬，減小回波損耗。波導—微帶過渡結構仿真結果圖3所示，在26～40 GHz頻率范圍內，該結構的回波損耗優(yōu)于-20 dB，插入損耗小于0.1 dB。

圖2 波導—微帶過渡結構仿真模型

圖3 波導—微帶過渡結構仿真結果

2.2 波導T型結功分/合成器

波導T型結是一種典型的無耗三端口網(wǎng)絡，其結構簡單、易于加工，在毫米波功放中是一種常用的功分/合成器[10]。

波導T型結有H面T型和E面T型2種分支形式，根據(jù)功放整體設計的結構需要，選用波導E-T分支形式。波導E-T分支是在主波導的寬邊面上進行分支，其軸線平行于主波導的TE10模的電場方向，是一種串聯(lián)分支。普通E-T接頭的分支區(qū)是不連續(xù)的，各端口存在比較大的反射，為了實現(xiàn)比較良好的匹配性能，在T型結3個端口的連接處加入了一個三角錐型的感性柱，從而抵消了部分分支中帶來的反射分量[11]。在HFSS中建立一個E-T分支結構的仿真模型，如圖4所示，2個分支中加入了階梯漸變結構，可有效拓展帶寬。波導E-T型功分/合成器仿真結果如圖5所示，在26～40 GHz頻率范圍內，該結構的回波損耗優(yōu)于-20 dB，插入損耗小于0.06 dB。

圖4 波導E-T型功分/合成器仿真模型

圖5 波導E-T型功分/合成器仿真結果

2.3 四路功率分配/合成網(wǎng)絡

在多路數(shù)功率合成中，各支路間信號的不平衡性明顯增強，要求各支路端口駐波好，端口之間隔離度高。因此，必須考慮四端口網(wǎng)絡來實現(xiàn)功率的分配與合成[12-13]。

分支波導耦合器是一種常見的四端口網(wǎng)絡，可以用作3 dB電橋來實現(xiàn)功率分配與合成，主要由輸入/輸出口、直通口、耦合口和隔離口4個端口組成，如圖6所示。

圖6 分支波導耦合器原理示意

工作原理：當作為分配器時，信號從1端口輸入，在2端口和3端口等分輸出，且相位差為90°，放大器串接在直通口和耦合口后面，當放大器完全匹配時，則信號被放大后正常輸出；當放大器不完全匹配時，在直通口和耦合口將產(chǎn)生反射信號，此時隔離口的匹配負載將會完全吸收反射信號。當作為合成器時，經(jīng)過放大的功率信號以90°相差分別進入3端口和2端口，若端口匹配且2路信號在1端口同相時，信號合成輸出，反之，反射信號將進入隔離口被負載吸收[14]。

在HFSS中建立一個一分四E面分支波導耦合器模型，如圖7所示。設計中需合理選擇耦合孔數(shù)量，耦合孔數(shù)量增加可增加工作帶寬，但同時也會增加插入損耗，折中考慮，選擇5個耦合孔。在仿真中通過調節(jié)耦合孔的寬度和孔間距來改變分支波導的特性阻抗，以滿足4個分支端口功率平分的性能。在多路功率合成時，不僅需要幅度一致，還需要保證4路分支口相位一致，或者滿足4個分支口相位差為90°。在此，通過調整分支臂的長度補償分支口的相位，以滿足相位要求，從而在背靠背合成使用時在合成端口實現(xiàn)等相位合成。四路功分/合成網(wǎng)絡仿真結果如圖8所示，在28～34 GHz頻率范圍內，四路分支口輸出的幅度一致性≤±0.3 dB，輸入口回波≤-18 dB。

圖7 四路功分/合成網(wǎng)絡仿真模型

圖8 四路功分/合成網(wǎng)絡仿真結果

3 有源電路設計

在毫米波功放的研制中，無源網(wǎng)絡的設計難度主要在前期的建模仿真以及后期的加工精度上。而有源電路的設計難度則更多的在于裝配精度和工藝處理上。

功放芯片選用QORVO公司的基于GaN工藝的裸芯片，飽和輸出功率≥9 W，漏極供電電壓+20 V。由于功率管為耗盡型器件，需對溝道進行預夾斷，因而采用一種時序電路控制功放的上電順序。加電時保證先加柵極電壓，再加漏極電壓，斷電時先斷漏極電壓，再斷柵極電壓[15]。

熱設計是功放可靠工作的重要保障，選用的MMIC芯片大小為3.6 mm×3.2 mm，產(chǎn)生的熱量最大將近40 W。對于功放芯片的散熱，通常的做法是先將芯片放置在載體上，再將載體固定在表面鍍金的銅或者鋁的基座上。載體材料的選擇要遵循兩大原則：① 高的熱傳導率，使芯片產(chǎn)生的熱量能迅速擴散到載體上，擴大散熱面積；② 和芯片相近的熱膨脹系數(shù)，避免長期的熱脹冷縮導致芯片與載體之間產(chǎn)生位移，損壞芯片。目前載體材料采用較多的是鎢銅合金，然后在載體表面鍍金。芯片和載體的裝配，以及載體和基座的固定均采用共晶焊接的工藝，共晶焊接不僅有熱阻小，散熱快的優(yōu)點，還具有機械強度高、可靠性高等優(yōu)點[16]。

功放模塊性能的一致性是最終實現(xiàn)功率合成的基礎。導致功放模塊性能差異的除了芯片本身特性的不一致外，就是裝配過程中引入的差異。芯片本身不一致是不可控因素，而裝配精度則可以通過設計和裝配經(jīng)驗進行控制。在盒體設計時應嚴格控制盒體加工精度，合理采用公差設計，保證載體以及探針的準確安裝。在裝配過程中，要盡量保證芯片與載體的共晶焊以及載體與盒體的共晶焊位置相同，同時探針的裝配位置也要盡量一致。芯片的輸入輸出接口是50 Ω微帶線，通過金絲焊接的工藝與探針連接，對于金絲的數(shù)量以及金絲的焊接點位置需要進行合理的設計，以保證對阻抗的影響最小[17]。

4 整機實現(xiàn)及測試結果

對調試好的功放模塊進行測試，4個功放模塊的輸出功率及相位測試結果如表1所示，測試數(shù)據(jù)均是在相同激勵電平下得到，其中相位是以1號功放模塊為標準校準后測試得到的。在相同頻點，4個功放模塊的幅度一致性≤±0.2 dB，相位一致性≤± 10°。

表1 功放模塊一致性測試結果

在4個16W功放模塊和四路功率分配/合成器基礎上，依照圖1的組成原理，裝配成50 W毫米波功率放大器。4個功放模塊平行螺裝在散熱底板上，采用風機進行散熱。對功放輸出功率、反射功率以及溫度進行監(jiān)測，實時掌握其工作狀態(tài)。同時對4個功放模塊的電流進行監(jiān)測，確定其是否工作正常。對功率放大器進行整機測試，結果如表2所示。

表2 50 W功率放大器測試結果

5 結束語

本文基于波導—微帶探針轉換和波導T型結設計了16 W功放模塊，幅度一致性優(yōu)于±0.2 dB，相位一致性優(yōu)于≤±10°，該模塊一致性好，結構緊湊，適合作為子模塊進行功率合成。在16 W功放模塊和四路功率分配/合成器的基礎上，研制了一種50 W毫米波固態(tài)功率放大器，在29～31 GHz頻率范圍內，飽和輸出功率大于53 W，整機效率高于18%。該功率放大器在航天測控、衛(wèi)星通信等場合具有很強的應用前景，同時也可以作為功率子模塊，結合大功率波導合成器實現(xiàn)更大功率輸出。

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DesignofaNovelMillimeter-wavePowerAmplifier

XIE Bingyi,LI Chunhui

(The54thResearchInstituteofCETC,Shijiazhuang050081,China)

In order to solve the deficiency of the current binary power combination,a novel four-way branch-waveguide coupler is presented,which features low VSWR,high isolation and compact construction.The principle and design method of waveguide-microstrip transition and T-junction waveguide is introduced.And the simulation models of passive network are founded,which achieved the required performance through optimizing.The assembling technology of active circuit is introduced briefly.A 50 W millimeter-wave solid power amplifier is developed,based on four 16 W power amplifier modules and four-way power divider/combiner.The output power of power amplifier is more than 50 W in desired frequency band,and the efficiency is more than 18%.

millimeter-wave；power amplifier；T-junction；waveguide-microstrip transition；branch-waveguide coupler

2017-07-28

國家高技術研究發(fā)展計劃(“863”計劃)基金資助項目(2013AA122101)

10.3969/j.issn.1003-3106.2018.01.11

解冰一,李春輝.一種新型毫米波功率放大器設計[J].無線電工程,2018,48(1):50-54.[XIE Bingyi,LI Chunhui.Design of a Novel Millimeter-wave Power Amplifier[J].Radio Engineering,2018,48(1):50-54.]

TN722

A

1003-3106(2018)01-0050-05

解冰一男，(1986—)，畢業(yè)于合肥工業(yè)大學精密儀器及機械專業(yè)，碩士，工程師。主要研究方向：微波功率放大器。

李春輝男，(1973—)，高級工程師。主要研究方向：微波功率放大器。

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