Vishay推出業內最低RS-S（ON）60V共漏極器件

本報訊 12月11日，Vishay Intertech-nology宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60V MOSFET——iSF20DN。

Vishay Siliconix SiSF20DN是業內最低RS-S（ON）的60V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統、直插式和無線充電器，DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。

日前發布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S（ON）典型值低至10mW，是3mm×3mm封裝導通電阻最低的60V器件，比這一封裝尺寸排名第二的產品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。從而降低電源通道壓降，減小功耗，提高效率為提高功率密度，SiSF2VDN的RS1S2（ON）面積乘積低于排名第二的替代MOSFET46.6%，甚至包括6mm×5mm較大封裝解決方案。

為節省PCB空間，減少元件數量并簡化設計，該器件采用優化封裝結構，兩個單片集成TrenchFET第四代N溝道MOS-FET采用共漏極配置。

SiSF20DN源極觸點并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統雙封裝型器件相比進一步減小電阻率。這種設計使MOSFET適合用于24V系統和工業應用雙向開關，包括工廠自動化、電動工具、無人機、電機驅動器、白色家電、機器人、安防/監視和煙霧報警器。